BJT Deneyi Çalışma

31.03.2016
BJT Deneyi Çalışma Soruları
1. BJT’ nin kuvvetlendirici olarak çalışabilmesi için BE ve BC jonksiyonlarının kutuplanması nasıl olmalıdır, bu çalışma
bölgesine ne ad verilir?
2. hFE nedir, ortak emetörlü devrede nasıl ifade edilir, ölçü aletiyle ölçülebilir mi, sabit midir yoksa değişken midir,
açıklayınız?
3. VCE(sat) ve Ic(sat) nedir, açıklayınız?
4. VT eşik gerilimi bir BJT için ne anlama gelmektedir?
5. VCE, IC akımını idealde ve gerçekte nasıl etkiler?
6. VCEQ, ICQ, VCEO ve VBE neyi ifade etmektedirler?
7. BJT’nin çalışma bölgeleri nelerdir, nasıl seçilir, kısaca açıklayınız?
8. BJT’nin kuvvetlendirici olarak çalışabilmesi için BJT hangi çalışma bölgesinde çalıştırılmalıdır, bu bölgede
jonksiyonların kutuplanması nasıl olmalıdır?
9. hFE’ nin değişmesine neden olan faktörler nelerdir?
10. IB akımı nedir ve VBE, VCE, VCE(sat) ve Ic(sat) gerilim ve akımlarını nasıl etkiler?
11. Transistörlere ait parametreler arasındaki ilişkinin gösterildiği öz eğriler kaç tanedir, isimleri nelerdir, hangi parametreler
arasındaki ilişkiyi göstermektedirler?
12. BJT anahtarlama için hangi bölgelerde, yükseltme için hangi bölgede çalıştırılır?
13. Bir BJT’nin sağlamlık testi nasıl yapılır, kısaca anlatınız?
14. Bir BJT’nin türü ölçü aleti yardımıyla belirlenebilir mi, açıklayınız?
15. Kesim bölgesinde çalıştırmak istediğimiz bir BJT’nin jonksiyonlarının kutuplanma şekli hakkında bilgi veriniz.
16. Doyma bölgesinde çalıştırmak istediğimiz bir BJT’nin jonksiyonlarının kutuplanma şekli hakkında bilgi veriniz.
17. İleri yönde çalışma bölgesinde çalıştırmak istediğimiz bir BJT’nin jonksiyonlarının kutuplanma şekli hakkında bilgi veriniz.
18. Ortak emetörlü devre için ortak kelimesi neyi ifade etmektedir.
19. Yapılacak deneylerin (2 deney) amaçları nelerdir?
20. IS, IB, IC, IE, VBE, VCE, VBC, VCC, VC, VBB, VB, hFE, β kısaltmalarının karşılığı nedir?
21. VBE, VCE, VBC gerilimlerini birbiri cinsinden tek eşitlikte yazınız.
22. IB, IC, IE akımlarını birbiri cinsinden yazınız.
23. IS, IC, IE akımlarını birbiri cinsinden yazınız.
24. IC0 nedir? Kollektör akımı ile olan ilişkisinin verildiği denklemi yazınız.
25. Isıl kararlılık nedir? Bağıntısını yazarak açıklayınız.
26. Tranzistörün baz akımı sabit tutulursa ısıl kararlılık hangi değere eşit olur?
27. Tranzistörün emetör akımı sabit tutulursa ısıl kararlılık hangi değere eşit olur?
28. Tranzistörün ısıl kararlılığının iyi olabilmesi için hangi değer sabit olacak şekilde kutuplanması gerekir? Neden?
29. Pratik uygulamalarda tranzistörlü devrelerde emetöre bağlanan dirence paralel kondansatör bağlandığı gözükür. Bunun nedeni
nedir? Değeri nasıl seçilir?
30. Pratik uygulamalarda tranzistörlü devrelerde yüke seri bir kondansatör bağlandığı gözükür. Bunun nedeni nedir? Değeri nasıl
seçilir.
31. Tranzistörün akım ve gerilimlerinin karşılıklı bağımlılıkları ifade etmeye yarayan eğrilere ne ad verilir?
32. Herhangi bir tranzistörün çıkış özeğrilerine bakıldığında V CE’nin çok küçük değerleri dışında IC-VCE değişimi nasıldır?
33. Genel olarak tranzistörün kolektör akımını kontrol eden iki parametre nedir?
34. Bir tranzistörün doymaya gittiğini hangi 3 parametreye bakarak anlayabiliriz. Bu değerler ne olmalıdır?
35. Deney esnasında IB akımı artmasına rağmen IC yaklaşık sıfır ve artmıyor ise VCE değeri de yaklaşık VCC’ye eşit olarak
ölçülüyor ise transistor hangi bölgede çalışıyordur?
<2015-2016 Bahar Yarıyılı> <Elektronik 2 Lab. “Transistörlü Kuvvetlendirici Deneyi”>
31.03.2016
36. Deney esnasında IB akımı artmasına rağmen IC artmıyor ve VCE yaklaşık ‘0’ olarak ölçülüyor ise transistor hangi bölgede
çalışıyordur?
37. Deney ilk uygulama devresi aşağıda verilmiştir. VAE gerilimin sıfır olması için potansiyometre nasıl konumlandırılmalıdır?
A
En sol
En sağ
38. Deney ilk uygulama devresi 37. soruda verilmiştir. VAE gerilimin sıfır olduğu biliniyorsa;
a) VCE gerilimi ne olur? Neden?
b) IC akımı ne olur? Neden?
c) Eğer IC akımı varsa bu akım nereden kaynaklanmaktadır?
d) Matematiksel eşitliğini yazınız?
39. Deney ilk uygulama devresi 37. soruda verilmiştir. Bu devreyi doyuma götürecek IC değerini hesaplayınız. Akım kazancı 200
ise baz akımını ve VBE değerini de bulunuz. Doymanın gerçekleşmesi için VBC ve VBE değerlerinin ne olması gerektiği bilindiğine
göre bu değerleri kontrol ederek bulduğunuz değer için doymanın olduğunu ya da olmadığını ispatlayınız.
40. Deney ilk uygulama devresi 37. soruda verilmiştir. Devrenin doyumda olduğu bilindiğine göre V AE geriliminde yapılacak her
100mV’luk artış ile IC, VCE, VBE, IB, hFE parametreleri nasıl değişir?
41. İkinci uygulama devresi aşağıda verilmiştir. Bu devre için DC analiz yaparak
a) IB, IE, IC, VE, VB, VC değerlerini bulunuz (hFE=200, VBE=0,6V).
b) Aşağıda verilen basitleştirilmiş π eşdeğer devre parametrelerini bulunuz.
c) Basitleştirilmiş π eşdeğer devre kullanılarak CC1  CC2  CE   varsayımıyla devrenin AC eşdeğerini çiziniz.
d) Devrenin kazancını parametrik olarak bulunuz.
e) Devrenin kazancını sayısal olarak bulunuz.
f) Devrenin kazancını dB cinsinden bulunuz.
Basitleştirilmiş π eşdeğer devresi
<2015-2016 Bahar Yarıyılı> <Elektronik 2 Lab. “Transistörlü Kuvvetlendirici Deneyi”>
31.03.2016
B
C
rπ

uπ
gmu π
E
42. İkinci uygulama devresi 41. soruda verilmiştir. Bu devre için çıkış geriliminin etkin değerini 2V yapacak V 1-etkin ve Vg-etkin
gerilimlerini bulunuz.
43. İkinci uygulama devresi 41. soruda verilmiştir. Bu devre için 12k’lık yük direncini 4.7k yaparak çıkış geriliminin etkin değerini
2V yapacak V1-etkin ve Vg-etkin gerilimlerini bulunuz. Sonucu 42. soruda bulduğunuz sonuca göre yorumlayınız.
44. 41’de verilen ikinci uygulama devresinde kullanılan tüm kondansatörlerin kullanım amaçlarını yazınız.
45. 41’de verilen ikinci uygulama devresinde kullanılan R1, RE ve R2 dirençlerinin ne amaçla kullanıldığını yazınız.
46. 41’de verilen ikinci uygulama devresinde kullanılan CE açık devre edildiğinde devrede ne gibi bir değişiklik olur? Kazanç
değişir mi? Değişirse nasıl değişir? Neden? ne amaçla kullanıldığını yazınız.
Deney Sorumlusu
Arş. Gör. Ersagun YAYLACI
ekyaylaci@sakarya.edu.tr
Oda: 6313
<2015-2016 Bahar Yarıyılı> <Elektronik 2 Lab. “Transistörlü Kuvvetlendirici Deneyi”>