HIZLANDIRICILARDA PARÇACIK KAYNAKLARI Dumlupınar Üniversitesi Latife Şahin VII. Uluslararası Katılımlı Parçacık Hızlandırıcıları ve Detektörleri Yaz Okulu 21 - 26 Ağustos 2011, BODRUM/TÜRKİYE Genel bir hızlandırıcı kompleksi Parçacık kaynağı hızlandırıcı zincirinin ayrılmaz bir parçasıdır. Parçacık kaynakları Parçacık hızlandırıcıları veya başka uygulamalar için iyon ve elektron demeti üreten cihazlara denir. Her hızlandırıcı bir parçacık kaynağına ihtiyaç duyar. Parçacık kaynakları sadece hızlandırıcılar tarafından kullanılmazlar. İyon implantasyonu, füzyon uygulamaları, tıp, gıda ışınlanması gibi birçok alanda uygulaması bulunmaktadır. İstediğimiz amaca ve akıma yönelik parçacığı elde etmek için uygun parçacık kaynaklarını kullanmak gereklidir. Parçacık kaynak çeşitleri nelerdir? Parçacıklar nasıl üretilir? Parçacık Kaynakları Elektron Kaynakları İyon Kaynakları Pozitif iyon kaynakları Negatif iyon kaynakları Proton kaynağı Anti-parçacık kaynakları Nötron kaynakları Elektron kaynağı Elektron kaynakları Elektron kaynakları da parçacık hızlandırıcıları için elektron demeti üreten kaynaklardan biridir. Elektron demetinin kaynağı katottur(flament). Elektron demetleri üretim mekanizmasına göre sınıflandırılabilirler Elektron kaynakları Elektron kaynak çeşitleri: Termiyonik emisyon(yayılım) Yüksek alan emisyonu Fotoelektrik emisyonu Bu kaynaklar nasıl çalışır? Termiyonik emisyon Flament yüksek erime noktası ve düşük iş fonksiyonlu malzemeden yapılır Filament elektron akışı olana kadar ısıtılır. Negatif bir potansiyel(birkaç yüz Volt) Wehnelt silindirine uygulanır. Anota pozitif bir elektriksel potansiyel uygulanır. Elektronlar anota doğru hareket ederken, katot tarafında, yayılan elektronların bir kısmı Wehnelt silindiri tarafından geri itilirler. Elektronlar pozitif potansiyel ile aşağı doğru hızlandırılırlar. Anot üzerindeki delikten çıkarlar http://www.matter.org.uk/tem/electron_gun/electron_gun_simulation.htm Termiyonik emisyon Flament akımı, flament sıcaklığını ve dolayısıyla yayınlanan elektronların sayısını kontrol eder Flamentin küçük bir bölgesinden elektronların yayınlanması istenilir Flament akımı demet akımı artık yükselemeyeceyi noktaya gelene kadar artırılır Bias potansiyeli flamentte elektronların yayınlanacağı bölgeyi kontrol eder Termiyonik emisyon Isıtılan yüzey bir katodu meydana getiriyor ise verilen sıcaklıkta yayınlanan maksimum akım yoğunluğu Richardson/Dushman denklemi ile verilir. J = A . T2 . e ( -11600 . / T ) Bu denklemde eV cinsinden iş fonksiyonudur. A ise 120 amper/cm2K2 değerinde teorik bir değerdir. Yandaki tabloda sıklıkla kullanılan termiyonik katotların bazı temel parametreleri yer almaktadır. Metal Akım(A) İş Fonksiyonu (eV) Sıcaklık (° K) Akım yoğunluğu (A/cm2) Tungsten 60 4.54 2500 0.3 Toryum katkılı tungsten 3 2.63 1900 1.16 Karışmış oksitler 0.01 1. 1200 1. Sezyum 162 1.81 Tantal 60 3.38 2500 2.38 Sezyum/Ok sijen/Tungs ten 0.003 0.72 1000 0.35 Termiyonik katot malzeme İki parametre önemlidir W=İş fonksiyonu (mümkün olduğu kadar düşük) T=Çalışma sıcaklığı(yüksek tercih edilir) Sezyum(Cs) düşük iş fonksiyonu sahip fakat çalışma sıcaklığıda düşük (T=320K) => Yüksek akım için iyi değil Metaller: Ta (4.1eV, 2680K), W (4.5eV, 2860K) BaO iyi özelliklere sahip (1eV; 1000K) fakat havada oksitleşir Soru Aşağıdaki metaryellerden hangisi aynı sıcaklıkta en yüksek termiyonik akımı verir? (a) Demir (Fe); W=4.7 eV (b) Gadolinyum (Gd); W=2.90 eV (c) Kobalt (Co); W=5 eV Yüksek alan emisyonu Alan emisyonlu tabancalarda, metal flamentten elektronları çekip çıkarmak için çok güçlü elektrik alan (109Vm-1) kullanılır Sıcaklık termiyonik emisyonlu kaynaklardan daha düşüktür Fakat kaynak parlaklığı (katı açı başına akım yoğunluğu) termiyonik emisyondan daha yüksek olup yüksek vakum gerektir Fotoelektrik emisyon Bir malzemenin iş fonksiyonundan daha yüksek enerjili bir foton malzeme yüzeyine çarptığı zaman bir elektronun yayınlanmasına sebep olur. Emisyona sebep olacak maksimum foton dalga boyu =1240/ burada iş fonksiyonu olup nanometre birimindedir. Fotondan gelen fazla enerji elektrona kinetik enerji olarak aktarılır. Gelen foton başına yayınlanan elektronların oranı kuantum verimliliği olarak adlandırılır. Kuantum verimliliği katodun ömrü boyunca azalacaktır: Kontamine olabilir veya hasarlanabilir Metaller için minimum foton enerjisi morötesi enerji aralığındadır(200nm buda 6 eV karşılık gelir, çoğu metallerde elektron koparmak için yeterlidir) İyon kaynakları-İyon nedir? Elektrik yüklü atom ya da atom grubudur Bir atom ya da atom grubu bir veya daha fazla elektron kaybeder veya kazanırsa elektrik yükü kazanmış olur. İyon kaynakları Parcaçık hızlandırıcıları ve başka uygulamlar için iyon demeti üreten cihazlardır Basit bir iyon kaynağı için iyonize gaz olan plazmanın üretilmesi ve iyonların plazmadan çekilerek istenilen enerjiye hızlandırılması gereklidir Plazma iyon, elektron ve nötr atomun karışımından oluşur Ortamdaki gaz atom yada moleküllerin elektronlar ile bombardıman edilmesi sonucu plazma meydana gelir. İyon kaynakları Plazma kaynağı ile iyonlar üretilir Ekstraktördeki elektrotlara uygulanan voltaj ile iyonlar hızlandırılarak, enerji kazandırılır Ekstraktörden ayrılan iyon demeti uygulamaların yapılacağı bölgeye gönderilir İyon kaynakları Ekstraktör geometrisi, iyon demetinin şeklini ve boyutunu belirlemekte önemlidir Küçük çaplı dairesel bir demet için, bir küçük delikli ekstraktör kullanmak uygun olacaktır Geniş bir demet için, bir çok delik(slit) bulunan ekstraktör kullanılır İyon kaynakları Pozitif iyon kaynakları Yüksek akım iyon kaynaklar Çoklu-yüklenmiş iyon kaynaklar Çok-kutuplu sınırlanmış kaynaklar Oldukça yüklenmiş iyon kaynaklar Negatif iyon kaynakları Hacim yöntemi Yüzey yöntemi Yük alışveriş yöntemi Pozitif İyon Üretimi Bir atom veya molekülden elektronun uzaklaştırılması gerekir. Başarılı bir iyonizasyon için atom veya moleküle minimum enerji(eşik enerjisi) transferi gereklidir. Birden fazla elektron, atom veya molekülden sökülebilir Pozitif iyon üretimi iyonizasyon enerjisini sağlayacak fotonlar ve elektronlar tarafından gerçekleştirilir 2 H e H H e H e H 2e Ai e A(i n ) (n 1)e A i e A (i 1) 2e Flament İyon Kaynağı Plazmadaki nötr atom yada molekülleri iyonlaştırarak, plazmanın yoğunluğunu artıran en iyi yöntem Elektron üretmek için çok sıcak bir telden(flament) termiyonik yayılımı kullanılır Flamente -70 V uygulanması , iyonlaştırma için elektronun yeterince enerji kazanmasına sebep olur Bu kaynak iyonlaşma oranı gaz yoğunluğu ile orantılı olması istenilince tercih edilir Flamentin ömrü buharlaşma ve sputtering yüzünden sınırlıdır 1 mT basınçta, cm başına bir iyon üretmek için 300 elektron gereklidir Yüksek şiddette iyon demeti üretmek için uygun değil!!! Flament İyon Kaynağı Elektron çoğalımı Townsend discharge: Gaz iyonizasyon prosesi Elektronlar, ortamın basıncı ve elektrik alan izin verdiği ölçüde enerji kazanırlar İyonlaştıran ve iyonlaşan elektron tekrar yeni iyonlaşmalar meydana getirir Sonuçta akım aradaki d uzaklığına bağlı olarak exponansiyel artar d sabit tutulur ve basınç değiştirilirse akım max . değere ulaşır Yüklü Parçacıkların Hapsedilmesi Pening İyon Kaynağı Plazma hapsetmesi için dipol alanın bir uygulaması Anod eksenine paralel manyetik alanda bir silindir anot ve iki katot bloktan oluşur Katottan yayınlanan elektronlar Bçizgilerini takip ederek diğer katota gider ve oradan yansıtılır Bu şekilde elektronlar iki katot arasında titreşerek elektron akım yoğunluğunu yükselterek yüksek verimlilik sağlarlar. İyonların çıkışı eksen boyunca ya katoda açılan bir delikten yada çap boyunca anottaki bir kesikten sağlanır. Katotların sputteringi yüzünden ömrü sınırlı, özellikle yüksek yüklü parçacıklar için Multicusp İyon Kaynağı Füsyon için geliştirilmiştir Multicusp alanlar düzenli magnetler tarafından üretilmiş Manyetil alan duvarlardan uzaklaştıkça azalır, merkezde sıfır Duvarlardaki güçlü manyetik alan iyonların tekrar merkeze gönderilmesini sağlar Elektronlar, termiyonik yayılım ile bir flament tarafından sağlanır Odanın duvarları anot görevi yapar Flamentin ömrü sputtering yüzünden sınırlı!!!!! Sputter(püskürme)- iyon kaynağı katili???? Elekronların hızlanıp tekrar iyonlaşma meydana getirmesi için elektrik alan gerekli Aynı elektrik alan iyonlarıda etkiler, bu sebeple iyonlar hızlanarak elektrotlara çarpar ve eletrotlardan atomları püskürtebilir(sputtering) Sputtering flamentlerin incelmesini , dolayısıyla kırılmasına sebep olabilir Yani Sputtering malzemelerin ömrünü kısaltır Azatılması gerekir Ne yapılabilir? Flament yerine anten dizayn edilir Antene RF kaynağı ile akım sağlanır Bu akım aynı zamanda dairesel E alan üretir Bükülen E alan antenin ortasında yoğunlaşır Bu alan sayesinde iyonlar açısal yönde hızlanır RF ile beslenen multicusp iyon kaynakları Alternatif akım ile dairesel E alan üretilir İyon kaynağının ömrü uzatılır iyon yoğunluğunu artırmak, elektrik alanı artırmaya, elektrik alanı artırmakta anten akımı artırmaya bağlı RF akımı artırmanın limiti var mı? RF volatjı artırdıkca, akım artar ve sonunda plazma yoğunluğu artarken plazma empedansı düşer Rf akımı antenden plazmaya bypass olur Bu da plazmada değişikli yaratır Bu antenlerin uygun kaplaması ile düzeltilebilir Negatif İyon üretimi Tabakalarında elektron boşluğu bulunan bazı atomlar extra bir elektronu çeker ve negatif net yüklü kararlı izotop meydana getirir Kararlılık elektron bağlanma enerjisi veya elektron yatkınlığı ile ifade edilebilir Elektron yatkınlığı, iyonizasyon enerjilerinden daha küçüktür Hacim yöntemi Elektron doğrudan atoma bağlanır , enerji fazlalığı gama ışını olarak A e A yayınlanır(Tesir kesiti küçük!!!) Enerji fazlalığı üçüncü M e A B e A B parçacığa aktarılır Sıcak elektronlar molekülleri titreşimle uyarır Uyarılmış molekül ve soğuk elektronlar arasında çözülmeli bağlanma olur M e* M 2e*M e * M e * M A B Yüzey yöntemi Metaller zayıf bağlı iletim elektronlarına sahiptirler. Ancak yüzeyden bir elektron koparabilmek için yaklaşık 4,5 – 6 eV’luk enerji gerekir(iş fonksiyonu). Oda sıcaklığında sıvı bir metal olan Cs’un iş fonksiyonu ise yalnızca 2 eV kadardır. Bir metal yüzey üzerine yoğunlaştırıldığında, Cs, yüzeyin iş fonksiyonunu 1,4 – 1,8 eV civarına düşürür. Elektron yatkınlığı 2 eV’dan fazla olan atomlar Cs’daki elektronu kolayca yakalayarak negatif iyon meydana getirirler. Yük alışverişi Pozitif iyon demetlerinin çift yük değişimi, negatif iyon üretiminden daha çok tutulan bir yöntem Yüksek akım gerektiren durumlarda kullanılmıyor X Cs X Cs Nötrleşme X Cs X Cs İyonlaşma Magnetron İyon Kaynağı Plazmanın hapsedilmesi için selonoid alanın en basit şekilde uygulandığı kaynak 0.1 T büyüklüğünde bir alan iyon kaynağınınm dışına yerleştirilen solenoid ile sağlanır Katot bir termiyonik yayılım sağlayan flament iken, anot odacığın kendisidir Manyetik alana parelel yerleştirilen flament elektronların spiral yol çizmelerine sebep olur Flamentin ömrü sınırlıdır: Sputtering Yüksek manyetik alanada plazmada titreşime sebep olur H- Magnetron Iyon Kaynağı J Alessi, BNL e- ~1 mm Mo Cathode (-) Cs M Stockli, R Welton, SNS H H+H2+ H- eAnode (+) e- B Multicusp Negatif İyon Kaynağı Pozitif iyon yüksek-akım kaynağı gibi görünür fakat Holarak çalıştırıldığında su ile soğutmalı mıknatıs filtresi dahil edilir Bu filtre katottan çıkan ilk elektronların çıkış bölgesine girmesini önlemek için yeterince kuvvetli dir Çok yavaş elektronlarla birlikte pozitif ve negatif iyonların herikisi filtreden geçebilir Hacim prosesi ile yüksek verimlikli H- lu soğuk plazma oluşabilir. Yüzey dönüştürme iyon kaynağı LBNL, tarafından geliştirilmiştir Cs un soğuk metal yüzeye yoğunlaştırılması sonucu , H- iyonlar oluşturulmuştur iyonlar negatif voltajda tutulan sezyum(Cs) ile kaplanmış bir metal yüzeyde oluşturulur. Flament plazma oluşturmak için kullanılır Küresel yüzey su ile soğutulur Bu yüzeye voltaj uygulayarak negatif iyonlar ortamdan çekilir Yüzey eletrotlarında Cs miktarı korunmalı Ortamdaki elektronların iyon akımına katkısını azatmak için dipol manyetik alan kullanılır H- İyon kaynakları Kullanan Laboratuvarlar Moehs et all. IEEETransactions on plasma science, Vol. 33,No.6, 2005 DESY-HERA JPARC SNS/LBNL ORNL-SNS ECR H- İyon Kaynağı ECR İyon Kaynağı Kaynaklar Ion sources, N. Angert, GSI, Darmstadt, Germany Ion and Electron sources, C.E. Hill, CERN, Geneva, Switzerland Electron and Ion sources for particle accelerators, R. Scrivens, CERN, Geneva, Switzerland Moehs et all. , IEEETransactions on plasma science, Vol. 33, No.6, 2005