SAKARYA ÜNİVERSİTESİ TEKNOLOJİ FAKÜLTESİ MAKİNE MÜHENDİSLİĞİ BÖLÜMÜ ELEKTRONİK DEVRELER DERSİ LABORATUAR FÖYÜ DENEY NO: 7 Deneyin Adı: Diyodun kutuplanması ve karakteristik eğrisinin çıkarılması Deneyin Amacı: Diyotun doğru ve ters kutuplanması, akım-gerilim karakteristiğinin incelenmesi ve karakteristik eğrinin elde edilmesi. Ön Bilgi Diyota doğru yönde gerilim uygulandığında iletime geçer. Aşağıdaki karakteristik eğri incelendiğinde diyot 0,7V’luk eşik gerilimine ulaştığında iletime geçmekte (silisyum diyot) ve bu gerilim değerinden itibaren akım ani olarak artmaktadır. 0-0,7V arasında ise diyot üzerinden küçük değerlikli sızıntı akımları akmaktadır. Diyota 60V’a kadar ters polarma uygulandığında üzerinden 2mA’lik sızıntı akımı geçmekte ve bu gerilim değerinin üzerine çıkıldığında diyot bozularak ters yönde daha büyük akımların geçmesine izin vermektedir. Birçok diyot çeşidi vardır; schottky diyot, kristal diyot, zener diyot, ışık yayan diyot (led), tunel diyot, foto diyot, ayarlanabilir kapasiteli diyot (varikap) gibi. Aşağıda bu diyotların sembolleri görülmektedir. İdeal bir diyotun akım-gerilim karakteristiği, VD I D = I S e .VT 1 formülü ile bulunmaktadır. ID diyot akımını, IS diyot ters yön doyma akımını, VD diyot gerilimini, VT ise termal voltajı ifade etmektedir. Germanyum diyot için ƞ=1, silisyum için; düşük gerilim ve akım değerleri için ƞ=2, bunun dışında kalan yüksek akım değerleri için ƞ=1 olarak kullanılır. Buradaki VT gerilimi, VT k .T q ile bulunabilir. Eşitlikte k Boltzmann sabitini, T mutlak sıcaklık değerini ve q ise bir elektron yükünü temsil etmektedir. Genellikle oda sıcaklığında bu gerilim değeri yaklaşık 26 mV olarak alınır. T Kelvin cinsinden sıcaklık değerini ifade eder. °C cinsinden verilen sıcaklık değeri TK=TC+273° formülü ile Kelvin’e çevrilir. İdeal bir diyotun doğru ve ters kutuplanmasından elde edilen karakteristik eğrisi şekil 1.1 deki gibidir. DİYOT ZENER DİYOT FOTO DİYOT TUNEL DİYOT VARİKAP DİYOT LED SCHOTTKY DİYOT Şekil 1.1 Deneyde Kullanılacak Elemanlar 1 adet 100Ω direnç 1 adet 330Ω direnç 1 adet 1KΩ direnç 1 adet 2.2Ω direnç 1 adet 3.3Ω direnç 1 adet 4.7Ω direnç 1 adet 5.6Ω direnç 1 adet 10KΩ direnç 1 adet 100KΩ direnç 1 adet 1N4001 diyot 1 adet sinyal jeneratörü 1 adet DC gerilim kaynağı 1 adet avometre 1 adet osilaskop İşlem basamakları 1) Şekil 1.2’deki VDC=10V olacak şekilde devreyi kurunuz. Voltmetre ile gerilim değerlerini ölçünüz ve akım değerlerini hesaplayarak tablo 1.1’i doldurunuz. Şekil 1.2 R VD (V) ID (mA) 100Ω 330Ω 1KΩ 2.2KΩ 3.3KΩ 4.7KΩ 5.6KΩ 10KΩ 100KΩ Tablo 1.1 2) Diyotu ters çevirerek 1. basamaktaki işlemi tekrarlayınız ve tablo 1.2’ye kaydediniz. R VD (V) ID (mA) 100Ω 330Ω 1KΩ 2.2KΩ 3.3KΩ 4.7KΩ 5.6KΩ 10KΩ 100KΩ Tablo 1.2 SORULAR 1) Diyot sızıntı akımı nedir? Açıklayınız. 2) Direncin değeri değiştikçe devrede nasıl bir değişim olmaktadır? Kısaca açıklayınız. 3) Diyotun idealdeki karakteristik eğrisi ile pratikteki eğrisi arasında fark var mıdır? Kısaca açıklayınız. 4) Sıcaklık değişmesinin diyotun çalışmasına olan etkisini açıklayınız.