ELEKTROMANYETİK GİRİŞİM SÜZGEÇ TASARIMI Hasan Çağlar

advertisement
ELEKTROMANYETİK GİRİŞİM SÜZGEÇ TASARIMI
Hasan Çağlar AKSOY
YÜKSEK LİSANS TEZİ
ELEKTRİK-ELEKTRONİK MÜHENDİSLİĞİ
GAZİ ÜNİVERSİTESİ
FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ
OCAK 2014
ANKARA
Hasan Çağlar AKSOY tarafından hazırlanan ELEKTROMANYETİK GİRİŞİM
SÜZGEÇ TASARIMI adlı bu tezin Yüksek Lisans olarak uygun olduğunu
onaylarım.
Doç. Dr. Erkan AFACAN
…………………………………..
Tez Danışmanı, Elektrik-Elektronik Mühendisliği Anabilim Dalı
Bu çalışma, jürimiz tarafından oy birliği ile Elektrik ve Elektronik Mühendisliği
Anabilim Dalında Yüksek Lisans tezi olarak kabul edilmiştir.
Prof. Dr. Erdem YAZGAN
…………………………………..
Elektrik-Elektronik Mühendisliği, Hacettepe Üniversitesi
Doç. Dr. Erkan AFACAN
…………………………………..
Elektrik-Elektronik Mühendisliği Anabilim Dalı, Gazi Üniversitesi
Yrd. Doç. Dr. Nursel AKÇAM
…………………………………..
Elektrik-Elektronik Mühendisliği Anabilim Dalı, Gazi Üniversitesi
Tez Savunma Tarihi: 06/01/2014
Bu tez ile Gazi Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Yönetim Kurulu Yüksek Lisans
derecesini onamıştır.
Prof. Dr. Şeref SAĞIROĞLU
Fen Bilimleri Enstitüsü Müdürü
…………………………………..
TEZ BİLDİRİMİ
Tez içindeki bütün bilgilerin etik davranış ve akademik kurallar çerçevesinde elde
edilerek sunulduğunu, ayrıca tez yazım kurallarına uygun olarak hazırlanan bu
çalışmada bana ait olmayan her türlü ifade ve bilginin kaynağına eksiksiz atıf
yapıldığını bildiririm.
Hasan Çağlar AKSOY
iv
ELEKTROMANYETİK GİRİŞİM SÜZGEÇ TASARIMI
(Yüksek Lisans Tezi)
Hasan Çağlar AKSOY
GAZİ ÜNİVERSİTESİ
FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ
Ocak 2014
ÖZET
Bu tez kapsamında DA/DA çeviricilerin sebep olduğu elektromanyetik girişim
problemlerinin incelenmesi, MIL-STD-461E standardında yer alan CE102
testine ve MIL-STD-1275D standardına uygun EMG süzgeç tasarlanması
amaçlanmıştır. Gürültü kaynağı olarak bir askeri cihaz alınmış olup, cihazın
iletimsel yaydığı 10kHz-10MHz frekans bandındaki gürültüler incelenmiştir. Bu
gürültünün süzülmesi için gerekli tasarım ve benzetimler yapılmıştır. Kart
cihazla birlikte çalıştırılmış ve CE102 testinden başarıyla geçtiği görülmüştür.
Ayrıca platformlardaki devre kesicilerden veya diğer cihazlardan kaynaklı
yüksek genlikli işaretlerin, cihaza zarar vermemesi için uygun tasarım ve
benzetimler de yapılmıştır. Gürültünün süzülmesi için gerekli tasarımlarla
birlikte tasarım, baskı devre kartına dönüştürülmüştür. Bu baskı devre kartı
cihazla birlikte test edilmiş olup MIL-STD-1275D standardı ile uyumlu hale
geldiği görülmüştür.
Bilim Kodu
: 905.1.034
Anahtar Kelimeler : Elektromanyetik Girişim, Ortak Mod Gürültü, Fark Mod
Gürültü, Geçici İşaret, Ani Yükselen İşaret, Dalgalanan
İşaret, Elektromanyetik Girişim Süzgeci
Sayfa Adedi
: 160
Tez Yöneticisi
: Doç. Dr. Erkan AFACAN
v
ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE FILTER DESIGN
(M.Sc. Thesis)
Hasan Çağlar AKSOY
GAZİ UNIVERSITY
GRADUATE SCHOOL OF NATURAL AND APPLIED SCIENCES
January 2014
ABSTRACT
The goal of this thesis is to investigate electromagnetic interference problems
caused by DC/DC converters, design and application of EMI filter appropriate
for CE102 of MIL-STD-461E and MIL-STD-1275D standards. Noise source
used in the thesis is a military system and noise of the system produced in
interval 10 kHz-10 MHz frequency by conducted emission is researched. For
filtering the noise, the appropriate theoretical and practical design, simulations
were done. The designed EMI filter operating with the system passed
successfully from CE102 test. Also, the appropriate theoretical and practical
design to protect the system from overvoltage signals originating from circuit
breakers or other systems in the platforms, is realized. With the appropriate
design for filtering the noise, the printed circuit board was produced. The
overvoltage protection EMI filter is tested with the system and the EMI filter is
proved compatible with the MIL-STD-1275D.
Science Code : 905.1.034
Key Words : Electromagnetic Interference, Common Mode Noise, Differential
Mode Noise, Transient Signal, Spike, Surge, Electromagnetic
Interference Filter
Page Number: 160
Supervisor : Assoc. Prof. Dr. Erkan AFACAN
vi
TEŞEKKÜR
Tez çalışmamda katkıları için, tez danışmanım Doç. Dr. Erkan AFACAN’a teşekkür
ederim.
Her zaman yanımda olduklarını bildiğim, sevgili eşim Tülay Ekici Aksoy’a ve
aileme teşekkür ederim.
Tez çalışmamda sağladıkları tüm olanaklar için ASELSAN’a teşekkür ederim.
Son olarak; çalışmam süresince göstermiş oldukları yardım ve anlayış için başta Ali
KARAALİ olmak üzere okul ve iş arkadaşlarıma teşekkür ederim.
vii
İÇİNDEKİLER
Sayfa
ÖZET ......................................................................................................................... İV
ABSTRACT ................................................................................................................ V
TEŞEKKÜR ............................................................................................................... Vİ
İÇİNDEKİLER ......................................................................................................... Vİİ
ÇİZELGELERİN LİSTESİ ........................................................................................ Xİ
ŞEKİLLERİN LİSTESİ ............................................................................................ Xİİ
SİMGELER VE KISALTMALAR ......................................................................... XİX
1.
GİRİŞ ................................................................................................................... 1
2.
MIL-STD-1275D STANDARDI KORUMA DEVRESİNİN TASARIMI ......... 4
2.1. MIL-STD-1275D Standart İçeriği ............................................................... 4
2.1.1. Sadece jeneratör modu .................................................................... 6
2.1.2. Normal çalışma modu ..................................................................... 7
2.2. Ani Yükselen ve Dalgalanan İşaretlerden Sistemi Korumak İçin Tasarımda
Kullanılacak Kritik Malzemelerin Tanımları ............................................. 10
2.2.1. Kısa süreli gerilim bastırıcı malzemenin özelliği ve seçimi ......... 10
2.2.2. Denetleyici seçimi ve özellikleri .................................................. 12
2.3. MIL-STD 1275D Standardına Uygun Devre Tasarımı .............................. 14
2.3.1. Ani yükselen işaretten koruma blok tasarımı ............................... 14
viii
Sayfa
2.3.2. Dalgalanan işaretten koruma devre tasarımı ................................. 18
2.4. Tasarımın LTSPICE ile Benzetimi ............................................................ 26
2.4.1. +250V/70µs ani yükselen işaret koruma benzetim sonuçları ....... 26
2.4.2. -250V/70µs ani yükselen işaret koruma benzetim sonuçları ........ 30
2.4.3. Dalgalanan işaret koruma benzetim sonuçları .............................. 32
3.
EMG SÜZGEÇ TASARIMI .............................................................................. 37
3.1. EMG Gürültüsünün Tanımı ....................................................................... 37
3.2. EMG Süzgeç Ve Önemi ............................................................................. 38
3.3. EMG Gürültü Tipleri ................................................................................. 41
3.3.1. Ortak mod EMG gürültüsü ........................................................... 41
3.3.2. Fark mod EMG gürültüsü ............................................................. 42
3.4. EMG Süzgeç Elemanları ............................................................................ 42
3.4.1. Kapasitörler................................................................................... 43
3.4.2. İndüktör......................................................................................... 57
3.4.3. Ortak mod bukağı ......................................................................... 59
3.5. EMG Süzgeç Topolojileri .......................................................................... 73
3.6. EMG Gürültü Zayıflaması ......................................................................... 78
3.6.1. Ortak mod EMG zayıflaması ........................................................ 78
3.6.2. Fark mod EMG zayıflaması .......................................................... 79
3.7. EMG Ölçümleri .......................................................................................... 80
ix
Sayfa
3.7.1. EMG ölçümlerinde kullanılan sistemin güç kartı tanımı .............. 80
3.7.2. MIL-STD-461E standardı ............................................................. 80
3.7.3. CE102 iletkenlik yollu yayınım, güç hatları, 10kHz-10MHz....... 82
3.7.4. CE102, iletkenlik yollu yayınım ölçümleri .................................. 87
3.8. EMG Süzgeç Tasarımı ............................................................................. 105
3.8.1. Gerekli zayıflama hesabı ............................................................ 105
3.8.2. Süzgeç topolojileri ...................................................................... 107
3.8.3. Süzgeç elemanlarının belirlenmesi ............................................. 109
3.8.4. Filpro benzetim programı ........................................................... 114
3.8.5. Tasarlanan EMG süzgecin bilgisayar benzetimleri .................... 117
3.8.6. Tasarlanan EMG süzgeç ............................................................. 132
4.
TASARLANAN DEVRELERİN TEST SONUÇLARI .................................. 136
4.1. Süzgeçleme Sonrası CE102 Gürültü Ölçüm Sonuçları............................ 136
4.2. Tasarımın MIL-STD-1275D’e Uyumluluğunun Test Edilmesi............... 138
4.2.1. MIL-STD-1275D standardı test sonuçları .................................. 139
5.
SONUÇ VE ÖNERİLER ................................................................................. 144
KAYNAKLAR ........................................................................................................ 147
EKLER ..................................................................................................................... 149
EK-1. LT4356 HDE-2 TEKNİK ÖZELLİKLER .................................................... 150
EK-2. KSGB TEKNİK VERİLERİ ......................................................................... 153
x
Sayfa
EK-3. NMOS TEKNİK ÖZELLİKLERİ ................................................................. 155
EK-4. ORTAK MOD KAPASİTÖR VERİLERİ .................................................... 157
EK-5. ORTAK VE FARK MOD KAPASİTÖR VERİLERİ .................................. 157
ÖZGEÇMİŞ ............................................................................................................. 160
xi
ÇİZELGELERİN LİSTESİ
Çizelge
Sayfa
Çizelge 2.1. KSGB’lerin Elektriksel Özellikleri ........................................................ 16
Çizelge 3.1. Direkt besleme kapasitörlerinin AGK değerleri [11] ............................ 54
Çizelge 3.2. Manyetik malzemelerin manyetik özellikleri [17] ................................. 69
Çizelge 3.3. Ferit çekirdeklerin karşılaştırılması [16] ................................................ 71
Çizelge 3.4. MIL-STD-461standardında tanımlı testler ............................................ 82
Çizelge 3.5. Emisyon testleri için ölçüm almacı tarama sıklığı [2] ........................... 87
Çizelge 3.6. Fark mod ve ortak mod kapasitörlerin parazitik eleman değerleri ...... 123
xii
ŞEKİLLERİN LİSTESİ
Şekil
Sayfa
Şekil 2.1 MIL-STD-1275D’de tanımlı ani yükselen işaret örneği [2] ......................... 5
Şekil 2.2 MIL-STD-1275D’de tanımlı dalgalanan işaret örneği [2] ............................ 5
Şekil 2.3. Sadece jeneratör modunda tanımlı ani yükselen test işareti [2] ................... 6
Şekil 2.4. Sadece jeneratör modunda tanımlı +100V/50ms dalgalanan işaret [2] ....... 7
Şekil 2.5. Normal çalışma modunda tanımlı ±250V/70µs ani yükselen işaret [2] ...... 8
Şekil 2.6. Sadece jeneratör modunda tanımlı +40V/50ms dalgalanan işaret [2] ......... 9
Şekil 2.7. Doğru polariteli beslenen KSGB’nin çalışması [3] ................................... 10
Şekil 2.8. KSGB üzerindeki gerilim durumu [3] ....................................................... 11
Şekil 2.9. Ters polariteli beslenen KSGB’nin çalışması [3] ...................................... 11
Şekil 2.10. Tek yönlü KSGB’nin I-V eğrisi [3] ......................................................... 12
Şekil 2.11. Ani Yükselen İşaretin Genlik ve Süre Grafiği [2] ................................... 16
Şekil 2.12. KSGB Tepe Güç Değeri [4] ..................................................................... 17
Şekil 2.13. NMOS SOA Grafiği [5] ........................................................................... 20
Şekil 2.14. Hata periyodu sırasındaki ITMR – (VCC-VOUT) grafiği [6] ........................ 22
Şekil 2.15. Uyarı periyodu sırasındaki ITMR – (VCC-VOUT) grafiği [6] ....................... 23
Şekil 2.16. Teorik olarak hesaplanan tHATA, tUYARI ve tSOĞUMA&VTMR grafiği .......... 26
Şekil 2.17. +250V ani yükselen işaret üretecinin parametreleri ................................ 27
Şekil 2.18. +250V üretecinin 28V’tan 250V’a geçiş süresi (1ms) ............................ 27
Şekil 2.19. +250V üretecinin +250V/70µs göstergesi ............................................... 28
Şekil 2.20. +250V üretecinin 250V’tan 28V’a geçiş süresi (1ms) ............................ 28
Şekil 2.21. +250V ani yükselen işaret uygulandığında ksgb üzerindeki gerilim ....... 29
xiii
Şekil
Sayfa
Şekil 2.22. +250V ani yükselen işaret uygulandığında çıkış gerilimi ....................... 29
Şekil 2.23. -250V/70µs üreteç parametreleri ............................................................. 30
Şekil 2.24. -250V/70µs üretecinin genliği ................................................................. 31
Şekil 2.25. -250V/70µs ani yükselen işaret uygulandığında çıkış gerilimi ............... 31
Şekil 2.26. Dalgalanan işaret üretecinin 28V’tan 100V’a çıkışı ................................ 32
Şekil 2.27. Dalgalanan işaret üretecinin 50ms boyunca 100V üretmesi .................... 33
Şekil 2.28. Dalgalanan işaret üretecinin 100V’tan 28V’a inişi .................................. 33
Şekil 2.29. Dalgalanan işaret üretecinin dalga formu ................................................ 34
Şekil 2.30. Çıkış gerilim çıktısı 1 ............................................................................... 34
Şekil 2.31. Çıkış gerilim çıktısı 2 ............................................................................... 35
Şekil 2.32. Çıkış gerilim çıktısı 3 ............................................................................... 36
Şekil 3.1. EMG gürültü örnekleri [7] ......................................................................... 37
Şekil 3.2. Çift yönlü EMG gürültünün EMG süzgeç ile bastırılması ........................ 38
Şekil 3.3. Yüksek frekansları bastıran aktif süzgeç örneği [8] .................................. 40
Şekil 3.4. Ortak mod EMG gürültüsü [3]................................................................... 41
Şekil 3.5. Fark mod EMG gürültüsü [3] .................................................................... 42
Şekil 3.6. Kapasitörün EMG gürültü süzmesi ............................................................ 43
Şekil 3.7. Kapasitörün parazitik elemanlarla modellenmesi ...................................... 44
Şekil 3.8. İdeal ve gerçek kapasitörün araya girme kaybı karşılaştırması [9]............ 46
Şekil 3.9. Kapasitörün frekans&empedans grafiği [7] ............................................... 47
Şekil 3.10. Kapasitans ile araya girme kaybı arasındaki ilişki [9] ............................. 48
Şekil 3.11. ESR empedans & frekans ilişkisi [9] ....................................................... 49
Şekil 3.12. Yitim oranı (tanδ) [7] ............................................................................... 50
xiv
Şekil
Sayfa
Şekil 3.13. Tek katlı disksel kapasitör [10] ................................................................ 53
Şekil 3.14. Çok katmanlı disksel kapasitör [10] ........................................................ 53
Şekil 3.15. C ve pi devre yapılı direkt beslemeli kapasitör [7] .................................. 55
Şekil 3.16. Direkt besleme kapasitörlerin “iyileştirme” özelliği [11] ........................ 56
Şekil 3.17. Direkt beslemeli kapasitörlerin montajı [11] ........................................... 57
Şekil 3.18. İndüktörün parazitik elemanları ............................................................... 58
Şekil 3.19. İdeal ve gerçek indüktör empedanslarının frekansa bağlı değişimi [7] ... 58
Şekil 3.20. Ortak mod bukağı manyetik akı çizgileri [12] ......................................... 59
Şekil 3.21. İdeal ve gerçek ortak mod bukağı [13] .................................................... 60
Şekil 3.22. Ortak mod bukağının sızıntı indüktörünün ölçümü [14] ......................... 61
Şekil 3.23. Ortak mod bukağı sarım teknikleri [9] .................................................... 62
Şekil 3.24. Manyetik malzemenin kesit alanı ve manyetik yol uzunluğu [15] .......... 63
Şekil 3.25. Sarım sayısının empedansa etkisi [16] ..................................................... 64
Şekil 3.26. Manyetik geçirgenlik parametrelerinin frekansa bağlı değişimi [16] ...... 66
Şekil 3.27. Manyetik alan & empedans eğrisi [16] .................................................... 67
Şekil 3.28. Manyetizasyon eğrisi (histeresiz eğrisi) [17] ........................................... 68
Şekil 3.29. Toz çekirdek kayıpları & manyetik akı yoğunluğu eğrisi [19] ................ 72
Şekil 3.30. Ferit & toz çekirdek karşılaştırması [19] ................................................. 72
Şekil 3.31. Tek elemanlı alçak geçiren süzgeçler [7]................................................. 73
Şekil 3.32. Süzgeç topolojileri AGK (IL) & frekans eğrisi [7] .................................. 74
Şekil 3.33. Kaynak ve yük empedansına göre pasif malzeme kullanımı [7] ............. 75
Şekil 3.34. Farklı kaynak ve yük empedanslar & AGK (IL) eğrisi [7]...................... 76
Şekil 3.35. Basit süzgeçler yerine kullanılabilecek etkin süzgeç tipleri [7]............... 77
xv
Şekil
Sayfa
Şekil 3.36. Süzgeç topolojilerinin teorik AGK formülleri [7] ................................... 78
Şekil 3.37. Ortak mod EMG zayıflaması [3] ............................................................. 79
Şekil 3.38. Fark modu EMG zayıflaması [3] ............................................................. 79
Şekil 3.39. CE102 test grafiği [2]............................................................................... 83
Şekil 3.40. HEDD devre şeması [2] ........................................................................... 84
Şekil 3.41. MIL-STD-461E genel test düzeneği [2] .................................................. 85
Şekil 3.42. CE102 test düzeneği [2] ........................................................................... 86
Şekil 3.43. TILE 4.1 yazılım başlangıç arayüzü ........................................................ 88
Şekil 3.44. TILE “measurement range” sembol ayarları-1 ........................................ 89
Şekil 3.45. TILE “measurement range” sembol ayarları-2 ........................................ 90
Şekil 3.46. TILE “measurement range” sembol ayarları-3 ........................................ 90
Şekil 3.47. TILE “measurement range” sembol ayarları-4 ........................................ 91
Şekil 3.48. TILE “measurement range” sembol ayarları-5 ........................................ 92
Şekil 3.49. TILE “math” sembol ayarları................................................................... 93
Şekil 3.50. Artı hat ortam gürültüsü ........................................................................... 94
Şekil 3.51. Eksi hat ortam gürültüsü .......................................................................... 94
Şekil 3.52. Laboratuar CE102 test düzeneği .............................................................. 95
Şekil 3.53. CE102 artı hat ölçüm sonucu ................................................................... 96
Şekil 3.54. CE102 eksi hat ölçüm sonucu .................................................................. 96
Şekil 3.55. Güç kartındaki çevirici modüllerin gürültüleri ........................................ 97
Şekil 3.56. Ortak mod gürültü ölçüm test düzeneği [12] ........................................... 99
Şekil 3.57. Ortak mod gürültü ölçüm laboratuar test düzeneği................................ 100
Şekil 3.58. Ortak mod akım ölçümü için akım probunun bağlanışı......................... 100
xvi
Şekil
Sayfa
Şekil 3.59. Cihazın dBµA cinsinden ortak mod gürültüsü ...................................... 101
Şekil 3.60. Fark mod gürültü ölçüm test düzeneği [12] ........................................... 102
Şekil 3.61. Fark mod gürültü ölçüm laboratuar test düzeneği ................................. 103
Şekil 3.62. Fark mod akım ölçümü için akım probunun bağlanışı .......................... 103
Şekil 3.63. Cihazın dBµA cinsinden fark mod gürültüsü ........................................ 104
Şekil 3.64. Gereken bastırma eğrisi [7] .................................................................... 106
Şekil 3.65. Ortak mod gürültüyü bastırmak için gerekli zayıflama değerleri .......... 106
Şekil 3.66. Fark mod gürültüyü bastırmak için gerekli zayıflama değerleri ............ 107
Şekil 3.67. Genel EMG süzgeç topolojileri [7] ........................................................ 108
Şekil 3.68. Genel EMG süzgeç topolojisinin fark mod eşdeğer devresi .................. 108
Şekil 3.69. Genel EMG süzgeç topolojisinin ortak mod eşdeğer devresi ................ 109
Şekil 3.70. Ortak mod araya girme kayıp çizelgesi ................................................. 110
Şekil 3.71. Ortak mod eşdeğer devre ....................................................................... 111
Şekil 3.72. Fark mod araya girme kaybı .................................................................. 112
Şekil 3.73. Fark mod eşdeğer devresi ...................................................................... 113
Şekil 3.74. Teorik olarak tasarlanan EMG süzgeç devre şeması ............................. 113
Şekil 3.75. Filpro açılış arayüzü............................................................................... 114
Şekil 3.76. Filpro file sekmesi ................................................................................. 114
Şekil 3.77. Filpro “design” sekmesi ......................................................................... 115
Şekil 3.78. Filpro “terminations” sekmesi ............................................................... 115
Şekil 3.79. Filpro “edit” sekmesi ............................................................................. 116
Şekil 3.80. Filpro “lossless lumped elem.” kutucuk içeriği ..................................... 116
Şekil 3.81. Filpro “lossy lumped elem.” kutucuk içeriği ......................................... 117
xvii
Şekil
Sayfa
Şekil 3.82. Filpro “plot” sekmesi ............................................................................. 117
Şekil 3.83. İndüktör yüksek frekans eşdeğer devre modeli ..................................... 118
Şekil 3.84. Kapasitör yüksek frekans eşdeğer devre modeli .................................... 118
Şekil 3.85. İdeal fark mod eşdeğer devre bilgisayar benzetim modeli .................... 119
Şekil 3.86. İdeal olmayan fark modu eşdeğer devre bilgisayar benzetim modeli.... 120
Şekil 3.87. 50Ω EMG kaynak için ideal fark modu eşdeğer devrenin kesim frekansı
benzetim sonucu .................................................................................... 121
Şekil 3.88. 50Ω EMG kaynak için ideal fark modu eşdeğer devrenin benzetim
sonucu ................................................................................................... 122
Şekil 3.89. 50Ω EMG kaynak için ideal olmayan fark modu eşdeğer devrenin
benzetim sonucu .................................................................................... 123
Şekil 3.90. 0,1Ω EMG kaynak için ideal fark modu eşdeğer devrenin benzetim
sonucu ................................................................................................... 124
Şekil 3.91. 0,1Ω EMG kaynak için ideal olmayan fark modu eşdeğer devrenin
benzetim sonucu .................................................................................... 125
Şekil 3.92. İdeal ortak modu eşdeğer devre bilgisayar benzetimi ........................... 126
Şekil 3.93. İdeal olmayan ortak mod eşdeğer devre bilgisayar benzetimi ............... 127
Şekil 3.94. 50Ω EMG kaynak için ideal ortak mod eşdeğer devrenin kesim frekansı
benzetim sonucu .................................................................................... 127
Şekil 3.95. 50Ω EMG kaynak için ideal ortak mod eşdeğer devrenin benzetim
sonucu ................................................................................................... 128
Şekil 3.96. Ortak mod bukağının empedans & frekans eğrisi [20] .......................... 129
Şekil 3.97. 50Ω EMG kaynak için ideal olmayan ortak mod eşdeğer devrenin
benzetim sonucu .................................................................................... 130
Şekil 3.98. 0,1Ω EMG kaynak için ideal ortak mod eşdeğer devrenin benzetim
sonucu ................................................................................................... 131
Şekil 3.99. 0,1Ω EMG kaynak için ideal olmayan ortak mod eşdeğer devrenin
benzetim sonucu .................................................................................... 132
xviii
Şekil
Sayfa
Şekil 3.100. Tasarlanan ideal EMG süzgeç topolojisi ............................................. 133
Şekil 3.101. Tasarlanan ideal olmayan EMG süzgeç topolojisi............................... 133
Şekil 3.102. “Veeing” metodu [15] .......................................................................... 134
Şekil 3.103. EMG süzgeç serimi [7] ........................................................................ 135
Şekil 4.1. EMG süzgeçleme sonrası ortak mod gürültü ölçüm sonucu ................... 136
Şekil 4.2. EMG süzgeçleme sonrası fark mod gürültü ölçüm sonucu ..................... 137
Şekil 4.3. EMG süzgeçleme sonrası CE102 artı hat sistem gürültüsü ..................... 138
Şekil 4.4. EMG süzgeçleme sonrası CE102 eksi hat sistem gürültüsü .................... 138
Şekil 4.5. MIL-STD-1275D standardı test düzeneği ............................................... 139
Şekil 4.6. MIL-STD-1275D standardında tanımlı ani yükselen işaret (250V/70µs)
süresi ........................................................................................................ 140
Şekil 4.7. MIL-STD-1275D standardında tanımlı ani yükselen işaret (250V/70µS)
genliği ...................................................................................................... 140
Şekil 4.8. 250V/70µs İşareti Uygulandıktan Sonra Çıkış İşareti ............................. 141
Şekil 4.9. MIL-STD-1275D standardında tanımlı dalgalanan işaretin genlik ve
süresi ........................................................................................................ 142
Şekil 4.10. Dalgalanan işaret uygulandıktan sonra çıkış işaret genliği ................... 142
Şekil 4.11. Dalgalanan işaret uygulandıktan sonra çıkış işaretinin süresi .............. 143
xix
SİMGELER VE KISALTMALAR
Bu tezde kullanılmış bazı simgeler ve kısaltmalar açıklamalarıyla birlikte aşağıda
sunulmuştur.
Simgeler
Açıklama
c
Kapasitans değeri
ε
Dielektrik sabiti
l
İndüktans değeri
µ
΄
Manyetik geçirgenlik
µ
Gerçel manyetik geçirgenlik
µ΄΄
Sanal manyetik geçirgenlik
δ
Yitim oranı
q
Kalite faktörü
Kısaltmalar
Açıklama
AA
Alternatif Akım
CE
İletim Yollu Yayınım
CS
İletim Yollu Alınganlık
DA
Doğru Akım
EM
Elektromanyetik
EMG
Elektromanyetik Girişim
EMU
Elektromanyetik Uyumluluk
MnZn
Mangan Çinko Alaşımı
NiZn
Nikel Çinko Alaşımı
SMPS
Anahtarlamalı Güç Kaynağı
STD
Standart
TAC
Test Altındaki Cihaz
1
1.
GİRİŞ
Elektromanyetik
Uyumluluk
(EMU,
Electromagnetic
Compatibility:
EMC),
cihazların veya sistemlerin içinde bulundukları elektronik kartların veya alt
sistemlerin elektromanyetik (EM) ortamlarında, kendileri çok yüksek EM ışınımları
yaratmamak koşuluyla, normal ve tatminkâr çalışmalarını yerine getirebilmeleri,
birbirlerinin çalışma performanslarını etkilemeden uyum içinde yaşayabilmeleridir.
Elektronik aletlerin ve özellikle sayısal sistemlerin hem sivil, hem de askeri
ortamlarda günden güne çoğalması, çalışma frekans sıklıklarının yükselmesi,
elektromanyetik girişimi (EMG, Electromagnetic Interference: EMI) günlük ve iş
yaşantımızda karşımıza çıkarıyor ve EMG/EMU konularını daha önemli kılıyor.
Aynı şehir şebekesinden beslenen elektronik cihazların bir arada bulunduğu bir EM
ortamında, cihazların EMG gürültüleri birbirlerini iletkenlik veya ışıma yoluyla
etkilemektedir. Traş makinasından çıkan motor gürültüsü iletkenlik ve ışıma yoluyla
farklı fiziksel ortamlarda bulunan çamaşır makinasının çalışmasını etkilemekte ve
televizyonun karıncalanmasına neden olmaktadır [1].
Sivil ortamlarda EMU problemleri bu kadar rahatsız edici olabiliyorken, askeri
ortamlarda EMU problemleri can kaybına ve diğer önemli stratejik kayıplara yol
açabiliyor. Can kaybına ve stratejik kayıplara neden olan fark, sistemlerin bulunduğu
EM ortamlarının farklı olmasıdır. Elektronik sistemlerin farklı frekans bantlarında
çalışmaları ve sistemlerin aynı EM ortamdayken, birbirlerinin çalıştıkları frekans
bantlarına yaydıkları EM ışınımları sistemlerde fonksiyonel kayıplara neden
olmaktadır. 1967 yılında Amerika’da bir jet uçağında EMU problemi yaşanmıştır.
Savaş uçakları taşıyan Forrestral gemisi savaş tatbikatı yapmak üzere 25 Haziran
1967'de Yankee istasyonuna gelir. Roket atışları sırasında uçuş güvertesinde etkisiz
halde bulunan F-4 Fantom uçağının roket ateşleme bölümünün ateş almasıyla
güvertedeki 400 galonluk yakıt patlar. 29 Haziran 1967'de meydana gelen kazada
134 ölü, 161 yaralı vardır. Ayrıca 21 savaş uçağı da kullanılamaz hale gelir. Maddi
kayıp 72 milyon dolardır. Yapılan araştırmalar neticesinde uçuş güvertesinde
bulunan uzaktan kontrollü ateşleme ünitesinde bilinmeyen bir nedenden dolayı
kontrol dışı bir ateşleme olduğu belirlenir. Kontrol dışı ateşleme ünitesinin verici
2
antenlerden yayılan ışınımlara maruz kalarak böyle bir ateşlemeye neden olabileceği
belirtilmiştir [1].
Pek çok kayba neden olan EMU problemlerinin çözümü için en iyi yol, problemin
daha ortaya çıkmadan önlenmesidir. Bunun için de, elektrikli ve elektronik
sistemlerin tasarımlarında EM ışınımlarını azaltacak şekilde tasarım önlemlerinin
alınması gerekmektedir. Özellikle sayısal sistemlerin bulunduğu EM alanlarda,
tasarım aşamasında, henüz sistem üretilmeden, elektromanyetik çözümleme ve
benzetim yoluyla önemli bilgiler elde edilebilir. Bu öngörüler sayesinde, zaman
tasarrufu ve maddi tasarruf elde edilebilir. Örneğin, tüm işyerlerinde ve hemen
hemen tüm evlerde bulunan bilgisayarların çalışma sıklıkları her geçen gün
yükselirken bilgisayardaki devreler sadece fonksiyonel olarak çalışmasına bakılarak
tasarlanmamalıdır. Bu nedenle baskı devre kartlarında sadece devre yerleşimi
yapmak yeterli değildir. Çalışma frekans sıklığının yüksekliği nedeniyle, kartların
fonksiyonel olarak doğru çalıştığına ve EMU koşullarını sağladığına emin olmak için
devre tasarımının içine elektromanyetik çözümleme ve benzetimi de katmak şarttır
[1].
Bu tez kapsamında, sistemlerin güç kartlarında kullanılan DA/DA çeviricilerin sebep
olduğu 10kHz-10MHz frekans bandındaki gürültülerinin süzgeçlenmesi, sistemlerin
güç hatlarına bağlaşması
muhtemel yüksek genlikli işaretlerden
sistemin
korunmasına yönelik detaylı tasarım, benzetim ve ölçüm sonuçları anlatılmıştır.
İkinci bölümde, askeri kara cihazlarının 28VDA elektriksel karakteristiğine yönelik
standart olan MIL-STD-1275D standardı ve bu standart kapsamında tanımlı yüksek
genlikli kısa süreli işaretlerden sistemleri korumak için tasarlanan devre anlatılmıştır.
Tehdit işaretlerinden korunmak için tasarlanan devrenin kritik tasarımları, devre
tasarımında kullanılan bazı kritik malzemelerin teknik özellikleri ile benzetim
sonuçlarına yer verilmiştir.
Üçüncü bölümde, MIL-STD-461E/F standardında tanımlı 10kHz-10MHz frekans
bandında sistemin güç hatlarından iletkenlik yollu yayınım gürültülerinin ölçüldüğü
3
CE102 testi, iletkenlik yollu yayınıma neden olan gürültü çeşitleri, bu gürültülerden
diğer sistemlerin zarar görmemesi için tasarlanan devre ve devrede kullanılan
malzemelerin seçimi ile tasarlanan devrenin benzetim sonuçları anlatılmıştır.
Dördüncü bölümde, MIL-STD-1275D ve MIL-STD-461E standardının CE102
testine uygun olarak tasarlanan devrenin test sonuçları paylaşılmıştır.
Beşinci bölümde, tez kapsamında yapılan çalışma ile ilgili genel sonuçlar ve
tartışmalara yer verilmiştir.
4
2.
MIL-STD-1275D STANDARDI KORUMA DEVRESİNİN TASARIMI
2.1. MIL-STD-1275D Standart İçeriği
MIL-STD-1275 standardının ilk revizyonu Temmuz 1966’da çıkarılmıştır. B
revizyonu Kasım 1997’de, C revizyonu Haziran 2006’da son olarak D revizyonu
Ağustos 2006’da çıkarılmıştır. Bu standardın amacı, 28VDA gerilimiyle çalışan askeri
kara araçlarının güç girişlerine yüksek genlikli ve kısa süreli işaretler uygulanarak
sistemlerin dayanıklılığını test etmektedir.
Standartta, sistemlerin nominal güç giriş gerilimlerine göre yüksek genlikli, kısa
süreli
işaretlerin
genel
adı
geçici
(Gİ,“TRANSIENT”)
işaret
olarak
adlandırılmaktadır. Geçici işaretler kendi içinde daha yüksek genlikli ve daha yüksek
sönümlenme süresine sahip olmak üzere ikiye ayrılmaktadır. Yüksek genlikli ve kısa
süreli işaretler ani yükselen (AYİ, “SPIKE”) işaretler, genliği AYİ işaretine göre
daha az fakat sönümlenme süresi daha uzun olan işaretler dalgalanan (Dİ, “SURGE”)
işaretler olarak adlandırılmaktadır.
Ani yükselen işaretler, yüksek genlikli, yüksek frekanslardan oluşan, tepe genlik
süresi genelde 100µs’den az olan ve sönümlenme süresi yaklaşık 1ms olan
işaretlerdir. AYİ’nin ikinci tepe değeri ilk tepe değerine göre oldukça daha az olup
sistem güç girişlerini zorlayamayacak genliktedir [2]. Standartta tanımlı AYİ dalga
formu Şekil 2.1’de verilmiştir.
5
Şekil 2.1 MIL-STD-1275D’de tanımlı ani yükselen işaret örneği [2]
Dalgalanan işaret, ani yükselen işarete göre daha az genlikte olup sistemi tehdit
edebilecek genlik süresi ve işaretin kararlı durum limitine geçiş (sönümlenme) süresi
daha uzundur. Standartta tanımlı dalgalanan işaret dalga formu Şekil 2.2’de
verilmiştir.
Şekil 2.2 MIL-STD-1275D’de tanımlı dalgalanan işaret örneği [2]
6
Standartta, sadece jeneratör modunda ve normal çalışma modunda olmak üzere iki
tip sistem tanımlanmaktadır ve sistemin çalışma moduna göre uygulanan test
işaretleri de farklıdır.
2.1.1. Sadece jeneratör modu
Sadece jeneratör modunda, sistem sadece jeneratörle beslenmektedir. Uygulanan
tehdit işaretlerinin kararlı duruma ulaştığı gerilim aralığı 23VDA-33VDA’dır. Bu
modda çalışan sistemlere uygulanacak olan test işaret grafikleri Şekil 2.3’te ve Şekil
2.4’te verilmiştir.
Şekil 2.3. Sadece jeneratör modunda tanımlı ani yükselen test işareti [2]
Şekil 2.3’te görüldüğü üzere, ±250V/70µs’lik ani yükselen işaretin maksimum enerji
içeriği 15mJ olup artı ve eksi polaritelidir.
7
Şekil 2.4. Sadece jeneratör modunda tanımlı +100V/50ms dalgalanan işaret [2]
Şekil 2.4’te gösterildiği üzere, sadece jeneratör modunda, limit üstü dalgalanan işaret
100V/50ms, limit altı işaret ise 15V/250ms’dir. Dalgalanan işaretin 100V’tan 40V’a
geçiş süresi 250ms’dir.
2.1.2. Normal çalışma modu
Normal
çalışma
modunda,
sistem
hem
jeneratörle
hem
de
bataryayla
beslenebilmektedir. Uygulanan test işaretlerinin kararlı duruma ulaştığı gerilim
aralığı 25VDA-30VDA’dır. Diğer moddan farkı; ani yükselen işaretin sönümlenme
süresi ile dalgalanan işaretin genlik değeridir. Bu modda çalışan sistemlere
uygulanacak olan test işaret grafikleri Şekil 2.5’te ve Şekil 2.6’da verilmiştir.
8
Şekil 2.5. Normal çalışma modunda tanımlı ±250V/70µs ani yükselen işaret [2]
Şekil 2.5’te gösterildiği üzere, ±250V/70µs’lik ani yükselen işaretin maksimum
enerji içeriği 15mJ olup artı ve eksi polaritelidir. İşaretin 1ms sonraki genlik değeri
±40V’tur.
9
Şekil 2.6. Sadece jeneratör modunda tanımlı +40V/50ms dalgalanan işaret [2]
Şekil 2.6’da gösterildiği üzere, normal çalışma modunda, limit üstü dalgalanan işaret
40V/50ms, limit altı tehdit işareti 18V/500ms’dir. Test işaretinin 40V’tan 32V’ta
geçiş süresi 450ms’dir. İşaret 32V genlik değerine düştüğünde bile, işaret genliği
kararlı durum gerilim limitinin (25VDA-30VDA) içinde olmadığından hala sistemler
için tehdit unsuru olabilmektedir.
MIL-STD-1275D standardına göre testten geçme kriteri; sistem girişine uygulanan
ani yükselen veya dalgalanan işaretlerden, sistemin zarar görmemesi veya sistemin
çalışma performansında herhangi bir azalma meydana gelmemesidir. Eğer sistemde
bu işaretlerden korunmak için ek bir elektronik kartın olması istenmiyorsa,
sistemdeki diğer elektronik kartlardaki malzemelerin güç ve gerilim değerleri bu
işaretlere göre yüksek seçilmek zorundadır. Bu çözüm, malzemenin boyutunu ve
maliyetini ciddi derecede artırmaktadır ve tasarım için uygun malzeme temin etmede
sorunlar yaratabilmektedir. Dolayısıyla, malzeme boyutlarından, maliyetten ve
malzeme temininde sorunlar yaşanmamak isteniyorsa, önce bu yüksek genliği
sistemin çalışabileceği belli bir genlik seviyesine indirmek gerekmektedir. Ani
10
yükselen ve dalgalanan işaretlerden sistemi korumak için kullanılacak kritik
malzemelerin tanımları bir sonraki bölümde anlatılmıştır.
2.2. Ani Yükselen ve Dalgalanan İşaretlerden Sistemi Korumak İçin
Tasarımda Kullanılacak Kritik Malzemelerin Tanımları
2.2.1. Kısa süreli gerilim bastırıcı malzemenin özelliği ve seçimi
Ani yükselen işaret genliklerini zararsız genlik seviyesine indirgemek için kullanılan
malzeme “Kısa Süreli Gerilim Bastırıcı” (KSGB, Transient Voltage Suppressor
(TVS)) malzemesidir. KSGB, bir zener diyot olup yarı iletken bir malzemedir.
KSGB, doğru polariteli beslendiğinde, üzerindeki gerilim belli bir değere ulaştığında
iletime geçen ve yüksek gerilimli kısa süreli işaretlerin gerilimlerini belli bir süre,
belli bir gerilim değerine kırpan yarı iletken bir malzemedir. Şekil 2.7’de görüldüğü
üzere; KSGB doğru polariteli ani yükselen işaret ile beslendiğinde, yani katot ucu
(+), anot ucu (–) yük ile yüklendiğinde, KSGB düşük empedans göstererek iletime
geçer, akım katot ucundan anoda doğru akmaya başlar ve üzerinde sabit bir gerilim
oluşturur.
Şekil 2.7. Doğru polariteli beslenen KSGB’nin çalışması [3]
11
Şekil 2.8’de görüldüğü üzere, KSGB girişine uygulanan ani yükselen işaretin genliği,
belli bir gerilim değerine indirgenir. Böylece KSGB, sistemi ani yükselen tehdit
işaretlerinden korumuş olur.
Şekil 2.8. KSGB üzerindeki gerilim durumu [3]
Şekil 2.9’da görüldüğü üzere KSGB, ters polariteli beslendiğinde yani katot ucu (–),
anot ucu (+) yük ile yüklendiğinde ise diyot gibi davranır. Bu tip bir beslemede,
KSGB düşük empedans göstererek iletime geçer ve akım anot ucundan katoda doğru
akmaya başlar. Üzerinde diyot gibi düşük gerilim indüklenir ve gerilim sabit kalır.
Şekil 2.9. Ters polariteli beslenen KSGB’nin çalışması [3]
Şekil 2.10’da KSGB malzemesinin seçiminde kullanılan parametreler görülmektedir.
Bu parametrelerin anlamları şunlardır: VRWM; KSGB’nin iletime geçmeden doğru
polarite ile beslendiğinde malzemenin bozunma geriliminden önce sürekli üzerinde
12
tutabileceği maksimum gerilim değeridir. VBR (Bozunma Gerilimi); KSGB doğru
polariteli beslendiğinde (üzerinden IT kadar akım geçerken), iletime gireceği ve
üzerinde oluşan gerilimi kırpmaya başladığı gerilim değeridir. IR; KSGB doğru
polariteli beslendiğinde malzemenin bozunma geriliminden önce dayanabileceği
maksimum sürekli gerilim değerine ulaştığında KSGB’den sızan maksimum ters
sızıntı akımıdır. IPP; KSGB doğru polariteli beslendiğinde üzerinden geçebilecek
maksimum akım değeridir. VC; KSGB doğru polariteli beslendiğinde ve üzerinden
IPP akımı geçerken ani yükselen işaretleri kırpabileceği maksimum gerilim değeridir.
Şekil 2.10. Tek yönlü KSGB’nin I-V eğrisi [3]
KSGB’nin akım-gerilim grafiğinde, parametrelerin yerleşimi görülmektedir. Sistem
girişine gelen yüksek gerilimli ve kısa süreli işaretler, tek yönlü KSGB bozunma
gerilimini geçtiğinde, malzemenin üzerinden akan akımla doğru orantılı olarak, giriş
işaret genliğini VBR ile VC arasında bir gerilim değerine belli bir süre sabitlemektedir.
2.2.2. Denetleyici seçimi ve özellikleri
Ani yükselen işaretlere oranla daha fazla enerjiye sahip olan dalgalanan işaretlerin
genlikleri KSGB malzemesiyle kırpılamamaktadır. Bu nedenle dalgalanan işaretler
13
seçilen bir denetleyicinin yarı iletken bir malzemeyi anahtarlamasıyla istenen gerilim
değerine kırpılacaktır.
Yüksek genlik ve enerji değerine sahip işaretlerin sistemlere zarar vermesini
engelemek üzere kullanılan denetleyici “Linear Technology” firmasının “LT4356
HDE-2” üretici parça numaralı denetleyicisidir. Denetleyici, denetleyiciye harici
olarak bağlanan mosfetin, kapı (Gate) ucunu kontrol ederek dalgalanan işaret
genliğini kırpmaktadır. Seçilen denetleyici, geniş bir gerilim ve sıcaklık çalışma
aralığına (Gerilim Aralığı: 4V-80V ve Sıcaklık Aralığı: -40oC-125oC) ve
ayarlanabilir çıkış gerilimine sahiptir. Genelde otomotiv ve aviyonik uygulamaların
yüksek genlikli işaretlerden korunmak üzere kullanılmaktadır. Denetleyicinin içinde
akım-gerilim yükselteçleri, dâhili akım pompası, yedek gerilim yükselteci, işlevsel
yükselteçler
(Operational
Amplifier,
op-amp)
ve
mantıksal
denetleyici
bulunmaktadır (EK-1 LT4356 HDE-2 Teknik Özellikler).
Denetleyicinin çalışma prensibi
Denetleyici, harici olarak bağlanan mosfeti sürerek sistemi yüksek genlikli
dalgalanan işaretlerden koruyan bir regülatördür. Normal çalışma durumunda,
denetleyici içindeki dâhili akım pompası, n-kanal mosfeti çok düşük güç kaybıyla
sürmektedir. Harici bağlanan mosfet, lineer bölgede çalışır durumda iken çok düşük
gerilim düşümleriyle gücü sisteme aktarmaktadır. Giriş gerilimi yüksek genlikteyken
yani, istenen çıkış geriliminden daha büyük genlikteyken gerilim yükselteci (VA)
akım pompasının mosfetin kapı ucuna akım basmasını kontrol etmekte ve FB pin
gerilimini
1,25V
referans
gerilimiyle
karşılaştırarak
OUT
pin
gerilimini
ayarlamaktadır.
ITMR akım kaynağı, TMR pinine bağlı kapasitörleri doldurmaktadır. Yüksek giriş
gerilim durumunda TMR pin gerilimi 0,5V-1,35V arasında değişmektedir. TMR pin
gerilimi 0,5V’tan 1,25V’a arttığında FLT pini, yüksek gerilim uyarısını bildirmek
için düşük empedans göstermektedir. Bu sırada MOSFET, TMR pin gerilimi 1,35V’a
ulaşana kadar lineer bölgede çalışmaya ve sisteme güç aktarmaya devam etmektedir.
14
TMR pin gerilimi 1,35V’a ulaştığında GATE pini düşük empedans göstererek
MOSFET’i kapatmaktadır. Yüksek giriş gerilim durumu kaybolmaya başladığında
TMR pin gerilimi de 1,35V’tan 0,5V’a kadar azalmaya başlamaktadır. TMR pin
gerilimi 0,5V’a ulaştığında ise GATE pin gerilimi tekrar yükselmeye başlar. FLT
pini yüksek empedans gösterir ve MOSFET sisteme güç aktarmaya devam eder.
TMR pin geriliminin 0,5V’tan 1,25V’a arttığı süre “Başlangıç Hata Süresi”,
1,25V’tan 1,35V’a arttığı süre “Uyarı Süresi” ve 0,5V’tan 1,35V’a çıktığı toplam
süre ise “Toplam Hata Süresi” olarak isimlendirilmiştir. Bu isimlendirmeler ileri
bölümlerdeki teorik hesaplamalar için kullanılacaktır. Toplam Hata Süresi,
MOSFET’in VDS gerilimiyle değişmektedir. VDS gerilimi, giriş gerilimiyle istenen
kırpma gerilimi arasındaki farktır. VDS gerilimi ne kadar fazla ise toplam hata süresi
o kadar kısa olur. Anlaşıldığı üzere MOSFET anahtarlama olarak kullanılacak ve
MOSFET üzerinde yüksek giriş gerilim durumu boyunca, giriş gerilimi ile çıkış
gerilimi arasındaki potansiyel fark kalacaktır. MOSFET seçiminde bu özellik dikkate
alınmalıdır. Bu özellik, MOSFET’in “Güvenli Çalışma Alanı” (Safe Operating Area,
SOA) grafiğinde görülebilmektedir.
2.3. MIL-STD 1275D Standardına Uygun Devre Tasarımı
2.3.1. Ani yükselen işaretten koruma blok tasarımı
Standartta tanımlı ±250V/70µs değerlerine sahip ani yükselen işaretin sisteme kalıcı
zarar vermemesi için işaretin, tasarım girişinde sistemin çalışabileceği gerilim
aralığına kırpılması gerekmektedir. KSGB malzemeleri tasarım girişinde artı ve eksi
polariteli olmak üzere bulunacaktır. KSGB malzemeleri, ONSEMICONDUCTOR
firmasından 1.5SMC39AT3G ve 1.5SMC51AT3G üretici parça numaralı malzemeler
seçilmiştir. Seçilen malzemelerin özellikleri şu şekildedir:
15
1.5SMC39AT3G özellikleri
Yüksek genlikli işaretlere karşı yüksek hassasiyeti olan, yüksek gerilime 1ns’nin
altında hızlı karşılık verebilen, yani kısa sürede yüksek genlikli işareti kırpabilen ve
sistemde sızıntı işaret oluşmasını engelleyen bir malzemedir. Dayanabileceği azami
güç miktarı, 250C’de 1ms boyunca 1500W’tır. Bozunma gerilim değeri (VBR), KSGB
üzerinden 1mA geçerken minimum 37,1V, nominal 39V ve azami 41V’tur. Kırpma
gerilim değeri (VC), KSGB üzerinden 28A geçerken, ani yükselen işaretin genliğini
53,1V’a kırpmaktadır. KSGB üzerinde, yaklaşık 33,3V’luk ters gerilim değeri
oluştuğunda ise maksimum 5μA’lik sızıntı akımı oluşturmaktadır (EK-2 KSGB
Teknik Verileri).
1.5SMC51AT3G özellikleri
Yüksek gerilime karşı yüksek hassasiyetli ve yüksek gerilime hızlı karşılık verebilen
(<1ns) bir malzemedir. Dayanabileceği azami güç değeri, 250C’de 1ms boyunca
maksimum 1500W’tır. Bozunma Gerilim Değeri (VBR), KSGB üzerinden 1mA
geçerken minimum 48,5V, nominal 51V ve azami 53,6V’tur. Kırpma Gerilim Değeri
(VC), KSGB üzerindeki gerilim, azami bozunma gerilim değerinin üzerinde
olduğunda ve üzerinden 2,4A geçtiğinde, ani yükselen işaret genliğini 70,1V’a
kırpmaktadır (EK-2 KSGB Teknik Verileri).
KSGB’lerin özelliklerinden görüldüğü üzere kullanılacak olan KSGB’ler yüksek
güce dayanabilir özellikli seçilmiştir. Bunun nedeni; sistem ani yükselen işaretlere
maruz kaldığında, KSGB’ler üzerinde yüksek gücün oluşmasıdır. KSGB üzerinde
oluşacak güç hesabı şu şekildedir:
E = P x Δt (1 joule=1Watt x Saniye)
(2.1)
Standartta tanımlı ani yükselen işaretin enerjisi 15mJ olup genliği ±250V ve
sönümlenme süresi 70µs’dir. Dolayısıyla standart gereği sistem güç hatlarına
uygulanacak güç değeri:
16
15mJ = P x 70µs  P = 214,285W
(2.2)
Akım değeri ise;
I = P/V = 214,285 / 250 = 857,142mA
(2.3)
Şekil 2.11’de gösterilen ani yükselen işaretin özellikleri göz önüne alınarak Şekil
2.12’verilen KSGB’lere ait Tepe Güç Değeri&Darbe Genişliği grafiği kullanılmıştır.
Bu tablodan KSGB’lerin, 70µs boyunca 5,6kW güce dayanabildiği görülmektedir.
Ani yükselen işaret güç hatlarına uygulandığında, KSGB üzerinde 214,285W güç
harcanacağından ve üzerinden 857,142mA akım geçeceğinden, seçilen KSGB’ler
akım ve güç gereksinimlerini rahatlıkla karşılamaktadırlar.
Çizelge 2.1. KSGB’lerin Elektriksel Özellikleri
Malzeme
VRWM
(V)
1.5SMC39AT3G
1.5SMC51AT3G
33,3
43,6
IR @
VRWM
(μA)
5
5
Bozunma Gerilimi
VBR (V)
Min
Nom
Max
37,1
39
41
48,5
51
53,6
Şekil 2.11. Ani Yükselen İşaretin Genlik ve Süre Grafiği [2]
@ IT
mA
1
1
VC @ IPP
VC
IPP
V
A
53,1
28
70,1
21,4
17
Şekil 2.12. KSGB Tepe Güç Değeri [4]
KSGB üzerinde fazla elektriksel stres oluşmaması için ve biraz da güvenlik payı
bırakılarak iki adet 1.5SMC51AT3G üretici parça numaralı malzeme seri olarak,
katot ucu giriş geriliminin (+) ucuna gelecek şekilde güç hattına diferansiyel olarak
bağlanmıştır. 1.5SMC39AT3G üretici parça numaralı KSGB’ den ise bir adet
kullanılmıştır. Bu KSGB, sisteme -250V’luk ani yükselen işaret geldiğinde
kırpacaktır. Malzemenin katot ucu giriş geriliminin (-) ucuna gelecek şekilde güç
hattına diferansiyel olarak bağlanmıştır. Bu KSGB kullanılmadığı takdirde
denetleyicinin VCC pini maksimum -60V’a dayandığından denetleyici zarar görebilir.
KSGB’ lerin bu dizilişiyle, sistem güç girişine +250V/70µs işareti geldiğinde,
1.5SMC51AT3G malzemeleri nominalde 51V+51V=102V, 1.5SMC39AT3G ise
normal diyot gibi davranacak ve üzerinde 3,5V gerilim tutacaktır. Ani yükselen
pozitif işaret güç hatlarına uygulandığında toplamda KSGB’ler üzerinde 70µs
boyunca yaklaşık 105,5V’luk bir gerilim kalacaktır. Sistem güç girişine -250V/70µs
işareti geldiğinde, 1.5SMC51AT3G malzemeleri normal diyot gibi davranacak ve
üzerinde 3,5V+3,5V=7V tutacaktır. 1.5SMC39AT3G ise Zener diyot gibi davranacak
ve üzerinde -39V gerilim tutacaktır. Ani yükselen negatif işaret güç hatlarına
18
uygulandığında, toplamda KSGB’ler üzerinde yaklaşık -46V’luk gerilim kalacaktır.
Bu gerilim denetleyici girişine zarar vermeyecek seviyededir.
2.3.2. Dalgalanan işaretten koruma devre tasarımı
Bu bölümde denetleyicinin kritik çevresel elemanlarının nasıl belirlendiği
anlatılmıştır. Yüksek giriş gerilimi durumunda, FB pin gerilimi asgari 1,215V,
nominal 1,25V ve azami 1,275V olacaktır. FB pinine bağlanan gerilim bölücü
dirençler ile çıkış gerilimi 40V-45V gerilim aralığında olacak şekilde ayarlanacaktır.
Seçilen gerilim bölücü dirençlerin ±%1 toleransa sahip olduğu düşünülürse, FB
pinine bağlanacak dirençler şu şekilde hesaplanmaktadır:
1,275V
1,01R 2 0,99 R1
0,99 R1
1,215V
0,99 R 2 1,01R1
1,01R1
45V
40V
(2.4)
(2.5)
Yukarıdaki eşitsizliklerden R1 direnci 5,76kΩ ve R2 direnci 191kΩ olarak
hesaplanmıştır. Sisteme yüksek giriş gerilimi geldiğinde tasarımın asgari ve azami
çıkış gerilim değerleri şu şekilde hesaplanmaktadır:
Asgari çıkış gerilimi hesabı
Asgari çıkış gerilimi için FB pininden akan akımın asgari olması gerekmektedir. Bu
nedenle Eş.2.5 kullanılmıştır ve asgari çıkış gerilimi 40,706V olarak hesaplanmıştır.
Azami çıkış gerilimi hesabı
Azami çıkış gerilimi için FB pininden akan akımın azami olması gerekmektedir. Bu
nedenle Eş.2.4 kullanılarak azami çıkış gerilimi 44,407V olarak hesaplanmıştır.
Dalgalanan işareti kırpma işlevi, ana giriş hattı üzerinde konumlandırılacak olan
MOSFET ile gerçekleştirilecektir. Sistem tehdit işaretlerine maruz kaldığında,
19
MOSFET lineer çalışma bölgesinde çalışmaya devam edecek ve denetleyici
giriş/çıkış gerilimlerini algılayarak giriş gerilimini kırpacaktır. Giriş gerilimi ile
kırpılmış çıkış gerilimi arasındaki potansiyel farkı, tehdit işaret süresi boyunca
MOSFET üzerinde kalacaktır. MOSFET olarak, düşük RDS(ON) direncinden dolayı NKanal MOSFET’in (NMOS) kullanılması uygun bulunmuştur. Kırpma işlevinde
kullanılacak olan NMOS, VISHAY firmasının SUM65N20-30 üretici parça numaralı
ürünü olup, 200V gerilime ve azami 30mΩ RDS(ON) direncine sahiptir [EK-3 NMOS
Teknik Özellikleri]. Düşük RDS(ON) direnci seçilmesinin nedeni, sistem normal
çalışma durumunda, NMOS üzerinde gerilim düşümünün az olması ve sistemin
düşük giriş gerilimlerinde çalışabilmesidir.
NMOS, üzerinde tuttuğu gerilim değeriyle (VDS) ters orantılı olarak üzerinden akım
geçirir. Örneğin; NMOS belli bir süre üzerinde 30V gerilim tutarken 10A akım
geçirebiliyorken,
üzerinde
50V
tutarken
10A’den
daha
düşük
akım
geçirebilmektedir. Bu gerilim-akım grafiği, NMOS’un “Güvenli Çalışma Bölgesi”
(Safe Operating Area-SOA) grafiğinde belirtilmektedir. Sistem güç girişleri
dalgalanan işarete maruz kaldığında, NMOS’un “Boşaltım (Drain)-Kaynak (Source)”
uçları arasında (VDS), işaret süresi boyunca azami 60V potansiyel fark oluşur. Şekil
2.13’te görüldüğü üzere NMOS üzerinde 60V gerilim tutarken ve ortam sıcaklığı
250C iken, üzerinden 10ms boyunca maksimum 16A, 100ms boyunca 7A akım
geçirebilmektedir. İşaretin süresi 50ms olduğundan NMOS, 7A ile 16A arasında
akım geçirebilmektedir. Tek NMOS kullanılırsa, sistemin çektiği azami akım değeri
7A’i geçmemelidir.
20
Şekil 2.13. NMOS SOA Grafiği [5]
NMOS üzerinde fazla elektriksel stres oluşmaması ve normal çalışma durumunda
NMOS üzerinde fazla gerilim düşümü yaratmaması için iki adet NMOS paralel
bağlanarak kullanılmıştır. Sistem güç girişleri dalgalanan işarete maruz kaldığında ve
sistem 14A akım çektiğinde, NMOS en fazla ısınacaktır. Bu durumda bir NMOS
üzerinden 7A geçmekte ve 50ms boyunca NMOS’ta harcanan maksimum güç
miktarı şu şekilde hesaplanmaktadır:
P
I 2R
7 2 (30 10 3 ) 1,47W
TJ = Eklem Sıcaklığı
PD = NMOS’ta harcanan güç miktarı
RthJA = Eklem Ortam Direnci
(2.6)
21
TA = Ortam Sıcaklığı
TJM = Maksimum Eklem Sıcaklığı
TJ
TJ
PD RthJA TA
1,47W 400 C
(2.7)
TJM
W
(2.8)
TA 1750 C
Eş. 2.8’de görüldüğü üzere ortam sıcaklığı 116,20C’den daha düşük olduğu sürece bu
NMOS’un kullanılmasında herhangi bir sakınca yoktur.
NMOS’un kırpma ve soğuma sürelerinin belirlenmesi
Yüksek giriş gerilimi durumunda, TMR pin geriliminin 0,5V’tan 1,25V’a yükseldiği
süre “Başlangıç Hata Süresi” olarak isimlendirilir ve tHATA ile ifade edilir. NMOS,
TMR pin gerilimi 1,35V’a ulaşana kadar lineer bölgede çalışmaya devam eder. TMR
pin gerilimi 1,35V iken, GATE pini düşük empedans göstererek NMOS’u kapatır.
TMR pin geriliminin 1,25V’tan 1,35V’a yükseldiği süre “Uyarı Süresi” olarak
tanımlanmış olup tUYARI olarak gösterilmiştir. “Başlangıç Hata Süresi” ve “Uyarı
Süresi” “Toplam Hata Süresi” olarak isimlendirilmiş olup tTHATA ile ifade edilmiştir.
Bu süre, yüksek genlikli giriş geriliminin süresini göstermektedir. Yüksek giriş
gerilimi durumu kaybolmaya başladığında ise TMR pin gerilimi 0,5V’a düşmektedir.
TMR pin geriliminin 1,35V’tan 0,5V’a düştüğü süre “Soğuma Süresi” olarak
isimlendirilmiş olup tSOĞUMA ile ifade edilmiştir. Bu soğuma süresi NMOS’un kapalı
kalma süresini göstermektedir. TMR pinine bağlanan kapasitörler ile NMOS’un açık
(kırpma) ve kapalı kalma (soğuma) süreleri ayarlanmaktadır.
Şekil 2.4, 100V genlik değerine sahip işaretin 100V’tan 40V’a düşüş süresini
göstermektedir.
Dalgalanan
işaret
durumunda,
sistem
40V-45V
arasında
çalışacağından dolayı NMOS’un minimum 250 ms boyunca lineer bölgede çalışmaya
devam etmesi gerekmektedir. Dolayısıyla tTHATA değeri 250ms’den yüksek olmalıdır.
Hata ve uyarı süreleri Eş. 2.9’daki formülle hesaplanmaktadır.
t HATA,UYARI ( s)
CTMR
VTMR / I TMR
(2.9)
22
Kırpılmış çıkış gerilimi 40V-45V arasında değişeceğinden dolayı 55V-60V arasında
değişen gerilim NMOS’lar üzerinde kalacaktır. Şekil 2.16’da görüldüğü üzere hata
süresi boyunca ITMR değeri, 55V gerilim değeri için 34µA, 60V için 37µA’dir. Bu
sürelerin ortalama değerleri hesaplanacağından ve akım değerleri birbirine yakın
olduğundan akım değeri 34µA olarak seçilmiştir. Teorik tasarımda kullanılan
grafikler EK-1’de de verilmiştir.
Şekil 2.14. Hata periyodu sırasındaki ITMR – (VCC-VOUT) grafiği [6]
Dalgalanan işaret durumunda uyarı süresi boyunca, TMR pinine akan akımın NMOS
üzerindeki potansiyel farkla çok fazla değişmediğinden yaklaşık 5,5µA akım bu pine
akacaktır. Bu akım değeri Şekil 2.15’te görülmektedir.
23
Şekil 2.15. Uyarı periyodu sırasındaki ITMR – (VCC-VOUT) grafiği [6]
Dalgalanan işaret durumu boyunca giriş geriliminin istenen gerilim aralığına
kırpılabilmesi için toplam hata süresinin 250ms’den uzun olması gerekmektedir. Eş.
2.9 kullanılarak elde edilen CTMR değerinin asgari 6,212µF seçilmesi gerekmektedir.
Güvenlik payı da bırakılarak CTMR kapasitans değeri 7µF seçilmiştir. 7µF değerinde
kapasitör bulunamadığından bu değer çeşitli değerlerdeki kapasitörler paralellenerek
elde edilmiştir (4,7µF, 2,2µF ve 100nF). Bu kapasitörlerin ve ITMR akımının
toleransları hesaba katılarak tHATA ve tUYARI sürelerinin asgari ve azami değerleri
hesaplanmıştır.
Asgari tHATA süresinin hesaplanması
TMR pinine bağlanan toplam kapasitans miktarı 7µF’dir. Kapasitörlerin -10%
toleranslarıyla toplam kapasitans miktarı 6,3µF olmaktadır. Asgari tHATA süresi
hesaplandığından ITMR akımı azami değeri Şekil 2.16’dan 37µA alınmıştır. Normal
çalışma durumunda 0,5V olan TMR pin gerilimi 0,48V-0,52V arasında
24
değişmektedir. Hata durumunda, nominal 1,25V olan TMR pin gerilimi ise 1,22V1,28V arasında değişmektedir. Bu değerler asgari hata süresinin hesaplanması için
0,52V ve 1,22V olarak alınmıştır. Eş. 2.9 kullanılarak, asgari tHATA süresi 119,189ms
olarak hesaplanmıştır.
Azami tHATA süresinin hesaplanması
Kapasitörlerin +10% toleranslarıyla toplam kapasitans miktarı 7,7µF olmaktadır.
Azami tHATA süresi hesaplandığından ITMR akımının azami değeri olan 34µA
alınmıştır. TMR pin gerilimleri azami hata süresinin hesaplanması için 0,48V ve
1,28V olarak alınmıştır. Eş. 2.9 kullanılarak, azami tHATA süresi 181,176ms olarak
hesaplanmıştır.
Hesaplamalardan görüldüğü üzere teorik olarak hata süresi (tHATA), TMR
kapasitörlerine ve ITMR akımına bağlı olarak 119,189ms-181,176ms aralığında
değişmektedir.
Asgari tUYARI süresinin hesaplanması
Uyarı durumunda TMR pin gerilimi 80mV-120mV arasında değişmektedir.
Kapasitörleri dolduracak sabit akım değeri 5,5µA’dir. Asgari uyarı süresinin
hesaplanması için TMR kapasitörlerinin toleransları -10% ve TMR pin gerilimi
80mV olarak alınmıştır. Eş. 2.9 kullanılarak asgari uyarı süresi 91,63ms olarak
hesaplanmıştır.
Azami tUYARI süresinin hesaplanması
Azami uyarı süresinin hesaplanması için TMR kapasitörlerinin toleransları +10% ve
TMR pin gerilimi 120mV olarak alınmıştır. Eş. 2.9 kullanılarak azami uyarı süresi
168ms olarak hesaplanmıştır. Hesaplamalardan görüldüğü üzere teorik olarak uyarı
süresi (tUYARI), TMR kapasitörlerine ve ITMR akımına bağlı olarak 91,63ms-168ms
aralığında değişmektedir. Toplam hata süresi (tHATA + tUYARI) teorik olarak 210,819
25
ms-349,176 ms aralığında değişmektedir. Nominal değerler hesaplandığından toplam
hata süresinin 250ms’nin üzerinde olduğu görülmektedir. Yani sistem güç girişlerine
dalgalanan işaret uygulandığında, çıkış gerilimi bu süre aralığı boyunca 40V-45V
gerilim aralığına kırpılacaktır.
Dalgalanan işaret süresi, teorik olarak hesaplanan tTHATA süresinden daha uzun
olduğunda, TMR pin gerilimi 1,35V’tan 0,5V’a düşer. Böylece NMOS’lar kapanır
ve soğuma sürecine girer. Bu soğuma süresi Eş. 2.10 ile hesaplanmaktadır.
t SOGUMA( s) CTMR
VTMR / ITMR
(2.10)
Asgari tSOĞUMA süresinin hesaplanması
NMOS soğuma sürecine girdiğinde TMR kapasitörleri 1,5µA-2,7µA aralığındaki
akımla doldurulacaktır. TMR pin gerilimi 830mV-870mV aralığında değişmektedir.
Asgari soğuma süresinin hesaplanması için ITMR değeri 2,7µA, kapasitörlerin
toleransları -10% ve TMR pin gerilimi 830mV olarak alınmıştır. Eşitlik 2.10
kullanılarak, asgari soğuma süresi 1936,66 ms olarak hesaplanmıştır.
Azami tSOĞUMA süresinin hesaplanması
Azami soğuma süresinin hesaplanması için TMR pin gerilimi 870mV, ITMR değeri
1,5µA ve TMR kapasitörlerin toleransları +10% alınmıştır. Eş. 2.10 kullanılarak
azami soğuma süresi 4466ms olarak hesaplanmıştır. Teorik olarak hesaplanan tHATA,
tUYARI ve tSOĞUMA süreleri Şekil 2.16’da gösterilmiştir.
26
Şekil 2.16. Teorik olarak hesaplanan tHATA, tUYARI ve tSOĞUMA&VTMR grafiği
2.4. Tasarımın LTSPICE ile Benzetimi
Teorik olarak tasarlanan ani yükselen ve dalgalanan işaretlerden sistemi koruma
devrelerinin benzetimi, LTSPICE IV benzetim programında doğrulanmıştır. Tasarım,
28VDA gerilim ile çalışan ve azami 1A akım çeken sisteme göre tasarlandığından,
LTSPICE programında tasarımın çıkışına 1A akım çekmek için 28Ω değerinde yük
bağlanmıştır.
2.4.1. +250V/70µs ani yükselen işaret koruma benzetim sonuçları
Sistem güç girişlerine +250V’luk ani yükselen işaret uygulandığında tasarım
tepkisinin benzetim sonuçları aşağıda verilmiştir. Benzetim programında PWL
komutuyla ani yükselen işaretin benzetimi yapılmıştır. PWL(0, 28, 0,001, 250,
0,00107, 250, 0,00207, 28) parametresiyle, t1=0 anında 28V, t2=1ms’de 250V
(28V’tan 250V’a geçiş süresi 1ms), t3=0,00107s’de 250V (70µs boyunca 250V),
t4=0,00207s’de 28V (250V’tan 28V’a geçiş süresi 1ms) veren ani yükselen işaret
üretilmiştir. Girilen parametreler Şekil 2.17’de verilmiştir.
27
Şekil 2.17. +250V ani yükselen işaret üretecinin parametreleri
Şekil 2.18’de standartta tanımlı 28V’tan 250V’a geçiş süresi olan 1ms
görülmektedir.
Şekil 2.18. +250V üretecinin 28V’tan 250V’a geçiş süresi (1ms)
28
Şekil 2.19. +250V üretecinin +250V/70µs göstergesi
Güç kaynağının, standartta tanımlı SPIKE işareti gibi 70µs boyunca 250V gerilim
ürettiği Şekil 2.19’daki benzetimden görülmektedir.
Şekil 2.20. +250V üretecinin 250V’tan 28V’a geçiş süresi (1ms)
29
Güç kaynağının standartta tanımlı olan +250V’tan 28V’a düşüş süresi (1ms) Şekil
2.20’de gösterilmiştir.
Şekil 2.21. +250V ani yükselen işaret uygulandığında KSGB üzerindeki gerilim
Şekil 2.21’de, sistem girişine +250V/70µs işareti uygulandığında, girişteki KSGB
bloğu sayesinde giriş gerilimi 70µs boyunca 108,109V’a düştüğü görülmektedir. Bu
değer teorik olarak hesaplanan (105,5V) değere oldukça yakındır.
Şekil 2.22. +250V ani yükselen işaret uygulandığında çıkış gerilimi
30
Şekil 2.22’de görülen benzetim çıktısında, yeşil renk ile gösterilen dalga formu
+250V’luk işareti, mavi renkle gösterilen dalga formu ise kırpılmış çıkış işaret dalga
formunu göstermektedir. Çıkış geriliminin 70µs boyunca 43,063V olduğu benzetim
çıktısından görülmektedir. Bu değer teorik olarak hesaplanan 40,706V-44,407V
aralığının içindedir.
2.4.2. -250V/70µs ani yükselen işaret koruma benzetim sonuçları
Benzetim programında -250V/70µs işaret üretecinin parametreleri (PWL(0, 28,
0,001, -250, 0,00107, -250, 0,00207, 28)) standarda uygun olarak girildiği Şekil
2.23’te görülmektedir.
Şekil 2.23. -250V/70µs üreteç parametreleri
-250V üreten güç kaynağının 70µs boyunca -250V verdiği Şekil 2.24’te
gösterilmiştir.
31
Şekil 2.24. -250V/70µs üretecinin genliği
-250V/70µs SPIKE işaret üretecinin dalga formu (yeşil renk) ve tasarımın çıkış
gerilimi (mavi renk) Şekil 2.25’te verilmiştir. Bu işaret sistem güç girişlerine
uygulandığında elde edilen çıkış işaretinin yaklaşık -3V olduğu ve bu değerin teorik
olarak hesaplanan değere yakın olduğu görülmektedir.
Şekil 2.25. -250V/70µs ani yükselen işaret uygulandığında çıkış gerilimi
32
2.4.3. Dalgalanan işaret koruma benzetim sonuçları
Standartta tanımlı, 50ms boyunca 100V genliğe sahip işaret, sistem güç hatlarına
uygulandığında tasarımın vereceği tepkinin benzetim sonuçları aşağıda verilmiştir.
Standarda uygun işaret üretecinin parametreleri PWL(0, 28, 0,001, 100, 0,051, 100,
0,052, 28) olarak girilmiştir.
Şekil 2.26. Dalgalanan işaret üretecinin 28V’tan 100V’a çıkışı
Şekil 2.26’daki grafikten güç kaynağının t1=0sn anında 28V olduğu ve t2=1ms
anında 100V’a çıktığı görülmektedir.
33
Şekil 2.27. Dalgalanan işaret üretecinin 50ms boyunca 100V üretmesi
Şekil 2.27’de güç kaynağının t1=1ms anında 100V, t2=51ms anında 100V olduğu
böylece güç kaynağının 50ms boyunca 100V genliğindeki dalgalanan işareti ürettiği
görülmektedir.
Şekil 2.28. Dalgalanan işaret üretecinin 100V’tan 28V’a inişi
34
Şekil 2.28’de güç kaynak genliğinin t1=51ms anında 100V ve t2=52ms anında 28V
olduğu görülmektedir.
Şekil 2.29. Dalgalanan işaret üretecinin dalga formu
Şekil 2.29’da sistemin güç hatlarına uygulanacak olan dalgalanan işaret üretecinin
genliği ve dalga formu görülmektedir. Bu dalga formu standartla uyumludur.
Şekil 2.30. Çıkış gerilim çıktısı 1
35
Şekil 2.30’da kırmızı halka ile gösterilen değer, yüksek giriş gerilim durumunda,
giriş gerilimiyle kırpılması istenen çıkış geriliminin kesiştiği son noktadır. Bu son
kesişim noktasının altında, çıkış gerilimi giriş gerilimiyle doğru orantılı olarak
artmaktadır. Çünkü denetleyicinin OUT pini tarafından herhangi bir yüksek giriş
gerilim uyarısı algılanmamıştır. Giriş gerilimi, FB pinine bağlı gerilim bölücü
dirençler ile ayarlanan çıkış gerilimi eşik değerinin üzerine çıktığı anda
kırpılmaktadır. Bu değer, benzetim sonucunda yaklaşık 43V olup, hesaplanan teorik
değere uygundur.
Şekil 2.31. Çıkış gerilim çıktısı 2
Şekil 2.31’de, t1=1ms’den başlayarak 50ms boyunca giriş gerilimi (yeşil renk) 100V
iken çıkış geriliminin (mavi renk) yaklaşık 43V’a kırpıldığı görülmektedir. Çıkış
gerilimi, yüksek giriş gerilimi hata uyarısı bitene kadar yani 50ms boyunca yaklaşık
43V’ta sabit kalmıştır. Böylece sistem 100V/50ms dalgalanan işaretten korunmuş
olur.
36
Şekil 2.32. Çıkış gerilim çıktısı 3
Giriş gerilimi 43V’un altına düşene kadar denetleyici yüksek giriş gerilimi hata
uyarısı yapmaktadır ve çıkış gerilimi 43V’ta sabit kalmaktadır. Şekil 2.32’de, giriş
gerilimi çıkış gerilimiyle aynı değerde olduğu andan itibaren yani kırmızı halka ile
gösterilen kesişim noktasından sonra çıkış gerilimi de giriş gerilimi gibi düştüğü
görülmektedir. Çıkış geriliminin giriş gerilimine oranla daha yavaş düşmesinin
nedeni, sistem güç kartlarının girişindeki enerji depolayan yüksek değerli
kapasitörlerden kaynaklıdır. Kapasitörler dolduktan sonra ise çıkış gerilimi giriş
gerilimi gibi 28V’ta sabit kalacaktır.
37
3.
EMG SÜZGEÇ TASARIMI
Bu bölümde EMG gürültünün nedenleri, bu gürültüden sistemleri korumak için
kullanılan EMG süzgeç, süzgecin önemli elektronik malzemeleri, süzgeç tasarımı ve
tasarımın benzetim sonuçları yer almaktadır.
3.1. EMG Gürültüsünün Tanımı
EMG gürültüleri, elektronik devrelerde kullanılan doğrusal olmayan ve ana frekansın
yanında harmonik frekanslarda da gürültü üreten malzemelerden kaynaklanan
(karıştırıcılar, diyot, mosfet, opamp vb. elemanlar) akım ve gerilim kaynaklı
gürültülerdir. Bu gürültüler, EMG gürültülerine maruz kalan alıcı cihazların
beslendiği kaynakta gerilim dalgalanmaları, faz kaymaları, AA (alternatif akım, AC)
gerilimlerde ve taşıyıcı işaretlerde frekans değişimleri, işaret dalga formunda
bozulmalar, besleme gerilimi üzerinde anlık yüksek genlikli işaretler ve besleme
gerilimi üzerine sürekli olarak gürültünün binmesi gibi gürültülerdir. Şekil 3.1’de
örnek EMG gürültüleri görülmektedir.
Şekil 3.1. EMG gürültü örnekleri [7]
38
3.2. EMG Süzgeç Ve Önemi
EMG süzgeçler, güç devrelerinin iletim yoluyla güç hatlarına bulaştırdığı belirli
frekanslardaki elektromanyetik girişim gürültülerini, ortak güç hatlarına bulaşmadan
bastırma özelliğine sahip süzgeçlerdir. Aynı zamanda diğer sistemlerin ortak güç
hatlarına iletim yoluyla bulaştırmış oldukları EMG gürültülerinin kendi sistemlerinin
güç hatlarına bulaşmaması ve sisteme zarar vermemesi için kullanılan pasif
süzgeçlerdir. EMG süzgecin çift yönlü etkisi Şekil 3.2’de görülmektedir.
Şekil 3.2. Çift yönlü EMG gürültünün EMG süzgeç ile bastırılması
EMG süzgeç tasarımında kullanılan malzemeler, EMG akımlarına ve gerilimlerine
karşı seri veya paralel olarak kullanılmakta ve gürültülere karşı düşük/yüksek
empedans göstererek gürültüyü bastırmaktadırlar. Süzgeç tasarımında kullanılan
pasif malzemeler, yüksek frekanslarda (300MHz ve yukarı frekanslarda), ideal
davranışlarından uzaklaşmakta ve ideal özelliklerini kaybetmelerinden dolayı
kullanılamamaktadırlar.
39
EMG süzgeçler genelde pasif elemanlardan (indüktör, kapasitör, direnç vb.) oluşur.
İndüktör ve kapasitör farklı frekanslarda farklı davranmaktadır. Kapasitör, alçak
frekanslarda yüksek empedans (açık devre), yüksek frekanslarda düşük empedans
göstermektedir. İndüktör, alçak frekanslarda düşük empedans, yüksek frekanslarda
yüksek empedans (açık devre) göstermektedir. Bu pasif malzemelerden çeşitli
kombinasyonlarda kullanılarak, EMG gürültüler süzgeç tarafından istenilen
frekanslarda geçirilebilir veya bastırılabilir.
Bir sistemden alınmak istenen işarete farklı bir işaret karışıyorsa gürültüsüz, saf bir
işaret elde etmek için gürültünün bütünüyle süzülmesi gerekmektedir. Bu süzme
işleminin ideal olması gerekmektedir. Fakat yüksek frekanslarda pasif malzemelerin
istenilen özellikleri yitirmesinden dolayı yani, indüktörün belli bir frekanstan sonra
(rezonans frekansı) tamamen indüktör gibi davranmaması veya kapasitörün rezonans
frekansından sonra tamamen kapasitör gibi davranmamasından dolayı süzme işlemi,
ideal olmamaktadır. Pasif malzemelerin rezonansa girmesinin nedeni malzemelerin
parazitik elemanlara sahip olmasıdır. Bu parazitik elemanlar ne kadar etkinse,
malzemeler o kadar erken frekanslarda rezonansa girerler ve ideal özelliklerini
kaybederler.
Pasif malzemeler süzgeçleme işlevini yaptıktan sonra elde edilen saf işaret, beklenen
işaretten büyüklük ve faz bakımından aynı olmayabilir. Bu tür süzgeçlemede önemli
olan işaretin dalga formunun değişmemesidir.
EMG gürültüler pasif süzgeçlerin dışında aktif süzgeçlerle de süzülebilmektedir.
Aktif süzgeçler, opamp gibi tümleşik devrelerin yanında pasif elemanlardan oluşan
(indüktör hariç) ve istenen frekanslarda süzgeçleme yapan devrelerdir. Aktif
süzgeçlerde indüktörün kullanılmamasının nedeni, tümdevre üretim teknolojisinden
kaynaklanan sınırlamalardır.
Aktif süzgeç devrelerinin çıkış empedansı çok düşük, giriş empedansları ise çok
yüksektir. Bu nedenle aktif süzgeç devrelerinin girişlerine ve çıkışlarına bağlanacak
40
herhangi bir yükün (güç devreleri, kontrol devreleri vb.) süzgeç elemanlarından
etkilenmesi söz konusu değildir.
Aktif süzgeçlerin pasif süzgeçlerden en önemli dezavantajı, besleme gerilimine
ihtiyaç duyması ve opampların band genişliklerinin sınırlı olmasından dolayı her
frekansta aktif süzgeç tasarlamanın oldukça zor olmasıdır.
Şekil 3.3’te, düşük frekansları geçiren yüksek frekansları süzgeçleyen (alçak geçiren
süzgeç) yani belirli bir köşe frekansının altındaki frekansları geçiren üstündeki
frekansları bastıran aktif süzgeç örneği görülmektedir.
Şekil 3.3. Yüksek frekansları bastıran aktif süzgeç örneği [8]
EMG Süzgecin gürültü bastırma etkinliği (araya girme kaybı (AGK), Insertion Loss
(IL)), süzgeçte kullanılan malzeme sayısına, EMG gürültü tipine ve frekansına,
gürültü kaynağının ve gürültüden etkilenen sistemin giriş empedansına, gürültüden
etkilenen sistemin çektiği güç miktarına ve süzgeç topolojisine bağlıdır.
EMG Süzgecin fiziksel büyüklüğü, EMG gürültü miktarına, frekansına ve gürültüden
etkilenen sistemin çektiği güç miktarına bağlıdır.
41
3.3. EMG Gürültü Tipleri
Bir sistemin, güç hatlarına iletkenlik yoluyla yaydığı veya güç hatlarından iletkenlik
yoluyla sistemin güç hatlarına bağlaşan EMG gürültüsü, düşük frekansları geçiren
yüksek frekansları süzen süzgeçler kullanılarak (alçak geçiren süzgeç) bastırılır.
EMG gürültüsü ortak mod ve fark modu olmak üzere iki türden iletkenlik yoluyla
yayılmaktadır.
3.3.1. Ortak mod EMG gürültüsü
Ortak mod gürültüler, EMG üreten kaynağın artı ve eksi güç hatlarından aynı yönde
akan ve sistem şasesine referanslı gürültülerdir. Ortak mod gürültüleri bastırmak
oldukça zordur. Şekil 3.4’te görüldüğü üzere, EMG kaynağından iletim yoluyla
yayılan artı (Hat 1) ve eksi (Hat 2) güç hat gürültüleri (IOM), EMG alıcı cihazının
toprağa bağlandığı empedans üzerinden toprağa akar (2IOM) ve EMG kaynağına geri
döner. Bu gürültü EMG alıcı cihaz içindeki ortak mod ve fark mod bağlanmış
elektronik elemanlara ve işaretlere zarar verebilmektedir. Dolayısıyla gürültü EMG
alıcı cihazın içine ulaşmadan EMG kaynak çıkışına ve/veya EMG alıcı cihaz girişine
bağlanacak ortak mod pasif malzemeler ile ortak mod gürültü süzülebilmektedir.
Şekil 3.4. Ortak mod EMG gürültüsü [3]
42
3.3.2. Fark mod EMG gürültüsü
Fark mod gürültü, EMG üreten kaynağın artı ve eksi güç hatlarında zıt yönde akan
gürültülerdir. Şekil 3.5’te görüldüğü üzere, EMG Kaynağından iletim yoluyla
yayılan artı (Hat 1) ve eksi (Hat 2) güç hat gürültüleri (IFM), EMG alıcı cihazının
dönüş hattından kaynağına geri döner. Bu gürültü EMG alıcı cihaz içindeki tüm ortak
mod ve fark mod olarak bağlanmış elektronik elemanlara ve işaretlere zarar verebilir.
Dolayısıyla EMG kaynak çıkışına ve/veya EMG alıcı cihaz girişine bağlanacak ortak
ve/veya fark mod pasif malzemeler ile fark mod gürültü süzülebilmektedir.
Şekil 3.5. Fark mod EMG gürültüsü [3]
3.4. EMG Süzgeç Elemanları
EMG Süzgeçler, doğrusal olmayan yarı iletken malzemelerin geniş bantta ürettiği
ortak mod ve fark mod gürültüleri indüktör, kapasitör ve manyetik malzemeler
kullanılarak bastırmaktadır.
Süzgeç tasarımında dikkat edilmesi gereken en önemli unsur süzgeç malzemelerinin
seçimidir. Malzemeler seçilirken EMG alıcı cihazın çektiği akım (nominal ve anlık
akım değeri), beslendiği gerilim, giriş empedansı, gürültünün genlik ve frekans
değerleri göz önüne alınmalıdır. Bu bölümde EMG Süzgeç tasarımında kullanılan
malzemelere ilişkin bilgiler verilmiştir.
43
3.4.1. Kapasitörler
EMG Süzgeç tasarımında kullanılan düşük frekanslarda açık devre, yüksek
frekanslarda kısa devre özelliği gösteren temel pasif eleman kapasitördür. Şekil
3.6’da görüldüğü üzere, EMG gürültü üretecinden iletim yoluyla yayılan EMG
gürültüsü, kapasitörün belli frekanslarda düşük empedans göstermesiyle gürültüyü
yüke aktarmadan kaynağına geri döndürür. Kapasitörün düşük empedans gösteren
frekans bandının dışındaki gürültü frekans bileşenleri ise kaynağına gönderilemeden
yüke akmaktadır.
Şekil 3.6. Kapasitörün EMG gürültü süzmesi
İdeal kapasitör, tüm frekanslardaki gürültüleri rezonansa girmeden süzebilmektedir.
Elektronik dünyasında ideal kapasitör üretimi oldukça zordur. Bu nedenle
kapasitörler, kapasitans miktarlarına bağlı olarak mikrodalga ve daha üst frekans
bantlarında kullanıldığında ideal davranışlarından uzaklaşırlar. Frekans arttıkça
kapasitörlerin parazitik etkileri artmaktadır. Bu nedenle rezonans frekansından sonra
kapasitörler kapasitör özelliğini yitirmeye başlar ve indüktör gibi davranırlar. Bunun
nedeni kapasitörlerin üretimden dolayı parazitik elemanlara sahip olmasıdır. Pasif
44
malzemelerin
parazitik
etkilerinden
dolayı
ideal
bir
EMG
Süzgeç
tasarlanamamaktadır. Şekil 3.7’de kapasitörlerin parazitik elemanları görülmektedir.
Şekil 3.7. Kapasitörün parazitik elemanlarla modellenmesi
Kapasitör parametreleri
Tasarımda kullanılan kapasitörlerin seçiminde dikkat edilmesi gereken parametreler
aşağıda verilmiştir.
Dieletrik yutma (dielectric absortion)
Kapasitör bir kere şarj edildikten sonra bir miktar enerji, deşarjdan sonra bile
kapasitörün dielektriğine nufüz etmiş durumda kalır. Kapasitörün uçları birkaç
saniyeliğine dahi kısa devre edilse bile bu enerji dielektrikte kalır. Bu olaya
dielektrik yutma veya gerilim tutulması denir. Kapasitörün bu enerjiyi depolaması,
seri bağlanmış direnç (RDY) ve kapasitör (CDY) parametreleri ile modellenmiştir.
Yalıtım direnci (insulation resistance)
Kapasitör elektrotlarına gerilim uygulandığında elektrotlar arasında akım yani sızıntı
akımı her zaman gözlenir. Kapasitörün dielektrik özelliğini kaybetmesi sonucu
yalıtım direnci azalır, kapasitör üzerinden devamlı akım geçer ve sürekli düşük
empedans gösterir. Yalıtım direnci (IR), kapasitörün elektrotlarına DA gerilim
45
uygulanarak üzerinden geçen akımın ölçülmesiyle hesaplanmaktadır. Gerilimin
akıma oranı yalıtım direncini verir. Sağlam bir kapasitör MΩ mertebesinde yalıtım
direncine sahiptir. Bazı analog uygulamalarda (entegratörler, örnekle-tut devreleri)
yalıtım direnci önem taşır. Genel olarak kapasitörün dielektrik değeri ne kadar
düşükse yalıtım direnci o kadar yüksektir. EMG Süzgeç tasarımında IR değerinin
yüksek olması tercih edilir.
ESR (eşdeğer seri direnci, equivalent series resistance)
Kapasitörün dielektriğinde meydana gelen kayıplar, elektrot ve terminasyon direncini
temsil eder. Kapasitörün gürültüyü bastırmasında ikinci önemli parametredir. Düşük
olması her zaman tercih edilir. Böylece kapasitör üzerinde fazla gerilim düşümü
olmamaktadır.
ESL (eşdeğer seri indüktans, equivalent series inductance)
Kapasitörün terminasyon ve elektrotundaki indüktif dirençtir. Kapasitörün gürültüyü
bastırmasındaki en önemli etkendir. Her zaman bu değerin düşük olması tercih edilir.
Kapasitörü rezonansa sokan ana etken ESL değeridir.
Şekil 3.8’de görüldüğü üzere, kapasitörler parazitik elemanlara sahip olmasaydı
gürültüyü bastırma miktarları frekansla doğru orantılı olarak artacaktı ve tek bir
kapasitör ile bütün EMG gürültüleri süzülebilirdi. Fakat parazitik elemanlarından
dolayı bu mümkün olmamaktadır. Kapasitörün rezonans frekansı, kapasitör (C) ile
kapasitörün indüktif (L, ESL) empedanslarının toplamının sıfır olduğu frekanstır ve
Eş.3.1 ile gösterilmektedir.
f
1
(3.1)
2
LC
46
Şekil 3.8. İdeal ve gerçek kapasitörün araya girme kaybı karşılaştırması [9]
Şekil 3.9’da görüldüğü üzere, rezonans frekansında kapasitörler sıfır empedans
gösterdiklerinden tüm gürültü bu empedans üzerinden sistem şasesine akacaktır.
Dolayısıyla kapasitörler, rezonans frekansında maksimum gürültü bastırmasına
sahiptirler. Kapasitörün ESL değeri ne kadar küçükse kapasitör o kadar yüksek
frekansta rezonansa girecek ve rezonans frekansına kadar artan bir araya girme
kaybına sahip olacaktır.
EMG kaynağının ve EMG alıcı cihaz giriş empedanslarının 50Ω olduğu düşünülürse
ideal bir kapasitörün araya girme kaybı (AGK, Insertion Loss, IL) Eş.3.2’deki ile
hesaplanmaktadır [7].
AGK
20 log 1
50 fC
2
(3.2)
47
Şekil 3.9. Kapasitörün frekans&empedans grafiği [7]
Şekil 3.10’da görüldüğü üzere, kapasitans miktarı ne kadar yüksekse araya girme
kaybı o kadar yüksek olur ve gürültü genliği daha fazla süzülür. Gerçek
kapasitörlerde ise kapasitans miktarı arttıkça araya girme kaybı artar. Fakat
kapasitans miktarı büyüdükçe gerçek kapasitörler daha erken frekanslarda rezonansa
girer ve yüksek frekanslarda yüksek empedans gösterdiğinden dolayı istenen gürültü
bastırmasını sağlayamaz.
48
Şekil 3.10. Kapasitans ile araya girme kaybı arasındaki ilişki [9]
Şekil 3.10’da görüldüğü üzere, büyük kapasitans miktarına sahip kapasitörler
rezonans ferkansına kadar daha yüksek AGK değerine sahiptirler. Fakat daha erken
frekanslarda rezonansa girerler.
EMG Süzgeç tasarımında kullanılacak kapasitörlerin ESR direncinin de düşük
olması istenir. ESR empedansı ne kadar yüksek olursa kapasitör o kadar yüksek
empedans gösterir ve akım gürültülerine karşı düşük empedans gösteremeyerek
gürültüyü tamamen şaseye veya dönüş hattına aktaramaz ve gürültünün bir kısmı
EMG alıcı cihaza bağlaşır. Şekil 3.11’de, aynı kapasitans değerlerine sahip
kapasitörlerin, ideal ve ESR direncine bağlı olarak gürültüye karşı gösterdikleri
empedans görülmektedir. ESR direnci ne kadar düşük olursa aynı kapasitans
değerindeki kapasitörün araya girme kaybı o kadar yüksek olur. Ayrıca kapasitör
üzerinde harcanacak güç tüketimi de o kadar az olur.
49
Şekil 3.11. ESR empedans & frekans ilişkisi [9]
Yitim oranı (tanδ)
Yitim oranı (tanδ), kapasitörün ESR direncinin kapasitif empedansına oranı olarak
tanımlanmış olup AA uygulamalarında önem taşıyan bir faktördür. Yitim oranı Şekil
3.12’de görüldüğü üzere,
δ = RS/XC  tan(δ) = tan(RS/XC)
(3.3)
ile gösterilir. Yitim oranı ağırlıklı olarak ESR’dan kaynaklanır. ESR direnci,
kapasitörlerin hat dirençlerinden, sızıntı akımından ve dielektrik kayıplardan
kaynaklanır. RS ve XC frekansa bağlı olduğundan yitim oranı da frekansa bağlıdır.
Kapasitörün yitim oranı ne kadar düşük olursa kapasitör o kadar verimli olur.
50
Şekil 3.12. Yitim oranı (tanδ) [7]
Kalite faktörü (q)
Kapasitörün kapasitif empedansının ESR direncine oranı olarak tanımlanır ve yitim
oranının tersidir. Yitim oranının tersine kalite faktörünün yüksek olması kapasitörün
ideale yakın çalışması anlamına gelmektedir.
Güç faktörü (power factor, PF)
ESR direncinin kapasitörün toplam empedansına oranı olarak tanımlanır ve yüzde ile
gösterilir.
PF
( RS / Z ) 100
(3.4)
Kapasitör empedansı (Z)
Kapasitörün parazitik elemanları dâhil toplam empedansıdır. Kapasitörün parazitik
elemanları dâhil toplam formülasyonu Eş. 3.5’te gösterilmiştir.
LS  ESL indüktans değeri,
ω0 = Rezonans frekans değeri
51
2
S
Z
Z
Z
R
1
C
LS
1
RS
1
0
2
(3.5)
;
2
1
C
LS
2
1
ln
ln
ln
Z
Z0
Z
Z0
Z
Z0
LS C
LS
C
1
RS
ln
0
ln
1
RS
ln
0
0,
LS C
0
ln
0
0
1
RS
LS C
1
LS C
LS
,
C
LS
,
C
0
2
1
RS
LS
C
0
;
0
;
0
;
.
Yukarıdaki formüllerden görüldüğü üzere kapasitörlerin rezonans frekansında
(ω=ω0) reaktans değeri sıfıra yakındır. Kapasitör rezonans frekansında sadece ESR
direncine sahip olup gürültüyü en çok bu frekansta bastırmaktadır.
Sıcaklık Katsayısı (part per million (ppm) /K)
Kapasitörlerin sıcaklık katsayısı olarak ppm/K birimi kullanılmaktadır. Örneğin;
1ppm/K sıcaklık katsayısı 10–6 ‘dır. 1K sıcaklıkta kapasitans değeri % 10–4
değişmektedir. Bazı kapasitör firmaları ppm/C birimini de kullanmaktadır. Bu
birimin anlamı ise; 1ppm/C sıcaklık katsayısına sahip bir malzemenin kapasitans
değerinin milyonda bir değişmesidir.
Gerilim Katsayısı
Uygulanan gerilime bağlı olarak kapasitördeki kapasitans değişimidir.
52
Dielektrik Dayanım Gerilimi (dieletric withstand voltage)
Kapasitörlerin dielektrik malzemelerinin bozulmadan ns veya µs’ler mertebelerinde
darbe şeklinde uygulanan azami gerilim değeridir.
Dielektrik Sabiti (K)
Dielektrik materyalinin depolanan elektrostatik yüke oranı olarak tanımlanır. Yüksek
K değerli kapasitörler piezoelektriğe karşı daha duyarlı olmaktadır.
Kapasitör çeşitleri
Kapasitörler elektrot yapılarına göre düzgün yüzey ve gözenekli olmak üzere ikiye
ayrılır. Düzgün yüzey elektrotlu kapasitörler, yaprak (foil) ve ince ya da kalın film
malzemeli kapasitörlerdir. Dielektrik malzemesi olarak seramik, polimer film ve
diğer (cam, mika, kağıt vb.) dielektrikleri kullanılmaktadır.
Gözenek elektrotlu kapasitörler ise; elektrot görevi gören metal ya da iletken yapıya
tantal veya niobyum tozu emdirilerek oluşturulur. Alüminyum veya tantalyum
elektrotlar aşındırılarak, kapasitans düşük voltaj kapasitörleri için 80-100 kat, yüksek
voltaj kapasitörleri için 30-40 kat artırılır.
Disksel (Discoidal) Kapasitör
Disksel kapasitörler, disk şeklinde olduğundan bu ismi almıştır. AA ve DA
uygulamalarında kullanılabilen, düşük ESL ve ESR değerli, yüksek frekans
empedansı çok düşük (dolayısıyla yüksek frekanslarda gürültüyü daha çok
bastırmakta), IR>100GΩ, C≥50pF için tan(δ)<15*10-4 değerlerine sahip düzgün
yüzey elektrotlu kapasitörlerdir. Tek ve çok katlı diskoidal kapasitörler Şekil 3.13’te
ve Şekil 3.14’te verilmiştir.
53
Şekil 3.13. Tek katlı disksel kapasitör [10]
Tek ve çok katlı disksel kapasitörlerin kapasitans değerleri, iç ve dış çapına,
dielektrik sabitine ve dielektrik kalınlığına bağlıdır.
Şekil 3.14. Çok katmanlı disksel kapasitör [10]
54
Direkt beslemeli kapasitör
Direkt beslemeli yapıda olan düzgün yüzey elektrotlu tübüler kapasitördür. Gürültü
bastırma amacıyla kullanılan kapasitörlerin, gürültüyü en kısa yoldan gerçek toprağa
aktarmaları gerekmektedir. Devre seriminde, kapasitörler ile gerçek toprak
arasındaki akım yolları ne kadar kısa olursa ve geniş olursa akım yolunun empedansı
o kadar küçük olur ve gürültü kısa yoldan toprağa aktarılmış olur. Direkt beslemeli
kapasitörler Şekil 3.17’de görüldüğü üzere metal plakaya yani gerçek toprağa monte
edilmiştir. Böylece gürültünün minimum empedans görmesi sağlanmıştır. Direkt
beslemeli kapasitörlerin ESL ve ESR değerleri çok küçük olduğundan gürültü
bastırma etkinlikleri GHz frekansına kadar sürmektedir. EPCOS firmasının 0,1µF,
0,5µF ve 1µF değerlerindeki kapasitörlerinin 50Ω’luk sistemdeki araya girme kayıp
değerleri Çizelge 3.1’de verilmiştir.
Çizelge 3.1. Direkt besleme kapasitörlerinin AGK değerleri [11]
C (µF)
10kHz
100kHz
1MHz
10MHz
100MHz
1GHz
0.1
0
5
20
40
60
>70
0.5
2
15
35
40
80
>90
1
5
5
45
50
85
>90
Yüksek iletkenlik katsayısına sahip dielektrik malzemeli kapasitörler piezoelektriğe
karşı daha duyarlı olmaktadırlar ve yalıtım dirençleri daha fazladır. Yani şoka,
vibrasyona karşı daha duyarlıdır. Direkt besleme kapasitörlerin iletkenlik katsayıları
daha düşük olduğundan piezoelektriğe karşı duyarlı değildirler.
Şekil 3.15’te görüldüğü üzere direkt besleme kapasitörlerinin C ve Pi devre yapılı
olmak üzere iki tipi vardır. Diğer kapasitörlerden en önemli farkı, gürültüyü süzmek
için iletim hattına seri olarak bağlanmasıdır. Sistemin çektiği tüm akım bu kapasitör
üzerinden de geçmektedir. Dolayısıyla bu tip kapasitör seçiminde sistemin çektiği
akım değeri de göz önüne alınmalıdır.
55
Şekil 3.15. C ve pi devre yapılı direkt beslemeli kapasitör [7]
En iyi plastik film, seramik vb. gibi dielektriklerle üretilmiş kapasitörlerde bile
elektron boşlukları vardır. Kapasitörlere, asgari kullanılabileceğinden daha yüksek
gerilim uygulandığında, elektronlar bu boşluklarda ilerleyerek dielektriklerin zarar
görmesine neden olmaktadır. Dolayısıyla kapasitör kullanılamaz hale gelmektedir.
Fakat direkt beslemeli kapasitörler, metalle kaplanmış film malzemesinden
yapılmıştır. Bu yüzden dielektrik yüzeyinde elektron boşlukları oluşmamaktadır.
Dolayısıyla yüksek gerilim uygulandığında elektronların hareket edeceği boşluklar
mevcut olmamaktadır.
56
Şekil 3.16. Direkt besleme kapasitörlerin “iyileştirme” özelliği [11]
Kapasitörün iyileştirme özelliği, 10-8 saniyelik elektriksel kırılmayla başlar. Şekil
3.16’da görüldüğü üzere, kırılma kanalında dielektrik malzeme yüksek basınçlı
plazmaya dönüşür. Plazma kanalın dışına çıkar ve dielektrik katmanlarının her birine
ayrı ayrı basınç uygular. Plazmanın yayılmasıyla yüksek gerilim elektronları
dielektriğe zarar vermeden metal üzerinden boşalır. Plazmada yaklaşık 6000K’lik bir
sıcaklık oluşur. Kapasitörün bu iyileştirme tekniği birkaç µs zaman alır. Kapasitörün
daha yüksek gerilimlere (yüksek genlikli, kısa süreli (ns)) maruz kaldığında zarar
görmemesi, filmin üzerindeki metalin kalınlığına bağlıdır.
Metalize kapasitörlerin metalize olmayan kapasitörlere göre dezavantajları; yitim
oranının ve ESR değerinin yüksek olmasıdır. Dolayısıyla üzerindeki gerilim düşümü
daha fazladır. Ayrıca yalıtım direnci ve maksimum akım sınırlaması ise daha
düşüktür. Avantajları ise; yüksek gerilimli kısa süreli işaretlere karşı daha dayanıklı
ve hacimsel olarak daha küçük olmasıdır. Ayrıca aynı kapasitans değerli diğer
kapasitörlere göre fiyatı daha düşüktür.
57
Şekil 3.17. Direkt beslemeli kapasitörlerin montajı [11]
Şekil 3.17’de direk beslemeli kapasitörün metal plakaya monte edilmiş hali
görülmektedir. Metal plaka sistemin gerçek toprağına bağlıdır. Bu yüzden gürültü en
kısa yoldan en düşük empedansla gerçek toprağa akmaktadır. Kapasitörün dielektrik
malzemesi olarak metalize propilen, film vb. malzemeler kullanılmaktadır.
3.4.2. İndüktör
İndüktör, kapasitör gibi yüksek frekanslarda parazitik elemanlardan dolayı sınırlı
gürültü bastırma özelliğine sahiptir. İndüktörlerin en önemli parazitik elemanı, Şekil
3.18’de görüldüğü üzere indüktör sarımları arasındaki sarım kapasitanslarıdır (C). Bu
kapasitans, indüktörü ideal durumdan uzaklaştıran temel elemandır. Sarımlar arası
kapasitans ne kadar düşük olursa, indüktörün rezonans frekansı o kadar yüksek olur
ve indüktör rezonans frekansına kadar gürültüyü süzme özelliği gösterir. İndüktör
azami empedans değerini rezonans frekansında gösterir. İndüktörün diğer parazitik
elemanı ise, indüktör sarımlarının DC direncidir (R).
58
L
R
C
Şekil 3.18. İndüktörün parazitik elemanları
Şekil 3.19. İdeal ve gerçek indüktör empedanslarının frekansa bağlı değişimi [7]
Şekil 3.19’da, ideal ve gerçek indüktörün frekansa bağlı empedans grafiği
görülmektedir. İdeal ve gerçek indüktörün empedansları arasında fark olmasının
temel nedeni, indüktörün içyapısından kaynaklı parazitik elemanlardır. İndüktör
reaktansının direncine oranı kalite faktörü (Q) olarak tanımlanır. Kalite faktörü ne
kadar yüksekse indüktörün süzme işlevi o kadar yüksektir. İndüktör süper iletken ile
sarılmışsa kalite faktörü sonsuzdur ve indüktör kayıpsızdır. Düşük frekanslarda
indüktörün kalite faktörü çok iyidir. Çünkü düşük frekanslarda indüktörün sadece
DC direnci mevcuttur ve bu direnç de düşüktür. Fakat frekans yükseldikçe deri
etkisinden ve sarımlar arası kapasitansların artmasından dolayı kalite faktörü düşer.
İndüktörün Q faktörünü artırmak, indüktör iletkeninin çapına, sarımlar arası uzaklığa
59
bağlıdır. İletkenin çapı ne kadar büyük olursa iletkenin DA ve AA dirençleri düşük
olur. Sarımların birbirinden uzak tutulması da sarımlar arasındaki kapasitansı azaltır
ve tüm bunlar indüktörün ideal davranmasına etkendir.
3.4.3. Ortak mod bukağı
Ortak mod bukağı (common mode choke), güç hatlarının manyetik geçirgenliği
yüksek çekirdek malzemeye sarılarak elde edilen ve ortak mod gürültülere karşı
yüksek empedans göstererek gürültüyü bastıran bir çeşit indüktördür. Şekil 3.20’de
görüldüğü üzere, ortak mod bukağı üzerinden aynı yönde ve eşit genlikte geçen ortak
mod akımlar, sol el kuralına göre, aynı yönde manyetik akı oluştururlar. Bu manyetik
akı ortak mod gürültülere karşı yüksek empedans göstererek ortak mod gürültüyü
zayıflatır. Ortak mod akımların enerjisi manyetik malzeme üzerinde ısıya dönüşerek
gürültü yüke aktarılmamış olur.
Fark mod akımlar, ortak mod bukağından zıt yönde ve eşit genlikte geçerler. Ortak
mod bukağı üzerinde zıt yönde manyetik akı oluşturur ve birbirini sıfırlar. Bu yüzden
bukağı, fark mod gürültülere empedans göstermez ve zayıflatmaz.
Şekil 3.20. Ortak mod bukağı manyetik akı çizgileri [12]
60
Ortak mod bukağı ve parazitik elemanları
Ortak mod bukağı yapımında kullanılan manyetik malzeme nedeniyle normal
indüktörlere göre fazladan ortak indüktans (mutual inductance) gösterir ve bu
özelliğinden dolayı indüktörlere göre gürültülere karşı daha yüksek empedans
gösterir. Bu nedenle ortak mod gürültülerine karşı ortak mod bukağı kullanımı
normal indüktöre göre daha etkilidir.
Ortak mod bukağı, tıpkı pasif malzemeler gibi parazitik elemanlara sahiptir ve belli
frekansta en yüksek empedansı gösterir. En yüksek empedans gösterdiği frekans
rezonans frekansıdır ve maksimum gürültüyü bastırır [6].
Şekil 3.21. İdeal ve gerçek ortak mod bukağı [13]
Şekil 3.21’de görüldüğü üzere, ortak mod bukağının parazitik elemanları, ortak mod
bukağına seri sızıntı indüktansı ve seri direnci ile paralel kapasitanstır. Ortak mod
bukağından fark mod gürültü akımları geçerken birbirine zıt yönde manyetik akım
oluştururlar. Gerçek ortak mod bukağında birbirine zıt olan bu manyetik akılar aynı
genlikte olmamaktadır. Dolayısıyla birbirlerini tamamen yok etmezler ve geriye bir
miktar manyetik akı kalır. Arta kalan manyetik akı, fark mod akımlarına karşı belli
bir empedans göstermektedir. Bu manyetik akı ortak mod bukağına seri bağlanmış
bir indüktör ile gösterilmektedir (LS). Bu indüktöre ortak mod bukağının sızıntı
indüktörü de denir.
61
Şekil 3.22. Ortak mod bukağının sızıntı indüktörünün ölçümü [14]
Sızıntı indüktör değerinin ölçümü Şekil 3.22’de görülmektedir. Ortak mod bukağının
sarımlarından biri kısa devre edilir. Kısa devre edilen sarım üzerinde sıfır Volt
görülür ve dolayısıyla diğer sarım üzerindeki gerilim de sıfır Volt olur. Empedans
analizörden belli frekanslarda verilen gerilim, sızıntı indüktörü ve sarımların direnci
üzerinde görülecektir. Sarımların direnci sızıntı indüktörünün empedansına göre
ihmal edilebilir seviyededir. Dolayısıyla analizörde okunan indüktans değeri sızıntı
indüktörünün değeri olacaktır. Sızıntı
indüktörünün değeri
frekansla
çok
değişmemekte olup malzemenin geçirgenlik değerine, kesit alanına ve sarım sayısına
bağlıdır.
Ortak mod bukağı parazitik elemanlara sahip olduğundan belli frekansta rezonansa
girmektedir. Bukağının rezonansa girmesindeki en büyük etken, bukağının alt ve üst
sarımları arasında kapasitif bağlaşımdır (coupling). Bu bağlaşım, ortak mod bukağına
paralel bağlanmış bir kapasitör (C) ile gösterilmektedir. Bu kapasitans, Şekil 3.23’te
gösterildiği gibi sarımların birbirine çok yakın olmasından kaynaklanmaktadır.
Sarımlar arası uzaklık ne kadar fazla olursa ya da sarım sayısı ne kadar az olursa
kapasitans daha düşük olur ve ortak mod bukağı o kadar geç rezonansa girer.
62
Şekil 3.23. Ortak mod bukağı sarım teknikleri [9]
Daha düşük kapasitans için ortak mod bukağı sarımları azaltılamıyorsa, başlangıç ve
bitiş sarımları birbirinden uzak tutularak da kapasitans miktarı azaltılabilir.
Yukarıdaki şekile göre en düşük kapasitansa sahip sarım tekniği tek kat sarılmış
olandır. En büyük kapasitansa sahip sarım tekniği ise, başlangıç ve bitiş sarımları
birbirinden fiziksel olarak uzak olmayan çift kat sarılmış olandır. Eğer sarım sayısı
çekirdek boyutuna göre fazla ise ardışık sarımlar çapraz, ilk ve son sarımlar
birbirlerinden uzak olacak şekilde sarılarak kapasitans miktarı azaltılabilir.
Diğer bir parazitik eleman olan ortak mod bukağının sarım tellerinin direnci, ortak
mod bukağına seri bağlanmış bir direnç ile gösterilmektedir ve bukağı, bu direnç
üzerinden geçen akım nedeniyle güç harcamaktadır. Şekil 3.24’te de gösterilen
parametreler ile teorik olarak ortak mod bukağının indüktans değeri şu şekilde
hesaplanabilir [15]:
L(µH)=0,4πµN2A10-2/ l
(3.6)
L  Ortak Mod Bukağı İndüktans Değeri (µH),
µ  Manyetik Malzemenin Geçirgenlik Değeri,
N Sarım Sayısı,
A  Manyetik Malzemenin Kesit Alanı (cm2),
l  Manyetik Akının Malzeme Üzerinde Aldığı Ortalama Manyetik Yol Uzunluğu
63
l=π(Dış Çap - İç Çap)/ln(Dış Çap/İç Çap)
(3.7)
Şekil 3.24. Manyetik malzemenin kesit alanı ve manyetik yol uzunluğu [15]
Manyetik malzemenin geçirgenlik değeri (µ) ne kadar fazla olursa indüktans değeri
dolayısıyla da ortak mod gürültülere gösterdiği empedans miktarı da o kadar fazla
olur. Fakat indüktans miktarı ne kadar fazla olursa ortak mod bukağı o kadar erken
rezonansa girer.
Ortak mod bukağının maksimum sarım sayısı manyetik malzemenin dış çapına ve
sarılan kablonun çapına (AWG) bağlıdır. Maksimum sarım sayısı şu formülle
bulunur:
Sarım Sayısı= π (Manyetik Malzemenin Dış Çapı-Kablo Çapı)*(1600/3600)
(3.8)
İndüktans formülündeki sarım sayısının (N) maksimum sarım sayısından fazla
olmaması gerekir. Maksimum sarım sayısı formülünde gösterilen “(1600/3600)”
çarpanının anlamı, ilk ve son sarımlar arasında 1600 olmasıdır. Sızıntı indüktörünün
pratikleştirilmiş formülü Eş.3.9’da verilmiştir.
64
LS(mH)=(292N1,065A)/(l*105)
(3.9)
Ortak mod bukağının empedans değeri, bukağı üzerinden geçen akıma bağlı olarak
da değişmektedir. Buna bağlı olarak da bukağının rezonans frekansı değişmektedir.
Şekil 3.25’te görüldüğü üzere, ortak mod bukağının sarım sayısı indüktörün kesim
frekansını ve rezonans frekansını etkilemektedir. Sarım sayısı arttıkça malzemenin
belli bir frekansta gürültüye gösterdiği empedans artmaktadır. Fakat malzemenin
kesim frekansı ve rezonans frekansı da sarım sayısı arttıkça azalmaktadır.
Şekil 3.25. Sarım sayısının empedansa etkisi [16]
Ortak mod bukağı seçimi
Ortak mod bukağında en önemli parametre manyetik malzemenin cinsidir. Bukağı
yapımında kullanılan manyetik özelliklere sahip çekirdekler temel olarak NiZn ve
MnZn alaşımlarından meydana gelmektedir. NiZn alaşımlar, 450-1700 aralığında
geçirgenlik değerine sahip olup yüksek frekanslarda (>100MHz) etkilidir. MnZn
65
alaşımların ise geçirgenlik değeri 15000’e kadar ulaşır ve düşük frekanslarda
etkilidirler.
Manyetik çekirdek malzeme parametreleri
Hacimsel direnç
Bir malzemenin hacimsel direnci, malzemenin karşılıklı uçları arasındaki direnç olup
cm2 başına Ohm ile ölçülür. İyi iletken malzemeler düşük dirençli, iyi yalıtkan
malzemeler yüksek dirençli malzemeler olarak adlandırılır [16].
Eddy akımı
Manyetik malzemenin sarımlarından geçen elektriksel akımlar malzemede manyetik
alan oluşturur. Oluşan bu manyetik alan zamanla değişiyorsa malzemede veya ferit
çekirdekte Eddy akımlar indüklenir. Manyetik alan ne kadar yüksekse Eddy akımları
o kadar yüksek olur. Bu akımlar manyetik alanın frekansı dışında malzemenin
cinsine, yapısına ve boyutlarına bağlıdır. Eddy akımları yalnızca malzemenin
ısınmasına değil aynı zamanda kendisini oluşturan alana ters yönde olacağından
manyetik alanın zayıflamasına neden olurlar. Sıfır hacimsel dirence sahip
malzemelerde Eddy akımlar enerjiyi ısı olarak yayar. Buna indüklenerek ısınma
denmektedir.
İnce plakalardan oluşmuş iletkenlerde Eddy akımlar minimize
edilebilir [16].
Manyetik geçirgenlik (µ)
Bir malzemenin manyetik alan etkisinde kalması durumunda edinmiş olduğu
΄
mıknatıslık özelliğinin derecesidir [16]. Manyetik geçirgenlik gerçek (µ ) ve sanal
΄΄
΄
΄΄
(µ ) olmak üzere iki kompleks parametreden (µ -jµ ) oluşmaktadır. Gerçek kısım
reaktif kısmı, sanal kısım kayıpları göstermektedir. Bu kompleks parametreler Şekil
3.26’da gösterildiği gibi frekansa bağlı olarak değişmektedir. Çoğu manyetik
66
΄
malzemenin µ değeri düşük frekansta çok yüksektir ve düşük frekanslarda baskındır.
Düşük frekanslarda indüktif özellik göstererek EMG gürültülerini süzebilmektedir.
΄΄
Daha yüksek frekanslarda µ daha baskın olmaya başlar ve direnç özelliği göstererek
iletken yollu EMG gürültüleri süzebilir.
Şekil 3.26. Manyetik geçirgenlik parametrelerinin frekansa bağlı değişimi [16]
Curie sıcaklığı
Ferromanyetik malzemeler belli bir sıcaklığa kadar manyetik özelliklerini korurlar.
Fakat sıcaklığa bağlı olarak manyetik özelliklerinde azalma meydana gelmektedir.
Manyetik malzemelerin manyetik özelliklerini kaybettiği sıcaklığa Curie sıcaklığı
denmektedir [16]. Malzeme sıcaklığı Curie sıcaklığının altına indiği zaman tekrar
manyetik özelliğini kazanır.
Doyum (saturasyon)
Manyetik malzemeler uygulanan manyetik alandan dolayı doyuma ulaşabilirler.
Manyetik malzemeye eşik değerinden daha fazla manyetik alan uygulandığında
67
malzemenin manyetik geçirgenliği düşmeye başlamaktadır. Yüksek geçirgenliğe
sahip malzemeler daha düşük manyetik alanda doyuma girerler. Şekil 3.28’de,
malzemeye uygulanan veya malzeme üzerinde oluşan manyetik alanın empedansa
olan etkisi görülmektedir.
Şekil 3.27. Manyetik alan & empedans eğrisi [16]
Manyetik malzemelerin en önemli parametrelerinden biri artık mıknatıslanma
(remnance) ve artık mıknatıslanım (coercivity) parametreleridir.
Artık mıknatıslanma (remnance)
Ferromanyetik malzeme iletkeninden akım geçtiğinde malzeme üzerinde manyetik
alan oluşur. İletkenin beslemesi kesildiğinde malzeme üzerinde oluşan manyetik alan
da sıfırlanır. Fakat malzemenin çekirdeğinde bir miktar manyetik alan kalabilir.
Kalan bu manyetik alan artık mıknatıslanma olarak adlandırılır. Manyetik
malzemelerin remnans özelliği manyetik depolama cihazlarında manyetik hafıza
olarak kullanılabilir [17].
68
Artık mıknatıslanım (coercivity)
Artık mıknatıslanım alanı ya da kuvveti olarak da adlandırılır. Manyetik
malzemelerin artık mıknatıslanmasını sıfırlamak için ters yönde uygulanan manyetik
alandır. Diğer bir deyişle manyetik malzemenin demagnetize olmak için malzemenin
direnci olarak da tanımlanabilir. Oerstad ya da Amper/m olarak ölçülür. Yüksek artık
mıknatıslanım değerine sahip manyetik malzemeler sert malzeme (permanent), düşük
mıknatıslanım değerine sahip manyetik malzemeler yumuşak malzeme olarak
adlandırılır. Sert malzemelere elektrik motorları, manyetik kayıt cihazları (hard disk,
floppy disk), yumuşak malzemelere trafolar, indüktör çekirdekleri, mikrodalga
cihazları ve manyetik ekran malzemeler örnek verilebilir. Manyetik malzemelerin
artık mıknatıslanımı, manyetizasyon eğrisi (histeresis curve) vasıtasıyla belirlenebilir
[17].
Şekil 3.28’deki eğriden görüldüğü üzere, ferromanyetik malzemeye uygulanan
manyetik alan kuvveti arttıkça malzemenin çekirdeğinde kalan mıknatıslanma da
doyum noktasına kadar artar. Malzeme doyuma girdikten sonra uygulanan manyetik
alan ile mıknatıslanma değeri değişmemektedir.
Şekil 3.28. Manyetizasyon eğrisi (histeresiz eğrisi) [17]
69
Zamanla değişen manyetik alan manyetik malzemeye uygulandığında, malzemenin
manyetizasyon eğrisi histeresiz eğrisi ile tanımlanır. Şekil 3.28’de görüldüğü üzere
manyetik malzemenin enerjisi kesildiğinde, üzerinde manyetik alan sıfırlanmaktadır.
Fakat ferit çekirdeğinde manyetik akı yoğunluğu kalmaktadır (Artık Mıknatıslanma,
1.nokta). Malzemenin çekirdeğinde kalan bu manyetik akıyı sıfırlamak için
malzemeye ters yönde uygulanan manyetik alan 2 numara ile gösterilmektedir (Artık
Mıknatıslanım). Malzeme iletkeninden geçen akım ile malzeme üzerinde oluşan
manyetik alan doğru orantılıdır. Dolayısıyla iletkenden ne kadar çok akım geçerse
malzeme üzerinde o kadar manyetik alan oluşur.
H=0,4πNI/l
(3.10)
Malzeme üzerinde oluşan manyetik alan belli bir değeri aştıktan sonra malzemede
manyetik akı fazla değişmemekte ve malzeme doyuma girmektedir. B-H eğrisi
arasındaki alan ne kadar fazla ise daha küçük hacimli manyetik malzemelerde istenen
manyetik akı yoğunluğu daha rahat elde edilir. Küçük hacimli manyetik
malzemelerde yüksek manyetik akı oluşturma, malzemenin sert manyetik malzeme
olduğunu yani malzemenin kalitesini (BB0/µ0) göstermektedir. Yüksek artık
mıknatıslanma ve artık mıknatıslanım değerlerine sahip malzemeler sert malzeme,
düşük değere sahip malzemeler ise yumuşak malzeme olarak adlandırılırlar.
Çizelge 3.2. Manyetik malzemelerin manyetik özellikleri [17]
Artık
Artık
Mıknatıslanım (T)
Mıknatıslanma (T)
BaFe12O19
0,36
0,36
25
Alnico IV
0,07
0,3
10,3
Alnico V
0,07
1,35
55
Alcomax I
0,05
1,2
27,8
MnBi
0,37
0,48
44
Ce(CuCo5)
0,45
0,7
92
SmCo5
1,0
0,83
160
Malzeme
(BB0/µ0)max(kJ/m3)
70
Çekirdek kayıpları
Manyetik malzemenin en büyük kaybı eddy akımlarından kaynaklı kayıplardır. Eddy
akımlarından kaynaklı enerji kayıpları, manyetik malzeme üzerinde ısı ile dışarı
atılmaktadır. Bu kaybın dışında malzemenin iletkeninin direncinden ve çekirdekten
kaynaklı kayıplar vardır [16].
Manyetik çekirdek çeşitleri
Ferit çekirdek
Nikel, manganez, çinko vb. ferromanyetik malzemelerden yapılmış yüksek manyetik
geçirgenliğe (15,000’e kadar), düşük elektriksel iletkenliğe sahip manyetik
malzemedir. Yüksek geçirgenliğe sahip ferit materyaller yüksek sıcaklıklarda
çalışabilirler (<1750C). Ferit malzemeler Curie sıcaklığına sahiptir. Malzeme, bu
sıcaklığın üzerinde çalıştığında malzeme mekanik olarak zarar görmez fakat
manyetik özelliğini kaybeder. Pek çok ferit üreten firma ürünlerinin özelliklerinde
indüktans faktörü tanımını kullanır. İndüktans faktörü, ferit malzemenin bir sarımı
için belli frekansta gösterdiği indüktans değerini göstermektedir. Ferit çekirdek aldığı
mekaniksel şekle göre, toroid, pot, E, EE, ER, EP, RM U, UR ve I tiplerinde olabilir.
Pot, E, EE vb. geometrik şekillerdeki ferit çekirdekler, ısıyı dağıtma, çekirdek, sarım
maliyeti, montaj kolaylığı ve ekranlama bakımından daha faydalı oldukları
düşünüldüğü için kullanılmaktadır. Toroid kullanılmasının ise iki önemli nedeni
vardır; birincisi toroidler üzerinde herhangi bir girinti çıkıntı olmadığından üretimi
daha kolaydır ve dolayısıyla daha ucuzdur. İkincisi, toroidler tek parçadan üretilir ve
üzerinde E, EE vb. diğer ferit çekirdeklere göre hava boşlukları olmadığından
geçirgenlik değeri daha yüksektir ve daha yüksek empedans üretilebilir. Toroid
feritlerin tek dezavantajı yüksek sarım maliyetidir. Sarımları oluşturmak için ya özel
sarım makinelerinin kullanılması gerekmektedir ya da elle sarılması gerekmektedir.
ISDN ve geniş band trafolarda, süzgeç devrelerinde ve telekom uygulamalarında
kullanılır [18].
71
Çizelge 3.3. Ferit çekirdeklerin karşılaştırılması [16]
Özellik
Çekirdek
Maliyeti
Bobin
POT
RM
EP
PQ
E
Toroid
Yüksek
Yüksek
Orta
Yüksek
Düşük
Çok Düşük
Düşük
Düşük
Yüksek
Yüksek
Düşük
Yok
Düşük
Düşük
Düşük
Düşük
Düşük
Yüksek
İyi
İyi
İyi
İyi
Çok İyi
Pek İyi
İyi
İyi
İyi
Pek İyi
İyi
Zayıf
Zayıf
İyi
Zayıf
İyi
Çok İyi
İyi
İyi
Çok İyi
Pek İyi
Zayıf
İyi
Maliyeti
Sarım
Maliyeti
Sarım
Kolaylığı
Montaj
Kolaylığı
Isı Atma
Ekranlama Çok İyi
Toz (powder) çekirdek
DA indüktör olarak da bilinen, yer yer boşluklardan oluşan, yüksek dirençli, düşük
histeresiz ve eddy akım kayıplarına sahip, DA ve AA uygulamalarda sabite yakın
indüktans değerine sahip çekirdeklerdir. Sıcaklığa ve frekansa bağlı olarak indüktans
değerleri kararlıdır. Çekirdeğin yapısında hava boşluklarının olmasının avantajı,
çekirdek kayıplarını minimuma indirmektir. Çekirdek kayıpları malzemenin
manyetik akı yoğunluğuna ve frekansa bağlıdır. Şekil 3.29’de görüldüğü üzere
manyetik akı yoğunluğu arttıkça çekirdek kayıpları da artar. Kayıplar az olduğundan
malzemede oluşan ısınma da minimumdur [18].
72
Şekil 3.29. Toz çekirdek kayıpları & manyetik akı yoğunluğu eğrisi [19]
Şekil 3.30’da görüldüğü üzere toz çekirdekler, ferit malzemelere göre doyuma daha
yumuşak geçiş yaparlar. Ferit malzemenin sarımlarından ne kadar çok akım geçerse
ve geçen akım belli bir eşik değerden fazla ise malzemenin indüktans değeri bir anda
sertçe düşmeye başlar. Toz çekirdeğin sarımlarından geçen akım ne kadar çok ise
malzemenin indüktans değeri akıma bağlı olarak düşmeye başlar.
Şekil 3.30. Ferit & toz çekirdek karşılaştırması [19]
73
3.5. EMG Süzgeç Topolojileri
Güç hatlarından iletkenlik yoluyla bağlaşan gürültüleri süzmek için genelde alçak
geçiren süzgeçler kullanılmaktadır. Alçak geçiren süzgeçler, belli bir kesim
frekansına kadar gürültüyü iletirler ve belli bir kesim frekansından sonra gürültüyü
bastırarak iletmezler. Alçak geçiren süzgeçler, kapasitör, indüktör, ortak mod bukağı
ve direnç gibi pasif malzemelerden oluşmaktadır. Bu pasif malzemeler çeşitli
kombinasyonlarda kullanılarak gürültüler süzülmektedir.
Şekil 3.31. Tek elemanlı alçak geçiren süzgeçler [7]
Şekil 3.31’de görülen R dirençleri, iletkenlik yoluyla yayılan gürültü üretecinin
empedansını ve gürültünün aktığı yükün empedansını göstermektedir. Tek kapasitör
kullanılarak elde edilen süzgecin alt kesim frekansı 1/πRC olarak hesaplanmaktadır.
Kullanılan kapasitörün ideal olduğu düşünülürse, araya girme kaybı Eş.3.11’deki
gibidir [7].
AGK(dB)=20log(πfRC)
(3.11)
Tek indüktör kullanılarak elde edilen süzgecin alt kesim frekansı R/πL ile
hesaplanmaktadır. Kullanılan indüktörün ideal olduğu düşünülürse araya girme kaybı
Eş.3.12’deki gibidir [7].
74
AGK(dB)=20log(πfL/R)
(3.12)
Pasif malzemelerin ideal olduğu düşünülürse araya girme kayıpları frekansla doğru
orantılı olarak artar.
Alçak geçiren süzgeçlerin daha yüksek gürültü bastırması isteniyorsa sadece
kapasitör ve sadece indüktör kullanılmasının yanı sıra bu malzemelerin
kombinasyonları (“L”,” π”, “T” vb.) da kullanılarak daha yüksek AGK değerleri elde
edilebilir. Süzgeç devresinde kullanılan her bir pasif malzeme (kapasitör, indüktör,
ortak mod bukağı) ideal durumda 20dB/dekad gürültü bastırma değerine sahiptirler.
Ne kadar çok malzeme kullanılırsa AGK değeri de o kadar yüksek olur. Süzgeç
tiplerinin (“L”,” π”, “T” vb.) kesim frekans formülleri Şekil 3.32’de verilmiştir.
Şekil 3.32. Süzgeç topolojileri AGK (IL) & frekans eğrisi [7]
Şekil 3.33’te görüldüğü üzere alçak geçiren süzgeçlerin gürültüyü süzme etkinlikleri
(AGK), gürültüyü yayan kaynağın ve gürültünün aktığı yükün empedansına bağlıdır.
İndüktörler, düşük kaynak ve düşük yük empedansına (<50Ω) sahip sistemlerde
gürültüyü bastırmada çok etkilidirler. Kapasitörler ise, yüksek kaynak ve yük
empedansına (>50Ω) sahip sistemlerde gürültüyü bastırmada çok etkilidirler.
İndüktör ve kapasitör kombinasyonlarından oluşmuş çok katlı süzgeçlerde ise yüksek
75
empedans gösteren kısımda kapasitör, düşük empedans gösteren kısımda indüktör
kullanılması gürültüyü bastırma açısından çok etkilidir.
Şekil 3.33. Kaynak ve yük empedansına göre pasif malzeme kullanımı [7]
Şekil 3.34’te görüldüğü üzere EMG Süzgeçler ile kaynak- yük arasında empedans
açısından uyumsuzluk olursa yani kaynak ve yük empedansları 50Ω’da farklı olursa
süzgeç, gürültüleri bastırmak yerine yükseltebilir ve süzgecin kesim frekansı kayar.
76
Şekil 3.34. Farklı kaynak ve yük empedanslar & AGK (IL) eğrisi [7]
Yüksek gürültü bastırma değerine sahip EMG süzgeçler tasarlanmak isteniyorsa daha
çok pasif malzeme kullanılarak çok katlı süzgeçler tasarlanabilir. Şekil 3.35’te
görüldüğü üzere kaynak ve yük empedansıyla uyumlu şekilde, paralel bağlanmış
kapasitör yerine “π” tipi, seri bağlanmış indüktör yerine “T” tipi, L tipi süzgeçler
yerine L tipi kaskad topolojiler kullanılabilir.
77
Şekil 3.35. Basit süzgeçler yerine kullanılabilecek etkin süzgeç tipleri [7]
L ve C kombinasyonlarından oluşmuş süzgeçlerin kaynak ve yük empedans
durumlarına göre AGK değerleri hesaplanabilmektedir. Fakat teorik olarak
hesaplanan değer ile pratik ölçümler arasında fark vardır. Bu farkın temel nedeni,
süzgeç malzemelerinin parazitik elemanlarının ve yük-üreteç empedanslarının tam
olarak bilinememesidir. Yük-üreteç empedanslarının 50Ω’dan farklı olması
durumunda kullanılacak AGK formülleri Şekil 3.36’da verilmiştir.
78
Şekil 3.36. Süzgeç topolojilerinin teorik AGK formülleri [7]
3.6. EMG Gürültü Zayıflaması
EMG gürültüsü iki farklı gürültü tipinde olduğundan EMG gürültüsünün
zayıflatılmasının da iki alt başlıkta yer alması gerekmektedir. Bu bölümde ortak mod
ve fark mod EMG zayıflaması ele alınmıştır.
3.6.1. Ortak mod EMG zayıflaması
Genelde güç hatlarından ortak mod gürültü bağlaştığı için EMG Süzgeçlerin çoğu
ortak mod tipinde süzgeçlerdir. Ortak mod gürültüleri süzmek için ise ortak mod
pasif elemanlar kullanılmaktadır.
79
Şekil 3.37. Ortak mod EMG zayıflaması [3]
Şekil 3.37’de görüldüğü üzere ortak mod bukağı, EMG kaynağından iletkenlik
yoluyla bağlaşan gürültüye yüksek empedans göstererek gürültü akımlarının çok
daha düşük empedans gösteren ortak mod kapasitörleri üzerinden gerçek toprağa
(sistem şasesine) akmasını sağlar. Böylece EMG gürültüleri EMG alıcı cihaza
bağlaşmamış olur ve cihaz bu gürültülerden etkilenmemiş olur.
3.6.2. Fark mod EMG zayıflaması
Fark mod gürültüler, genelde dengeli hatlara sahip düşük frekanslı güç kaynakları
tarafından üretilmektedir. Fark mod gürültüleri süzmek için ortak mod ve fark mod
pasif elemanlar kullanılmaktadır.
Şekil 3.38. Fark modu EMG zayıflaması [3]
80
Şekil 3.38’de görüldüğü üzere, EMG Kaynağı tarafından üretilen fark mod
gürültüler, ortak mod bukağının sızıntı indüktörünün yüksek empedans göstermesiyle
EMG kaynak girişindeki düşük empedans gösteren ortak ve fark mod kapasitörleri
tarafından kaynağın dönüş hattına döndürülür. Süzülemeyen az miktardaki fark mod
gürültüler ise EMG alıcı cihaz tarafındaki fark mod kapasitörleri tarafından dönüş
hattına döndürülür. Böylece EMG gürültülerine karşı hassas olan EMG alıcı cihaza
gürültüler bağlaşmamış olur.
3.7. EMG Ölçümleri
Bu bölümde, ölçümlerde kullanılacak sistemin iletkenlik yollu emisyonları üreten
güç kartı anlatılmıştır. Ayrıca MIL-STD-461E standardında tanımlı CE102 test
gereksinimleri, test düzeneği, ölçüm metotları, EMG süzgeç tasarımı ve CE102
ölçüm test sonuçları detaylı bir şekilde anlatılmıştır.
3.7.1. EMG ölçümlerinde kullanılan sistemin güç kartı tanımı
EMG Süzgecin tasarlandığı sistem bir askeri cihaz olup içinde EMG alıcı cihazlara
iletkenlik yoluyla bağlaşabilecek bir adet güç kartı mevcuttur. Güç kartında temel
olarak, güç giriş gerilimi düşük ve yüksek genlikte olduğunda sağlayan koruma, çıkış
gerilim üreteçleri (3.3V, 5V, -5V, 12V) ve sıcaklık ölçer devreleri bulunmaktadır.
3.7.2. MIL-STD-461E standardı
Bu standart, askeri ekipmanların ve alt sistemlerin elektromanyetik açıdan
uyumluluğunu gösteren USA askeri standardıdır. Standardın tam adı, “Requirements
For The Control Of Electromagnetic Interference Characteristics Of Subsystems and
Equipment” olup ilk revizyonu (A) 1967 yılında yayınlanmıştır. En son revizyonu
(F) 10 Aralık 2007 tarihinde yayınlanmıştır [28]. MIL-STD-461 standardında testler
dört ana gruba ayrılmıştır:
81

İletkenlik Yoluyla Yayınım (CE): Bu testlerde test edilen cihazın dış ortama
güç ve işaret kabloları üzerinden yaptığı yayınımın seviyesi ölçülür. Testin başarılı
kabul edilebilmesi için cihazın yaptığı yayınımın her frekansta standartta verilen sınır
değerin altında kalması gerekmektedir. Standartta tanımlı testler, CE101, CE102,
CE106’dır.

İletkenlik Yoluyla Alınganlık (CS): Bu testlerde test edilen cihaza güç ve
işaret kabloları üzerinden gelen istenmeyen işaretlerin cihazın çalışmasında
bozulmaya yol açıp açmadığı belirlenir. Testin başarılı kabul edilmesi için her
frekansta, standartta belirtilen sınır değerde verilen elektromanyetik işaretin cihazın
çalışmasında bozulmaya neden olmaması gerekmektedir. Standartta tanımlı testler,
CS101, CS103, CS104, CS105, CS106, CS109, CS114, CS115, CS116’dır. CS106
testi MIL-STD-461F’te tanımlı olup MIL-STD-461E’de tanımlı değildir.

Işıma Yoluyla Yayınım (RE): Bu testlerde test edilen cihazın dış ortama ışıma
yoluyla yaptığı yayınımın seviyesi ölçülür. Testin başarılı kabul edilebilmesi için
cihazın yaptığı yayınımın her frekansta standartta verilen sınır değerin altında
kalması gerekmektedir. Standartta tanımlı testler, RE101, RE102, RE103’tür.

Işıma Yoluyla Alınganlık (RS): Bu testlerde test edilen cihaza ışıma yoluyla
gelen istenmeyen işaretlerin cihazın çalışmasında bozulmaya yol açıp açmadığı
belirlenir. Testin başarılı kabul edilebilmesi için her frekansta, standartta belirtilen
sınır değerde verilen elektromanyetik işaretin cihazın çalışmasında bozulmaya neden
olmaması gerekmektedir. Standartta tanımlı testler, RS101, RS103, RS105’tir.
82
Çizelge 3.4. MIL-STD-461standardında tanımlı testler
3.7.3. CE102 iletkenlik yollu yayınım, güç hatları, 10kHz-10MHz
CE102 testinin amacı, 10kHz-10MHz frekans bandında güç hatlarına iletkenlik yollu
yayınım ile bağlaşabilecek ortak ve fark mod gürültülerin ölçülmesidir. CE102 testi
hem artı güç hattına hem de eksi güç hattına uygulanmaktadır.
TAC’ın (Test Altındaki Cihaz) güç kabloları üzerinde iletkenlik yoluyla oluşan
yayınımı, Şekil 3.39’da gösterilen test sınır değerini aşmamalıdır [2].
83
Şekil 3.39. CE102 test grafiği [2]
CE102 Test Ekipmanları
Hat empedansı dengeleme devresi (HEDD veya LISN)
HEDD, sistem gürültüsünü ölçmek için sisteme güç sağlamak ve 50Ω empedans
uyumluluğunu sağlamak için kullanılmaktadır. Ayrıca test altındaki cihazla güç
kaynağı arasında süzgeç görevi görerek güç kaynağından gelen istenmeyen
yayınımın test altındaki cihaza ulaşmasını engeller, test altındaki cihazın güç hattı
üzerindeki yayınımların güç kaynağına ulaşmasını engelleyerek kendi üzerinden test
ve ölçüm cihazlarına iletilmesini sağlar. HEDD’nin devre şeması Şekil 3.40’da
verilmiştir.
84
Şekil 3.40. HEDD devre şeması [2]
Ölçüm almacı
Frekans ekseninde HEDD’nin çıkış işaret portundan gürültü ölçümlerini alan çok
fonksiyonlu ölçüm aracıdır. Ölçüm almacı olarak Spektrum Analizör veya EMI
Alıcılar kullanılabilir.
Zayıflatıcı
Ölçüm almacının RF giriş portuna yüksek seviyeli işaret gelmemesi ve ölçüm
almacının RF girişine zarar vermemesi için işareti zayıflatan araçtır.
Kayıt cihazı
Ölçüm almacını ve işaret üretecini sürmeye yarayan yazılımın kurulu olduğu ve
ölçüm çıktılarının kaydedildiği bilgisayardır.
85
Şekil 3.41. MIL-STD-461E genel test düzeneği [2]
MIL-STD-461E standardında tanımlı test düzenekleri ufak değişiklikler haricinde
Şekil 3.41’deki test düzeneğiyle aynıdır.
CE102 Test Düzeneği
Teste başlamadan önce ortam çevre koşulları sağlanmalı ve Şekil 3.41 ve Şekil
3.42’deki test düzenekleri kurulmalıdır. Test düzeneği yerden 80-90 santimetre
yükseklikte bulunan bir toprak düzlemi üzerine kurulmaktadır. Test altındaki cihazın
tüm kabloları iletken olmayan bir yükselti üzerine, hiçbir kablo diğerlerine 2
santimetreden yakın olmayacak şekilde yerleştirilmelidir.
86
Şekil 3.42. CE102 test düzeneği [2]
TAC, HEDD üzerinden beslenmektedir. HEDD’nin çıkış portundan koaksiyel kablo
ile alınan ölçümler 20dBlik zayıflatıcı ile gürültü 10 kat zayıflatılarak ölçüm
almacının girişine gelir. MIL-STD-461E standardında iletkenlik yollu testler için
tanımlanan tarama sıklığı tablosu göz önüne alınarak ölçüm almacı tarama sıklığı
ayarlanmalıdır. Çizelge 3.5’te görüldüğü üzere, CE102 testi için uygulanması
gereken tarama sıklığı, 10kHz-150kHz frekans bandı için minimum bekleme süresi
0,015s/f, 150kHz-30MHz frekans bandı için minimum bekleme süresi 0,015s/f’dir.
Bekleme süreleri ne kadar uzun olursa gürültünün o frekanstaki tepe genlik değeri
daha net ölçülebilmektedir.
87
Çizelge 3.5. Emisyon testleri için ölçüm almacı tarama sıklığı [2]
Test düzeneği kurulduktan sonra CE102, iletkenlik yollu yayınım testi aşağıdaki test
adımları izlenerek yapılmalıdır:

TAC’ı çalıştırarak sistem fonksiyonlarının kararlı hale gelmesi beklenmelidir.

Sistemin test edilecek güç besleme hattı seçilerek HEDD’in çıkış portu ölçüm
almacına bağlanmalıdır.

Ölçüm almacını koşturacak yazılım standartta belirtilen tarama sıklıklarında
ayarlanmalı ve düzenekte kayıp olarak düşünülen değerler yazılımın test sonucuna
eklenmelidir. Örneğin, HEDD yaklaşık 1MHz’e kadar 50Ω’dan daha az empedans
göstermektedir. Ölçümün 50Ω-50Ω’luk kaynak ve yük empedanslarında yapılması
gerektiğinden HEDD’nin bu frekanslardaki kayıpları ölçüm sonucuna eklenmelidir.
3.7.4. CE102, iletkenlik yollu yayınım ölçümleri
Bu bölümde, MIL-STD-461E standardında tanımlı CE102 iletkenlik yollu yayınım
testinde kullanılan yazılım ve test sonuçları hakkında bilgiler verilmiştir.
88
TILE 4.1 CE102 test yazılımı
CE102 testinde kullanılan Agilent/E4440A üretici parça numaralı spektrum analizör
GPIB haberleşmesiyle bilgisayar tarafından yazılımla kontrol edilmektedir. CE102
testinde yazılım aracı olarak TILE 4.1 kullanılmıştır. Yazılımın başlangıç arayüzü
Şekil 3.43’te verilmiştir.
Şekil 3.43. TILE 4.1 yazılım başlangıç arayüzü
TILE yazılımı Windows tabanlı olup program akış şemalarıyla yapılmaktadır. Her
blok diğerinden bağımsız çalışmaktadır. Her blok minyatür bir program içermektedir.
CE102 testinde kullanılacak ekipmanların genel amaçlı arayüz birimi (general port
interface unit, GPIB) ile kontrol edilebilmesi için ekipmanları üreten firmalar
tarafından kullanıcıya verilen sürücülerin programa yüklenmesi gerekmektedir.
CE102 yazılımında yazılımın en önemli kısmını oluşturan, standartta belirtilen
frekans, tarama sıklıkları vb. parametrelerin girileceği blok, Şekil 3.44’te gösterilen
89
“Measurement
Range”
bloğudur. CE102
testi,
üç
ana
frekans
aralığına
bölündüğünden üç adet “Measurement Range” bloğu olacaktır. “Action” kısmına
spektrum analizör ile alınan ölçümlerin tutulacağı verilerin ismi girilir.
Şekil 3.44. TILE “measurement range” sembol ayarları-1
“Frequency” sekmesine başlangıç ve bitiş frekansları girilir. Belli frekanslar
taranmak isteniyorsa “.txt” uzantılı frekans dosyası yüklenir (“From File” kutucuğu
işaretlenir) ve frekanslar o dosyadan çağırılır. Şekil 3.45’te gösterilen “Amplitude”
sekmesinden spektrum analizörün gürültü taban seviyesi ayarlanır. Çok düşük
genlikli işaretler ölçüleceği zaman “Reference Level” değeri düşük girilir. Spektrum
analizör “Reference Level” değerine kadar işaretlerin genliğini ölçebilir. Bu değer
yüksek girildikçe belli değerdeki gürültüler analizörün iç sistem gürültüsüyle karışır
ve net ölçümler alınamaz.
90
Şekil 3.45. TILE “measurement range” sembol ayarları-2
Spektrum analizörden alınan ham ölçümlerin hangi veriye kaydedileceği Şekil
3.46’da
gösterilen
“Data”
sekmesinden
yapılmaktadır.
“Data”
sekmesinde
Measurement Data’dan ilgili veri seçilir. Her frekans aralığı için “Measurement
Range” bloğunun “Data” sekmesinde ölçümlerin kaydedileceği veriler seçilmiştir.
Şekil 3.46. TILE “measurement range” sembol ayarları-3
Spektrum analizörün yazılımla kontrol edilebilmesi için bu ekipmanın tanımlı olması
gerekmektedir. Bu tanımlama işlemi Şekil 3.47’de gösterilen “Instrument”
91
sekmesinden yapılmaktadır. “Instruments” sekmesinden “Receiver” kısmında
yazılımda tanımlı tüm ekipmanlar görülmektedir. Buradan “SpecAnal” seçilerek
spektrum analizör yazılımla kontrol edilecektir.
Şekil 3.47. TILE “measurement range” sembol ayarları-4
MIL-STD-461E standardında emisyon testleri için tanımlı isterler “Parameters”
sekmesinde ayarlanmaktadır. Standartta 10kHz-150kHz frekans bandı için tarama
sıklığının 1kHz olması gerektiği belirtilmiştir. Bu ister
Şekil 3.48’de gösterilen
“Parameters” sekmesinin “RF Bandwidth” kısmına 1kHz girilerek karşılanmıştır.
Geniş bantlı gürültülerin ve gürültülerin tepe değerlerinin daha anlaşılır olması için
“VBW if Analyzer” değerinin “RF Bandwidth” değerinden en az 10 kat daha fazla
olması gerektiği spektrum analizörün kullanıcı rehberinde belirtilmiştir. Bu yüzden
bu değer 300kHz olarak girilmiştir. Frekans bandlarındaki gürültülerin maksimum
değerlerinin ölçülebilmesi için, bu frekans aralıklarındaki gürültülerin iki kez
ölçülmesinde ve bu ölçümlerden maksimum olanlarının kaydedilmesinde fayda
vardır. Bu nedenle “Number of Sweeps” kısmına 2 olarak girilmiştir. Standartta
10kHz-150kHz frekans aralığı için bant genişliği 1kHz tanımlıdır. Bu frekans bandı
için minimum olması gereken tarama süresi şu şekilde hesaplanmaktadır:
[(150kHz-10kHz)/(1kHz/2)]*0.015= 4.2s
(3.13)
92
Dolayısıyla “Sweep Time (Analyzer)” seçeneği 5 olarak girilmiştir. Detektor tipi
olarak, ardışık alınan iki taramada gürültülerin maksimum değerleri alınacağından
“Peak” seçeneği seçilmiştir.
Şekil 3.48. TILE “measurement range” sembol ayarları-5
Her frekans aralığı için ayrı bir Measurement Range bloğu tanımlanmıştır. Bu
aşamada spektrum analizörden standardın isterleri doğrultusunda ölçümler alınmıştır.
Yazılımda, ham ölçümlere kayıpların eklenmiş halinin matematiksel olarak ifade
edilmesi gerekmektedir. Bu işlem Şekil 3.49’da gösterilen “Math” sembolüyle
yapılmaktadır. “Action” kısmına isim girilir. Örneğin, “test sonuçlarını düzelt” gibi.
“Data” sekmesinde “Equation” olarak tanımlanmış verile otomatik olarak listelenir.
Bu listeden seçilen verilen matematiksel işlemleri yapılır.
93
Şekil 3.49. TILE “math” sembol ayarları
Bu bölümde sadece standart açısından önemli olan kısımlar anlatılmıştır. Yukarıdaki
yazılımla standarda uygun CE102 ölçümü yapılabilmektedir.
Artı ve eksi hat ortam ölçüm sonuçları
Sistemler platformlarda ortak güç barasından beslendiği için ve bu güç barasında
diğer sistemlerden kaynaklı iletkenlik yollu yayınımların olabileceği ihtimaline
karşılık ortam gürültüsünün ölçülmesi gerekmektedir. Emisyon yayınım testlerinde,
ortam şartlarının sağlanmasında birincil öncelik ortam gürültüsünün CE102 test limit
eğrisinin 6dB altında olmasıdır. Bu yüzden ortamdaki gürültü seviyesi ölçülerek
ortam gereksiniminin sağlandığı doğrulanmıştır.
94
110.0
Test CE102 limit (28 V)
100.0
90.0
Amplitude (dBuV)
80.0
70.0
60.0
50.0
40.0
30.0
20.0
10.0
10.0K
100.0K
1.0M
10.0M
Frequency (Hz)
Equipment ID - GAS
Serial # - TU0001
03:57:03 PM, Wednesday, October 03, 2012
Şekil 3.50. Artı hat ortam gürültüsü
110.0
Test CE102 limit (28 V)
100.0
90.0
Amplitude (dBuV)
80.0
70.0
60.0
50.0
40.0
30.0
20.0
10.0
10.0K
100.0K
1.0M
10.0M
Frequency (Hz)
Equipment ID - GAS
Serial # - TU0001
03:59:30 PM, Wednesday, October 03, 2012
Şekil 3.51. Eksi hat ortam gürültüsü
Şekil 3.50’de ve Şekil 3.51’de verilen artı ve eksi hat ölçüm grafiklerinden
görüldüğü üzere ortam gürültüsü test limit eğrisinin çok altındadır. Dolayısıyla test
ortamının, sisteme CE102 testini uygulamak için elverişli bir ortam olduğu
kanıtlanmıştır.
95
Sistemin EMG süzgeçsiz artı ve eksi hat CE102 ölçüm sonuçları
MIL-STD-461E standardına uygun test düzeneği Şekil 3.52’de görülmektedir. 50Ω
değerindeki yük; artı hat ölçümlerinde eksi HEDD’ye, eksi hat ölçümlerinde artı
HEDD’ye bağlanmıştır. HEDD’nin ölçüm alınan çıkış işaret portu spektrum
analizöre bağlanmış, ölçüm alınmayan diğer çıkış işaret portu ise empedans
uyumluluğundan 50Ω ile sonlandırılmıştır.
Sistemin topraklama direnci standart gereği en fazla 2,5mΩ olmalıdır. Bu topraklama
değeri
sağlanmadıkça
teste
başlanmamalıdır.
miliohmmetre ile 2,11mΩ olarak ölçülmüştür.
Şekil 3.52. Laboratuar CE102 test düzeneği
Sistemin
topraklama
değeri
96
Test CE102 limit (28 V)
110.0
100.0
90.0
Amplitude (dBuV)
80.0
70.0
60.0
50.0
40.0
30.0
20.0
10.0
10.0K
100.0K
1.0M
10.0M
1.0M
10.0M
Frequency
Şekil 3.53. CE102 artı hat ölçüm sonucu
Test CE102 limit (28 V)
110.0
100.0
90.0
Amplitude (dBuV)
80.0
70.0
60.0
50.0
40.0
30.0
20.0
10.0
10.0K
100.0K
Frequency
Şekil 3.54. CE102 eksi hat ölçüm sonucu
Sistemin Şekil 3.53’te ve Şekil 3.54’te verilen artı ve eksi hat CE102 ölçüm sonuçları
benzerdir. CE102 artı ve eksi hat ölçümlerinden görüldüğü üzere sistemin gürültüsü
CE102 limitinin çok üzerindedir. Limitin üzerindeki gürültüler, güç kartlarındaki
DA/DA çevirici modüllerinin anahtarlama frekansı olan 400kHz ve harmonikleridir.
Şekil 3.55’te görüldüğü üzere, güç kartlarındaki çevirici modüllerinin anahtarlama
frekansları senkron ayarlanmadığından 400kHz civarında iki adet farklı gürültü
vardır. Birinci çeviricinin anahtarlama frekansı 410kHz, ikinci çeviricinin ise
97
420kHz civarındadır. Çeviricilerin ikinci harmonikleri 810kHz-830kHz, üçüncü
harmonikleri 1240kHz-1280kHz civarındadır. Tüm bu harmonik gürültüler CE102
ölçümünde gözlenmiştir.
Şekil 3.55. Güç kartındaki çevirici modüllerin gürültüleri
Ortak mod ve fark modu gürültü bileşenlerine ayırma
DA/DA çeviricilerinin iletkenlik yoluyla oluşturduğu EMG gürültüler ortak mod ve
fark mod gürültülerden oluşmaktadır. EMG Süzgeçlerde ortak mod ve fark mod
olmak üzere iki kısım vardır. Gürültü tipinin ortak mod veya fark mod oluşuna göre
süzgeç tasarımında o kısma daha çok ağırlık verilir. Gürültü ortak mod ve fark mod
bileşenlerine ayrılarak EMG süzgeç tasarımında hangi kısma daha fazla ağırlık
verileceği belirlenebilir. EMG gürültüsü bileşenlerine ayrılmadan tasarlanan
süzgeçler, istenen gürültü bastırma değerlerine, kesim ve rezonans frekanslarına
sahip olmamakla birlikte EMG gürültülerini tam olarak süzememektedirler.
Akım probu metodu kullanılarak EMG gürültüleri ortak mod ve fark mod
bileşenlerine ayrıştırılabilir. CE102 test limitleri dBµV cinsindendir. Akım probuyla
alınan ölçümler ise dBµA cinsindedir. Ortak mod ve fark mod gürültüler yük olarak
98
HEDD üzerindeki 50Ω’luk yükü görmektedir. Fakat akım probunun içinden
geçerken yük olarak akım probunun transfer empedansını görmektedir. Bu nedenle
akım probuyla alınan ölçümlere akım probu transfer empedansı (ZAP) eklenerek
birim cinsinden dBµV elde edilir.
dBµV = dBµA + 20log(ZAP)
(3.14)
Bu şekilde bir dönüşüm yapıldığında dBµV olan test limit eğrisinin birimi
değiştirilmemiş olur. Eğer test limit eğri biriminin akım ölçüm birimine
dönüştürülmesi istenirse aşağıdaki dönüşüm kullanılabilir;
dBµV = dBµA + 20Log(50Ω)
(3.15)
dBµV = dBµA + 34dB
dBµV - 34dB= dBµA
Ortak mod gürültü ölçümü
10kHz-10MHz frekans bandındaki ortak mod gürültüleri ölçümünde Solar
Electronics firmasının akım probu kullanılmıştır. Akım probları manyetik
malzemelerden üretilmiş ve iletkene temas etmeden üzerinden geçen zamanla
değişen akımları ölçen test ekipmanlarıdır. İçinden akım taşıyan iletkenin geçtiği
manyetik malzemeler üzerinde manyetik akı oluşur. Bu manyetik akı malzeme
üzerindeki iletkende akıma çevrilir. Akım probları bu temel prensiple çalışmaktadır.
Şekil 3.56’da görüldüğü üzere test altındaki cihaz (TAC), güç kaynağı üzerinden
HEDD ile beslenmektedir. HEDD’nin çıkış işaret portları 50Ω yükler ile
sonlandırılmıştır. Akım probu akım taşıyan güç hatlarına takılmıştır ve spektrum
analizöre bağlanmıştır. Spektrum analizörde alınan ham ölçümlere akım probu
transfer empedansı ve HEDD empedansının eklenmesiyle gerçek ölçüm sonucu elde
edilmiştir. Alınan ölçüm kayıtlarının tutulması ve frekans taramasının yapılması için
spektrum analizörün yazılımla kontrol edilmesi gerekmektedir.
99
Şekil 3.56. Ortak mod gürültü ölçüm test düzeneği [12]
Akım probunun içinden geçen artı ve eksi hatlardaki ortak mod akımları aynı
yöndedir. Akım probuyla alınan ölçümlerde ölçülen akım değerinin Eş.2.16’dan 2IOM
olduğu görülmektedir.
IAP = IARTI + IEKSİ = (IOM+IFM) + (IOM-IFM) = 2IOM
Şekil
3.56’te
oluşturulmuştur.
gösterilen
test
düzeneği
laboratuarda
(3.16)
Şekil
3.57’daki
gibi
100
Şekil 3.57. Ortak mod gürültü ölçüm laboratuar test düzeneği
Şekil 3.58. Ortak mod akım ölçümü için akım probunun bağlanışı
Şekil 3.58’de görüldüğü üzere (IOM+IFM) ile (IOM-IFM) akım gürültüleri akım
probundan aynı yönde geçmektedir. Toplamda 2xIOM kadar ortak mod akım
gürültüsü akım probundan geçmektedir.
101
Şekil 3.59. Cihazın dBµA cinsinden ortak mod gürültüsü
EMG gürültüsünden ayrıştırılan ortak mod gürültü sonucu Şekil 3.59’da verilmiştir.
Sistemin ortak mod gürültüsüne bakıldığında limitin üzerindeki gürültülerin güç
kartındaki DA/DA çeviricilerin anahtarlama frekans ve harmonik gürültüleri olduğu
görülmektedir. Grafikteki gürültü ölçüm değerleri 2IOM’dir yani sistemin normal
ortak mod gürültüsünden 6dB fazladır. Yazılımda test sonuç verilerine -6dB
eklenerek bu sorun giderilebilirdi. Fakat EMG süzgeç tasarımında, gürültü miktarının
ölçülen değerden daha yüksek kabul edilmesi tasarımın pratik ölçümlerde daha
başarılı olacağını göstermektedir.
Fark mod gürültü ölçümü
Fark mod gürültü ölçümünde 10kHz-10MHz frekans bandındaki fark mod gürültüler
yine Solar Electronics firmasının aynı akım probuyla ölçülmüştür. Ölçümde ortak
mod gürültü ölçümünde kullanılan yazılım kullanılmıştır. Fark mod gürültü ölçüm
test düzeneği Şekil 3.60’da ve Şekil 3.61’de verilmiştir.
102
Şekil 3.60. Fark mod gürültü ölçüm test düzeneği [12]
Akım probunun içinden geçen güç hatlarında sadece fark mod gürültüleri ölçmek
için ortak mod gürültüleri sıfırlamak gerekmektedir. Bunun için artı hat akım
probundan direkt geçerken, eksi hat akım probunun HEDD tarafından yani artı hatta
göre ters taraftan geçirilmektedir. Böylece akım probu üzerinde, artı ve eksi hattan
aynı yönde akan ortak mod akımlarının yarattığı manyetik akılar birbirlerini
sıfırlarken sadece fark mod gürültülerin yarattığı manyetik akı oluşmaktadır. Akım
probuyla alınan ölçümlerde ölçülen akım değerinin 2IDM olduğu görülmektedir.
IAP = IARTI - IEKSİ = (IOM+IFM) - (IOM-IFM) = 2IDM
(3.17)
Şekil 3.60’da verilen test düzeneği kurularak alınan ölçüm sonucu aşağıda
verilmiştir.
103
Şekil 3.61. Fark mod gürültü ölçüm laboratuar test düzeneği
Şekil 3.62. Fark mod akım ölçümü için akım probunun bağlanışı
Şekil 3.62’de görüldüğü üzere (IOM+IFM) ile (IOM-IFM) akım gürültüleri akım
probundan zıt yönde geçmektedir. Toplamda 2IFM kadar fark mod akım gürültüsü
akım probundan geçmektedir.
104
Şekil 3.63. Cihazın dBµA cinsinden fark mod gürültüsü
Şekil 3.63’teki sistemin fark mod gürültüsüne bakıldığında, fark mod gürültülerinin
genelde düşük frekanslı gürültüler olduğu görülmektedir. Grafikteki gürültü ölçüm
değerleri 2IDM’dir yani sistemin normal ortak mod gürültüsünden 6dB fazladır.
Sistemin fark mod gürültüsü bazı frekanslarda limiti geçmiştir. Fakat düşük
frekanslardaki gürültülerin de limite oldukça yakın olduğu gözlenmektedir.
Sistemin EMG gürültü analizi
Sistemin ortak ve fark mod gürültü ölçümlerinden görüldüğü üzere cihazın güç
kartından ortak mod gürültünün daha çok üretildiği görülmektedir. Buna göre
tasarlanacak olan EMG süzgeçte ortak mod gürültüleri bastırmak için ortak mod
süzgeç elemanlarına daha fazla ağırlık verilmesi gerekmektedir.
105
3.8. EMG Süzgeç Tasarımı
Bu bölümde, sistemin CE102 gürültü değerlerini zayıflatan ve sistemin MIL-STD461E standardının CE102 testinden başarı ile geçmesini sağlayan EMG Süzgeç
tasarımının detayları verilecektir. Sistemin CE102 testinden geçmesi için gereken
minimum zayıflatma değeri için kritik olan süzgecin kesim frekansı, rezonans
frekansı, araya girme kaybı ve süzgeç elemanlarının belirlenmesi bu bölümde
anlatılacaktır. Teorik olarak tasarlanan devrenin benzetimi FILPRO benzetim
programında yapılmış olup teorik hesaplama ile pratik ölçümler arasındaki farkın
nedenleri de yine bu bölümde anlatılacaktır.
3.8.1. Gerekli zayıflama hesabı
Sistemin CE102 testinden geçmesi için gereken asgari zayıflama hesabı, ölçülen
ortak mod ve fark mod değerlerinden test limitlerinin çıkarılmış halidir. EMG
gürültüsü üreten kaynağın ve EMG gürültü alıcısının yük empedansları
bilinmediğinden ve bu empedansların 50Ω empedans uyumluluğundan farklı
olabileceğinden, EMG süzgeç tasarımında gereken bastırma değerleri ölçüm
sonuçlarından daha fazla alınmalıdır.
Sistemin EMG gürültüsünün CE102 test limitinin altında kalması için süzgecin
bastırması gereken bastırma miktarı Şekil 3.64’te verilen gürültü spektrumundan test
limit eğrisi çıkarılarak elde edilir. Bu fark süzgecin gürültüyü bastırması gereken
AGK değerini göstermektedir.
106
Şekil 3.64. Gereken bastırma eğrisi [7]
Şekil 3.65. Ortak mod gürültüyü bastırmak için gerekli zayıflama değerleri
107
Şekil 3.65’te gösterildiği gibi limitin üzerinde olan ortak mod gürültüsü 400kHz’ten
başlayıp 10MHz’e kadar sürmektedir. Gereken bastırma miktarının minimum 35dB
olması gerektiği görülmektedir.
Şekil 3.66’da görüldüğü üzere limitin üzerinde olan fark mod gürültüsü dar bantlı bir
gürültü olup 300kHz-400kHz civarındadır. Gereken bastırma miktarının asgari 10dB
olması gerektiği görülmektedir.
Şekil 3.66. Fark mod gürültüyü bastırmak için gerekli zayıflama değerleri
3.8.2. Süzgeç topolojileri
Şekil 3.67’de gösterilen genel EMG süzgeç yapısında, fark mod indüktör ve
kapasitörler ile ortak mod bukağı ve ortak mod kapasitörler bulunmaktadır. Ortak
mod gürültülerin fazla olduğu sistemlerde, süzgeçte yoğun olarak ortak mod pasif
malzemelere daha fazla yer verilmektedir. Fark mod gürültülerin fazla olduğu
sistemlerde, hem ortak mod hem de fark mod pasif malzemeler kullanılmaktadır.
108
EMG süzgeçlerde dirençler çok fazla kullanılmamaktadır. Sadece, süzgeçlerde
kullanılan fark mod kapasitörler değeri çok büyük seçildiğinde (yüzlerce µF
değerinde), bu kapasitörlerin yüklerini boşaltmak için “bleeder” adı verilen dirençler
kullanılmaktadır.
Şekil 3.67. Genel EMG süzgeç topolojileri [7]
Ortak mod gürültülere karşı etkin bastırma sağlayan ortak mod bukağı ve ortak mod
kapasitörlerdir. Ortak mod bukağının sızıntı indüktörü ve ortak mod kapasitörler fark
modu gürültüyü de bastırmaktadır. Fark mod gürültülere karşı bastırma sağlayan
diferansiyel indüktörler ortak mod gürültüleri de bastırmaktadır. Com kapasitansına
sahip ortak mod kapasitörler fark mod gürültüleri bastırmada Com/2 kapasitansı kadar
etki yapmaktadır.
Lom_sızıntı
Farksal Mod
Gürültü Alıcı Cihaz
2Ldm
Com/2
Cdm
Şekil 3.68. Genel EMG süzgeç topolojisinin fark mod eşdeğer devresi
Farksal Mod
Gürültü Kaynağı
109
Ldm/2
Lom
Ortak Mod Gürültü
Alıcı Cihaz
2Com
Ortak Mod Gürültü
Kaynağı
Şekil 3.69. Genel EMG süzgeç topolojisinin ortak mod eşdeğer devresi
Süzgeç topolojisinin fark modu ve ortak modu eşdeğer devreleri Şekil 3.68’de ve
Şekil 3.69’da verilmiştir. Cx kapasitörler Cy kapasitörlerden genelde çok daha büyük
olduklarından Cx fark modu gürültü bastırmada daha etkindir. Cx kapasitörleri artı ve
eksi hatlar arasına bağlandığından, şaseyle bağlantıları olmadığından ortak mod
gürültü bastırmasında etkili değildirler. Cy kapasitörler güç hatlarından şaseye
bağlandığından ortak mod gürültüyü bastırmada etkindirler. Aynı zamanda Cy
kapasitörü, artı ve eksi hatlar şase üzerinden birleştiğinden fark modu bastırmada da
etkindirler.
Lom ortak mod bukağı, ortak mod gürültüleri bastırmada Cy kapasitörlerine göre çok
etkindir. Ortak mod bukağı, üzerinde oluşan manyetik akılar zıt yönlü olduğundan
fark modu gürültülere karşı sıfır empedans göstermektedir. Ortak mod bukağının
sızıntı indüktansı da fark modu gürültüleri bastırmada etkindir. İdeal bir ortak mod
bukağında sızıntı indüktansı sıfırdır. Sızıntı indüktörü ne kadar büyükse ortak mod
bukağının doyuma girmesi için gereken akım miktarı o kadar küçüktür. Ld
diferansiyel indüktansı, hem artı hatta hem eksi hatta olduğundan fark mod ve ortak
mod gürültüleri bastırmada etkindir.
3.8.3. Süzgeç elemanlarının belirlenmesi
Süzgeç elemanları süzgecin etkin olmaya başladığı frekans olan kesim frekansına
göre belirlenmektedir. Eleman sayısı ise, gerekli zayıflama miktarına göre
değişmektedir.
110
Süzgecin kesim frekansı, eleman sayısı belirlendikten sonra çizim yöntemiyle
belirlenebilmektedir [7]. İdealde, araya girme kaybı grafiğinin ilk tepe değerinden
başlayıp çizilen teğet çizginin eğimi süzgeçte kullanılacak eleman sayısını
belirlemektedir. Doğrunun frekans eksenini kestiği nokta süzgecin kesim frekansıdır.
İdeal durumda her bir pasif malzeme 20dB/dekad gürültü bastırmasına sahiptir. LC
tipinde bir süzgeç 40dB/dekad, π tipinde bir süzgeç ise 60dB/dekad’lık gürültü
bastırma değerine sahiptir. Ortak mod gürültüyü bastırmak için gerekli zayıflama
miktarına bakıldığında 40dB/dekad’lık bir bastırma ortak mod gürültüyü süzebiliyor
görünmektedir. Yani ortak mod eşdeğer devresinde iki adet pasif malzemeyle LC tipi
süzgeç kullanmak ortak mod gürültüyü süzmek için yeterlidir. Şekil 3.70’deki
grafikte 40dB/dekad çizgisi güvenlik payı bırakılarak çizilmiştir.
Şekil 3.70. Ortak mod araya girme kayıp çizelgesi
Şekil 3.71’deki ortak mod eşdeğer devresi kullanılarak, ortak mod süzgeç elemanları
hesaplanabilmektedir. Fkesim frekansının 50kHz olduğu yukarıdaki grafikten
belirlenmiştir.
Fkesim = 1/2π(LomCom)1/2
(3.18)
111
Lom
ARTI, EKSİ
HAT
Com
GERÇEK
TOPRAK
Şekil 3.71. Ortak mod eşdeğer devre
Com=2Cy iken Cy =10nF seçildiğinde, Eş. 3.18.’den Lom değeri=507µH
bulunmaktadır. Ortak mod gürültüleri bastırmak için iki adet pasif ortak mod elemanı
yeteceğinden bir adet ortak mod bukağı ve bir adet de kapasitör kullanılacaktır.
CE102 ölçümü yapılırken güç hatları HEDD’ye bağlandığından yüksek empedans
gösteren yer HEDD’dir. Bu yüzden kapasitans HEDD’ye bakacak şekilde süzgeç
elemanları yerleştirilmelidir. Ortak mod kapasitörler 10nF seçildiğinde (EK-5 Ortak
ve Fark Mod Kapasitör Verileri), ortak mod bukağı 507µH olarak hesaplanmaktadır
(EK-4 Ortak Mod Bukağı Verileri). Bu değerde ortak mod bukağı bulunamadığından
yakın değerde bir malzeme seçilmiştir. Ortak mod bukağı olarak 470µH indüktans
değerine, 8mΩ DA direncine ve 14A akım değerine sahip malzemesi seçilmiştir.
Seçilen ortak mod malzemeleri kullanıldığında ortak mod süzgecinin kesim frekansı
aşağıdaki gibidir.
Fkesim = 1/2π[(470x10-6)(20x10-9)]1/2
(3.19)
Fkesim =51,936kHz
Yukarıda belirtilen ortak mod elemanları kullanıldığında ortak mod süzgecin kesim
frekansı teorik olarak 51,936kHz’tir. İstenen 50kHz kesim frekansına çok yakın
olduğundan bu malzemeler tasarım açısından kabul edilebilir.
112
Benzer şekilde, fark mod gürültü süzgecinin kesim frekansı da aynı metotla
belirlenmiştir. Sistemin fark mod gürültüsü oldukça azdır. Diferansiyel komponent
kullanarak elde edilecek süzgeç ile 20dB/dekad’lık bir araya girme kaybı elde
edilebilir ve bu değer fark mod gürültüleri bastırmak için yetecektir. 20dB’lik
bastırma için bir adet indüktör veya kapasitör kullanılabilir. İndüktörlerin ısıl
sorunlarından dolayı kapasitör kullanımı tercih edilmiştir. Şekil 3.72’deki grafikte
20dB/dekad çizgisi güvenlik payı bırakılarak çizilmiştir.
Şekil 3.72. Fark mod araya girme kaybı
Şekil 3.73’teki fark mod eşdeğer devresi kullanılarak, fark modu süzgeç elemanı
aşağıdaki gibi bulunmaktadır. Tek bir kapasitör kullanılarak elde edilen süzgecin
kesim frekans formülü Eş.3.20’de verilmiştir [7].
Fkesim = 1/πRCdm
(3.20)
Kesim frekansının 10kHz olduğu Şekil 3.72’de görülmektedir. Gürültü kaynak ve
gürültü alıcı yük empedanslarının 50Ω olduğu varsayılırsa; fark mod gürültüleri
20dB/dekad’lık araya girme kaybına sahip kapasitörle süzmek için 639,94nF’lık
kapasitör kullanılması gerekmektedir.
113
Şekil 3.73. Fark mod eşdeğer devresi
Ortak mod kapasitörler, fark mod gürültüleri bastırmada Cy/2 kapasitansı kadar etki
yapmaktadır.
Dolayısıyla
Cdm=Cx+Cy/2
kapasitansının
639,94nF
olması
gerekmektedir. Cy kapasitansı 10nF olduğundan kullanılacak fark mod kapasitör
değeri 634,94nF olarak belirlenmiştir. Bu kadar hassas değerde kapasitör temini zor
olacağından en yakın değere sahip kapasitör kullanılmıştır. Fark mod kapasitör
olarak 680nF’lık kapasitör seçilmiştir (EK-5 Ortak ve Fark Mod Kapasitör Verileri).
Bu durumda fark mod süzgecin kesim frekansı yeniden hesaplanmıştır ve teorik
olarak 9,366kHz bulunmuştur. İstenen 10kHz kesim frekansına çok yakın
olduğundan bu malzeme kabul edilebilir. Tasarlanan EMG Süzgecin devre şeması
Şekil 3.74’te verilmiştir.
ARTI HAT
Lom
470µH
Com
10nF
Cdm
680nF
GERÇEK TOPRAK
EKSİ HAT
Com
10nF
GERÇEK TOPRAK
Şekil 3.74. Teorik olarak tasarlanan EMG süzgeç devre şeması
114
3.8.4. Filpro benzetim programı
EMG Süzgecinin ortak mod ve fark mod süzgeç bloklarının araya girme kayıp
benzetimi FILPRO benzetim aracının 1.1 sürümüyle yapılmıştır. Benzetim
programında ortak mod ve fark mod eşdeğer devre benzetimi yapılabilmektedir.
Benzetim sonuçları verilmeden önce kısaca benzetim programından bahsedilmiştir.
Kullanılan benzetim aracı Şekil 3.75’teki gibi bir açılış arayüzüne sahiptir.
Şekil 3.75. Filpro açılış arayüzü
Şekil 3.75’teki arayüz ekrana geldiğinde “ESC” tuşuna basılarak proje açma
arayüzüne ulaşılır. Benzetim programında yeni bir proje açmak için Şekil 3.76’daki
gibi “File” sekmesinden “New” tıklanır.
Şekil 3.76. Filpro file sekmesi
115
EMG gürültü kaynağının ve EMG alıcı cihazın giriş empedanslarını ve süzgeç
malzemelerini benzetim programına girmek için Şekil 3.77’deki “Design”
sekmesinden “By Inserting Elements” tıklanır.
Şekil 3.77. Filpro “design” sekmesi
“By Inserting Elements” tıklanır ve EMG gürültü kaynağının (RSource) ve EMG
gürültülerine hassas alıcı cihaz (RLoad) empedansları Şekil 3.78’deki gibi girilir.
Şekil 3.78. Filpro “terminations” sekmesi
Empedanslar belirlendikten sonra, süzgeç elemanlarının girilmesi gerekmektedir. Bu
işlem Şekil 3.79’daki gibi EditInsert işlemiyle yapılır. “Insert Element” penceresi
açılır ve bu pencereden eğer malzemeler ideal olarak girilecekse “Lossless Lumped
Elem.”, parazitik parametreler de girilecekse “Lossy Lumped Elem.” işaretlenerek
“OK” tuşuna basılır.
116
Şekil 3.79. Filpro “edit” sekmesi
“Lossless Lumped Elem.” kutucuğunun içinde ortak mod ve fark mod süzgeç
tasarımı için kullanılabilecek pasif malzemeler vardır. Şekil 3.80’deki gibi
malzemeler tıklanarak malzemelerin değerleri girilir.
Şekil 3.80. Filpro “lossless lumped elem.” kutucuk içeriği
“Lossy Lumped Elem.” kutucuğunun içinde parazitik elemanlara sahip olan ortak
mod ve fark mod süzgeç malzemeleri yer almaktadır. Şekil 3.81’deki gibi
malzemeler tıklanarak malzemelerin değerleri girilir.
117
Şekil 3.81. Filpro “lossy lumped elem.” kutucuk içeriği
Ortak mod veya fark mod süzgeç topolojileri benzetim programında hazırlandıktan
sonra AGK grafiğini çizdirme işlemi Şekil 3.82’deki “Plot” sekmesinden
yapılmaktadır. Plot Insertion Loss kutucuğu işaretlenerek AGK grafiğinin frekans,
minimum ve maksimum değerleri girilir.
Şekil 3.82. Filpro “plot” sekmesi
3.8.5. Tasarlanan EMG süzgecin bilgisayar benzetimleri
Teorik olarak tasarlanan EMG Süzgecin ortak mod ve fark mod süzgeç bloklarının
araya girme kayıp grafikleri FILPRO benzetim programı kullanılarak elde edilmiştir.
Ayrıca FILPRO’da süzgeç elemanlarının parazitik elemanları (yüksek frekans
modelleri) göz önüne alınarak araya girme kayıp grafikleri elde edilmiştir.
FILPRO benzetim programında tanımlı kapasitör ve indüktör yüksek frekans
modelleri Şekil 3.83’te verilmiştir.
118
L
R
C
Şekil 3.83. İndüktör yüksek frekans eşdeğer devre modeli
İndüktör yüksek frekans eşdeğer devre modelindeki C kapasitansı, indüktörün
sarımları arasındaki kapasitansı gösteren, dolayısıyla da indüktörün rezonans
frekansını belirleyen ana eleman olup indüktöre paraleldir. R direnci ise, indüktör
sarımlarının DA ve AA direnci olup indüktöre seridir.
L
C
Rs
Rp
Şekil 3.84. Kapasitör yüksek frekans eşdeğer devre modeli
Şekil 3.84’teki kapasitörün yüksek frekans eşdeğer devre modeline bakıldığında, L
indüktörü kapasitörün terminasyon ve elektrodundaki indüktif direnç olup kapasitöre
seridir. Kapasitörü rezonansa sokan ana etken bu parametredir. L değeri, ne kadar
119
düşük olursa kapasitörün rezonans frekansı o kadar yüksek olur. Rs, kapasitör
elektrotlarının direnci olup kapasitöre seridir. Genelde düşük değerdedir.
Rp, kapasitörün yalıtım direnci olup kapasitöre paraleldir. Kapasitörün elektrotları
arasındaki gerilimin, elektrotlar arasında akan sızıntı akıma oranı olarak da
tanımlanır.
Sistem güç kartlarında bulunan DA/DA çeviricilerin giriş empedansları, anahtarlama
esnasında güç hatlarının kısa devre olması nedeniyle çok düşüktür. Bu nedenle EMG
gürültü kaynağının empedansı 0,1Ω gibi düşük bir değer alınmıştır. EMG
gürültüsüne hassas alıcının empedansı ise HEDD’nin empedansı olan 50Ω alınmıştır.
Fark mod eşdeğer devre benzetim sonuçları
EMG Süzgecin ideal ve ideal olmayan fark modu eşdeğer devre modeli Şekil 3.85’te
ve Şekil 3.86’da gösterilmiştir. Fark mod gürültü kaynağı akım kaynağı olarak
gösterilmiştir. Bu akım kaynağının empedansı, DA/DA çeviricilerin giriş empedansı
olduğundan düşük değer (0,1Ω) ve ideal durum (50Ω) için girilmiştir. Ortak mod
kapasitörlerinin fark mod gürültüleri bastırması Cy/2 olarak gösterilmiştir. Fark mod
gürültüleri bastırmada Cx daha yüksek kapasitansa sahip olduğundan daha etkindir.
EMG gürültülerine hassas olan alıcı devre ise HEDD olduğundan fark mod eşdeğer
devresi 2xZhedd olarak gösterilmiş olup modelde yer almıştır. HEDD empedansı
50Ω olarak alınmıştır.
Şekil 3.85. İdeal fark mod eşdeğer devre bilgisayar benzetim modeli
120
Şekil 3.86. İdeal olmayan fark modu eşdeğer devre bilgisayar benzetim modeli
Fark modu eşdeğer devresindeki süzgeç elemanları ideal ve ideal olmayan (parazitik
elemanlar hesaba katılarak) olmak üzere iki benzetim yapılmıştır. İdeal olmayan fark
modu eşdeğer devresinde fark mod ve ortak mod kapasitörlerin parazitik
elemanlarının yanı sıra ortak mod bukağının sızıntı indüktörü (Lom_sızıntı) de
benzetime dâhil edilmiştir. Ortak mod bukağının sızıntı indüktör değeri malzemenin
özelliklerinde olmamakla birlikte firma ile yazışmalar neticesinde 4,5µH olduğu
öğrenilmiştir.
50Ω EMG kaynak empedansı için ideal ve ideal olmayan fark modu eşdeğer devre
benzetim sonuçları
EMG kaynak empedansı 50Ω iken elde edilen ideal ve ideal olmayan fark modu
eşdeğer devrenin benzetim sonuçları Şekil 3.87’de ve Şekil 3.88’de verilmiştir.
121
Şekil 3.87. 50Ω EMG kaynak için ideal fark modu eşdeğer devrenin kesim frekansı
benzetim sonucu
Şekil 3.87’deki grafikten görüldüğü üzere EMG süzgecinin ideal fark modu eşdeğer
devresinin kesim frekansı yani bastırma miktarının 3dB olduğu frekans 9,35kHz
olarak analiz edilmiştir. 50Ω’luk sistem için teorik olarak hesaplanan 9,366kHz
değerine oldukça yakındır. Teorik hesap ile benzetim sonucu elde edilen değerlerin
örtüştüğü görülmektedir.
122
Şekil 3.88. 50Ω EMG kaynak için ideal fark modu eşdeğer devrenin benzetim
sonucu
Şekil 3.88’de görüldüğü üzere fark modu eşdeğer devrenin araya girme kaybı
10MHz’e kadar çizdirilmiştir. Benzetim sonucunda, 10MHz’teki AGK değeri
60,57dB olarak görülmektedir. Fark modu eşdeğer devrenin 10MHz’teki AGK
değerini teorik olarak hesaplamak gerekirse;
AGK (dB)=20log[(1+[50πfC]2)1/2]
(3.21)
AGK (dB)=20log[1067,6]=60,568dB'dir.
Benzetim sonucunda elde edilen değerle teorik hesap sonucu birebir aynıdır. Ayrıca
teoride her bir pasif malzeme 20dB/dekad’lık gürültü bastırma değerine sahiptir.
Şekil 3.88’deki grafikte kırmızı kare içine alınmış tabloda; fark mod eşdeğer
devrenin 1MHz ile 10MHz’teki gürültü bastırma miktarlarının farkının yaklaşık
20dB olduğu görülmektedir.
123
İdeal olmayan fark modu eşdeğer devrenin parazitik eleman değerleri aşağıdaki
tabloda verilmiştir. Fark mod ve ortak mod kapasitörlerinin üretici firma tarafından
verilen teknik özelliklerinde parazitik değerler belirtilmemiştir. Kapasitörlerin bacak
uzunluğu olmadığından indüktör ve direnç değerleri sıfıra yakındır. Rp değerleri ise,
EK-5’te verilen teknik özellik bilgilerinden 1000MΩ@250C olarak girilmiştir.
Çizelge 3.6. Fark mod ve ortak mod kapasitörlerin parazitik eleman değerleri
Kapasitör Tipi
Cx
Cy
C
680nF
10nF
Rp
1000MΩ
1000MΩ
Rs
2mΩ
2mΩ
L
0H
0H
Fark modu gürültü bastırmasına etkisi bulunan ortak mod bukağının sızıntı indüktans
değeri (Lom_sızıntı) 4,5µH ve diğer parazitik elemanlar hesaba katılarak elde edilen
araya girme kaybı grafiği Şekil 3.89’da verilmiştir
Şekil 3.89. 50Ω EMG kaynak için ideal olmayan fark modu eşdeğer devrenin
benzetim sonucu
124
Süzgeç kapasitörlerinin indüktans değerleri sıfırdır. Ortak mod bukağının sızıntı
indüktörü de süzgeç görevi görmektedir ve süzgeç yapısı LC gibi davranmaktadır.
Bu yüzden elde edilen AGK değerleri, ideal fark modu eşdeğer devrenin değerlerine
göre daha yüksektir. Bunun temel nedeni ideal olmayan fark mod eşdeğer devrenin
LC süzgeç gibi davranmasıdır. İdeal olmayan fark mod süzgeç 10MHz’te 75dB’lik
bastırma değerine sahiptir.
0,1Ω EMG kaynak empedansı için fark modu eşdeğer devre benzetim sonuçları
EMG kaynak empedansı 0,1Ω iken elde edilen ideal ve ideal olmayan fark modu
eşdeğer devrenin benzetim sonuçları Şekil 3.90’da ve Şekil 3.91’de verilmiştir.
Şekil 3.90.
0,1Ω EMG kaynak için ideal fark modu eşdeğer devrenin benzetim
sonucu
125
EMG kaynak empedansının düşük olmasının süzgeç performansını da olumsuz
şekilde etkilediği görülmektedir. Şekil 3.88’de görüldüğü üzere EMG kaynak
empedansı 50Ω iken fark modu süzgecin AGK değeri 60,57dB@10MHz’dir. Şekil
3.90’da görüldüğü üzere EMG kaynak empedansı 0,1Ω iken fark modu süzgecin
AGK değeri 27,55dB@10MHz’dir.
İdeal olmayan fark mod süzgecin araya girme kayıp grafiği Şekil 3.91’de verilmiştir.
Süzgecin fark modu AGK değeri 33,015dB@10MHz’tir. Ortak mod bukağının
sızıntı indüktörü süzgeç görevi görmektedir. Bu yüzden süzgeç yapısı LC gibi
davranmaktadır. Elde edilen AGK değerleri, ideal fark modu eşdeğer devrenin
değerlerine göre daha yüksektir. Bunun temel nedeni ideal olmayan fark mod
eşdeğer devrenin LC süzgeç gibi davranmasıdır.
Şekil 3.91.
0,1Ω EMG kaynak için ideal olmayan fark modu eşdeğer devrenin
benzetim sonucu
126
EMG kaynak ve EMG gürültülerine hassas alıcı yük empedansları arasındaki
uyumluluğa göre EMG süzgecin gürültüye karşı gösterdiği AGK karakteristiği
değişmektedir. Empedans uyumsuzluğu ne kadar az olursa süzgeç performansı o
kadar iyi olmaktadır.
Ortak mod eşdeğer devre benzetim sonuçları
EMG Süzgecin ortak mod eşdeğer devre modeli aşağıda verilmiştir. EMG Süzgeçte
ortak mod gürültü bastırmasında etken elemanlar, ortak mod bukağı ve ortak mod
kapasitörlerdir. Fark mod elemanların ortak mod gürültünün bastırılmasında etkisi
yoktur. Ortak mod gürültü üreteci akım kaynağı olarak modellenmiştir. HEDD’in
empedansı, Şekil 3.92’deki ortak mod elektriksel devre şemasından Zhedd/2 olarak
modellenmiştir.
Şekil 3.92. İdeal ortak modu eşdeğer devre bilgisayar benzetimi
Bukağının ortak mod gürültüyü bastırmasında etkin olan bukağının parazitik
elemanlarıdır. Bunlar sarımların direnci (Rom) ve sarımlar arası kapasitanstır (Comb).
Ortak mod kapasitörlerin parazitik elemanları da benzetim devresine eklenmiştir.
127
Şekil 3.93. İdeal olmayan ortak mod eşdeğer devre bilgisayar benzetimi
50Ω EMG kaynak empedansı için ideal ve ideal olmayan ortak mod eşdeğer devre
benzetim sonuçları
EMG kaynak empedansı 50Ω iken, elde edilen ideal ve ideal olmayan ortak mod
eşdeğer devrenin benzetim sonuçları aşağıda verilmiştir:
Şekil 3.94. 50Ω EMG kaynak için ideal ortak mod eşdeğer devrenin kesim frekansı
benzetim sonucu
128
Şekil 3.94’teki grafikten, EMG süzgecinin ideal ortak mod eşdeğer devresinin kesim
frekansının 50kHz olduğu görülmektedir. Bu değer teorik hesaplamalar sonucu elde
edilen 51,936kHz’e oldukça yakındır.
Şekil 3.95.
50Ω EMG kaynak için ideal ortak mod eşdeğer devrenin benzetim
sonucu
İdeal ortak mod eşdeğer devresi “LC” tip süzgeçtir. Dolayısıyla ideal durumda AGK
değerleri her frekansta “C” tip süzgece göre daha yüksektir. Şekil 3.95’teki benzetim
sonucundan görüldüğü üzere ortak mod süzgecin 1MHz ve 10MHz’teki AGK
değerleri arasındaki fark yaklaşık 40dB’dir. Yani her bir malzemenin 20dB/dekad
bastırma sağladığı görülmektedir.
İdeal olmayan ortak mod eşdeğer devresinde bulunan ortak mod bukağının parazitik
elemanları aşağıda verilmiştir. Ortak mod bukağının teknik özellik sayfasında
malzemenin sarımlar arası kapasitansı verilmemiştir. Ortak mod süzgecin rezonans
129
frekansını daha çok bu parametre belirleyeceğinden öncelikli olarak bu malzemenin
sarımlar arası kapasitansı yaklaşık olarak hesaplanmıştır. Aşağıdaki grafik ortak mod
bukağının frekans & empedans eğrisini göstermektedir. Empedansın tepe yaptığı
frekans, AGK değerinin maksimum olduğu frekansı, dolayısıyla da rezonans
frekansını göstermektedir. Malzemenin rezonans frekansının 3MHz olduğu Şekil
3.96’daki grafikten görülmektedir. Rezonans frekans formülünden ortak mod
bukağının sarımları arasındaki kapasitans değeri bulunabilir.
Frezonans = 1/2π(LC)1/2
(3.22)
Frezonans = 3MHz =1/2π(470x10-6 xC)1/2
Sarımlar arası kapasitans C=6pF olarak hesaplanmıştır.
Şekil 3.96. Ortak mod bukağının empedans & frekans eğrisi [20]
Ortak mod eşdeğer devresindeki malzemelerin parazitik etkileri hesaba katılarak elde
edilen AGK benzetim sonucu Şekil 3.97’de verilmiştir. İdeal olmayan ortak mod
eşdeğer devrenin AGK grafiğine bakıldığında ortak mod süzgecin rezonans
frekansının ortak mod bukağının rezonans frekansı ile aynı olduğu yani 3MHz
olduğu görülmektedir. Ortak mod süzgecin rezonans frekansını, ortak mod
130
gürültüleri bastırmada en etkin malzeme olan ortak mod bukağının sarımlar arası
kapasitansı belirlemektedir.
Şekil 3.97.
50Ω EMG kaynak için ideal olmayan ortak mod eşdeğer devrenin
benzetim sonucu
0.1Ω EMG kaynak empedansı için ideal ve ideal olmayan ortak mod eşdeğer devre
benzetim sonuçları
EMG kaynak empedansı 0,1Ω iken elde edilen ideal ve ideal olmayan ortak modu
eşdeğer devrenin benzetim sonuçları Şekil 3.98’de ve Şekil 3.99’da verilmiştir. EMG
kaynak empedansı düşük olduğundan, süzgecin kesim frekansının çok daha düşük
olduğu ve benzetim sonucunda bu frekansın belirlenemediği görülmektedir.
Benzetim programına, ortak mod elemanlar ideal olarak girildiği için sürekli artan bir
AGK grafiğine sahiptir. Ortak mod süzgecin 109dB@10MHz AGK değerine sahip
131
olduğu görülmektedir. Benzetim sonucuna göre ortak mod süzgeçte daha fazla
süzgeç elemanı olduğundan fark moduna göre gürültüyü daha fazla bastırmaktadır.
Şekil 3.98.
0,1Ω EMG kaynak için ideal ortak mod eşdeğer devrenin benzetim
sonucu
0,1Ω EMG Kaynak empedansına sahip ideal olmayan ortak mod eşdeğer devrenin
benzetim sonucuna göre, süzgeç devresinin rezonans frekansı 50Ω’luk sisteme göre
elde edilen benzetim sonucuyla aynı çıkmıştır. EMG kaynak empedansının süzgecin
rezonans frekansına etki etmediği görülmüştür. Süzgeç, rezonans frekansında
142dB@3MHz bastırma sağlamaktadır. Rezonans frekansından sonra süzgecin
gürültüyü bastırma etkinliği azalmaktadır.
132
Şekil 3.99.
0,1Ω EMG kaynak için ideal olmayan ortak mod eşdeğer devrenin
benzetim sonucu
3.8.6. Tasarlanan EMG süzgeç
Fark modu ve ortak mod gürültü ayrıştırılarak yapılan EMG süzgeç tasarımının ideal
ve ideal olmayan genel blok şeması Şekil 3.100’de ve Şekil 3.101’de verilmiştir.
Sistem giriş empedansı düşük empedans gösterdiğinden dolayı ortak mod bukağı
sistem tarafına yerleştirilmiştir. HEDD giriş empedansı 50Ω olduğundan dolayı da
ortak mod ve fark mod kapasitörler HEDD tarafına yerleştirilmiştir.
133
(+)
HEDD (+)
Lom
Cy
Cx
SİSTEM
Gerçek Toprak
(Şase)
HEDD (-)
(-)
Cy
Şekil 3.100. Tasarlanan ideal EMG süzgeç topolojisi
Csarım
Romb
(+)
HEDD (+)
Lom
Lom_sızıntı
Ly
Lx
Rsy
Rsx
SİSTEM
Rpy
Rpx
Cy
Cx
Gerçek Toprak
(Şase)
(-)
Romb
Lom_sızıntı
HEDD (-)
Ly
Rsy
Csarım
Cy
Rpy
Gerçek Toprak
(Şase)
Şekil 3.101. Tasarlanan ideal olmayan EMG süzgeç topolojisi
Tasarlanan EMG süzgecin tam etkili çalışabilmesi için bir takım hususlara dikkat
edilmesi gerekmektedir. Bu hususlar şu şekilde maddelenebilir:

Ortak mod kapasitörlerin tam etkili çalışabilmesi için kapasitörlerin
gürültüleri toprağa attığı şase bağlantılarının sıfıra yakın bir empedansla bağlanması
gerekmektedir. Kapasitör hatlarının mümkün olduğu kadar kısa ve kalın olması
gerekmektedir [7].
134

Direnç ve indüktör bacakları ise birbirlerinden mümkün olduğunca uzağa
yerleştirilmelidir [7].

İndüktörler, süzgecin metal plakasından ve kartın toprak katmanlarından
kapasitif bağlaşım olması nedeniyle, süzgeç kutusundan ve kartın toprak
katmanlarından uzağa yerleştirilmesi gerekmektedir [7].

Süzgeç içinde RF yayılımı engellemek için süzgecin giriş ve çıkış işaret
portlarının birbirlerinden uzak tutulması gerekmektedir [7].

Kullanılan ortak mod bukağının manyetik alandan kolay etkilendiğinden
ortak mod bukağı µ-metal malzeme içerisine konulması gerekmektedir [7].

Fark modu ve ortak mod kapasitörleri en kısa mesafeden “Veeing” metodu
kullanılarak bağlanmalıdır. Bu yöntemle fark modu ve ortak mod kapasitörlerin
parazitik hat indüktansı, direnci azalmakta ve süzgecin rezonans frekansı
artmaktadır.
Şekil 3.102. “Veeing” metodu [15]

EMG Süzgeç tasarlandıktan ve metal kutusuna monte edildikten sonra dikkat
edilmesi gereken nokta metal kutunun sistem içine montajı sırasında şase
bağlantılarının mümkün olduğunca düşük empedansla yapılmasıdır. Şekil 3.103’te,
iyi ve kötü yapılmış süzgeç serimleri gösterilmektedir [7].
135
Şekil 3.103. EMG süzgeç serimi [7]
136
4.
TASARLANAN DEVRELERİN TEST SONUÇLARI
Tasarlanan EMG süzgeç sistemle birlikte çalıştırılarak CE102 test sonuçları elde
edilmiştir. Elde edilen sonuçlar bir sonraki alt bölümde verilmiştir.
4.1. Süzgeçleme Sonrası CE102 Gürültü Ölçüm Sonuçları
Bu bölümde, tasarlanan EMG süzgeç sisteme entegre edildikten sonra alınan CE102
gürültü ölçümleri, akım probuyla alınan ortak mod ve fark mod ölçüm sonuçları
değerlendirilecektir.
Şekil 4.1’de EMG süzgeçleme sonrası alınan ortak mod gürültü ölçüm sonucuna
göre, süzgeçlemeden önceki ölçümlerde görülen 400kHz ve civarındaki DA/DA
çeviricilerin
anahtarlama
frekans
ve
harmonik
gürültülerinin
süzüldüğü
görülmektedir. Ortak mod gürültüsünün bazı frekanslarda 40dB bastırıldığı
görülmektedir. Ortak mod süzgeci ile ortak mod gürültüsünün limitin en az 10dB ve
en fazla 20dB altına indirgendiği görülmektedir.
Şekil 4.1. EMG süzgeçleme sonrası ortak mod gürültü ölçüm sonucu
137
Şekil 4.2’de EMG süzgeçleme sonrası alınan fark mod gürültü ölçüm sonucuna göre,
tasarlanan tek katlı fark mod süzgeci fark modu gürültüleri süzerek limitin altına
indirgemiştir. Fark mod süzgecin bazı frekanslarda fark modu gürültüleri 20dB
bastırdığı görülmüştür. Fark mod süzgeci ile fark mod gürültüsünün limitin en az
10dB altına indirgendiği görülmektedir.
Şekil 4.2. EMG süzgeçleme sonrası fark mod gürültü ölçüm sonucu
Şekil 4.3’teki ve Şekil 4.4’teki EMG süzgeçleme sonrası sistemin artı ve eksi güç
hatlarından alınan CE102 test sonuçlarına göre, sistemin CE102 testinden başarı ile
geçtiği görülmektedir. Ortak mod ve fark mod gürültüleri toplamının görüldüğü
CE102 testinde, bu gürültülerin test limitinin altında kaldığı görülmektedir.
Tasarlanan EMG süzgecin başarıyla çalıştığı görülmektedir. EMG süzgeçsiz alınan
ölçümlerde gürültü seviyesi limitin 30dB üzerindeyken tasarlanan EMG süzgeç ile
gürültünün limitin en az 20dB altında kaldığı görülmektedir.
138
Test CE102 limit (28 V)
110.0
100.0
Amplitude (dBuV)
90.0
80.0
70.0
60.0
50.0
40.0
30.0
20.0
10.0
10.0K
100.0K
1.0M
10.0M
Frequency
Şekil 4.3. EMG süzgeçleme sonrası CE102 artı hat sistem gürültüsü
Test CE102 limit (28 V)
110.0
100.0
Amplitude (dBuV)
90.0
80.0
70.0
60.0
50.0
40.0
30.0
20.0
10.0
10.0K
100.0K
1.0M
10.0M
Frequency
Şekil 4.4. EMG süzgeçleme sonrası CE102 eksi hat sistem gürültüsü
4.2. Tasarımın MIL-STD-1275D’e Uyumluluğunun Test Edilmesi
Bu bölümde, MIL-STD-1275D standardında tanımlı 250V/70µs ani yükselen ve
100V/50ms dalgalanan işaretlerden sistemin korunması için tasarlanan koruma
bloğunun test kısımları anlatılacaktır.
Ani yükselen işaret testinde uygulanacak gerilimi üretecek olan cihaz “SPIKE
GENERATOR” cihazıdır. Bu işaret, sistemin sadece güç hatlarına artı ve eksi
polariteli uygulanmaktadır.
139
Dalgalanan işaret testinde uygulanacak gerilimi üretecek olan cihaz “SURGE
GENERATOR” cihazıdır. Bu işaret, sistemin sadece güç hatlarına artı polariteli
uygulanmaktadır.
4.2.1. MIL-STD-1275D standardı test sonuçları
Şekil 4.5’teki test düzeneği kurularak, sisteme MIL-STD-1275D standardında
tanımlı 250V/70µs ani yükselen işaret ve 100V/50ms dalgalanan işaret
uygulanmıştır. Bu standarttan başarı ile geçme kriteri, sistemin bu tehdit
işaretlerinden etkilenmemesidir. Önce sistem güç kaynağı ile beslenmiştir. Daha
sonra sistem kararlı duruma ulaştıktan sonra jeneratörden standartta tanımlı işaretler
uygulanmıştır.
SPIKE VE
SURGE
JENERATÖR
(+)
Elektronik
Kart
SİSTEM
(-)
(+)
Güç Kaynağı
(-)
OSİLOSKOP
Şekil 4.5. MIL-STD-1275D standardı test düzeneği
Ani yükselen işaret test sonuçları
Sisteme uygulanan ani yükselen işaret osiloskoba bağlanarak standartta tanımlı
genlik ve süre değerine sahip olup olmadığı önce osiloskopta izlenmiştir.
140
Uygulanacak işaret osiloskop görüntüsü Şekil 4.6’da verilmiştir. Uygulanan test
işaretinin dalga formu MIL-STD-1275D standardında tanımlı işaretle aynıdır. Test
işaretinin sönümlenme süresi osiloskop ile 70µs ölçülmüştür.
Şekil 4.6. MIL-STD-1275D standardında tanımlı ani yükselen işaret (250V/70µs)
süresi
Test işaretinin tepe genliği ise yaklaşık 250V olarak osiloskop görüntüsünden
okunmuştur. Tepe genliğinden sonra her periyotta genlik düşerek sönümlenmektedir.
İşaretin genliği Şekil 4.7’deki osiloskop çıktısından görülmektedir.
Şekil 4.7. MIL-STD-1275D standardında tanımlı ani yükselen işaret (250V/70µS)
genliği
141
“SPIKE” jeneratörünün standartta tanımlı test işaretini ürettiği kanıtlanarak bu test
işareti sistemin güç hatlarına uygulanmıştır. Tasarımın çıkış portundan alınan
osiloskop ölçümlerinden görüldüğü üzere, ani yükselen işaret koruma bloğu,
uygulanan işareti 44V’a kırparak sistemin zarar görmesini engellemiştir. Kırpılmış
çıkış işaretinin genlik değeri, tasarımda teorik olarak hesaplanan 40,706V-44,407V
gerilim aralığının içinde yer almaktadır. Teorik olarak tasarlanan devrenin pratikte
çalıştığı görülmektedir.
Şekil 4.8. 250V/70µs İşareti Uygulandıktan Sonra Çıkış İşareti
Dalgalanan işaret test sonuçları
Şekil 4.5’te verilen test düzeneğinde “SPIKE” üreteci yerine “SURGE” üreteci
kullanılarak test düzeneği oluşturulmuştur. Jeneratörün ürettiği dalgalanan işaret
sisteme uygulanmadan önce osiloskopta görüntülenerek standartta belirtilen genlik
ve süre değerlerine uygun olduğu doğrulanmıştır. Şekil 4.9’daki osiloskop
çıktısından görüldüğü üzere işaretin genlik değerinin 100V, işaret süresinin 50ms
olduğu saptanmıştır.
142
Şekil 4.9. MIL-STD-1275D standardında tanımlı dalgalanan işaretin genlik ve süresi
Doğrulama adımı gerçekleştirildikten sonra işaret sistem güç hatlarına uygulanmıştır.
Dalgalanan işaret sisteme uygulandıktan sonra elde edilen osiloskop çıktısı Şekil
4.10’da görülmektedir. Çıkış geriliminin 40,706V-44,407V aralığında olması
gerekmektedir. Kırpma süresinin ise uygulanan işaret süresi kadar yani 50ms olması
gerekmektedir.
Şekil 4.10. Dalgalanan işaret uygulandıktan sonra çıkış işaret genliği
143
Şekil 4.10’daki osiloskop çıktısından çıkış geriliminin 42,4V olduğu görülmektedir.
Bu gerilim değeri teorik olarak hesaplanan gerilim aralığının içindedir.
Şekil 4.11. Dalgalanan işaret uygulandıktan sonra çıkış işaretinin süresi
Şekil 4.11’deki osiloskop çıktısından kırpma süresinin 50ms olduğu görülmektedir.
Bu değer, dalgalanan işaret süresi ile aynıdır. Dalgalanan işaretinin sistem güç
hatlarına uygulanması bittiği andan itibaren sistem tekrar 28V’ta çalışmaya devam
etmektedir.
144
5.
SONUÇ VE ÖNERİLER
Bu tez kapsamında ilk olarak, 28VDA gerilimle çalışan askeri kara cihazlarının
platformlarda en çok karşılaştıkları sorunlardan biri olan gerilim kaynaklı ve geçici
işaretlerden sistemin zarar görmemesi için gerekli koruma devresi ele alınmıştır.
Yüksek genlikli, kısa süreli ani yükselen işaretlerden kısa süreli gerilim bastırıcı
kullanılarak, işaretin genlik seviyesinin sisteme zarar vermeyeceği genlik değerine
indirgenebildiği gözlenmiştir. Kısa süreli gerilim bastırıcı seçilirken işaretin enerji
içeriği dikkate alınmalıdır.
Dalgalanan işaretlerinin enerji içeriği, ani yükselen işaretlere oranla daha yüksek
olduğundan kısa süreli gerilim bastırıcı kullanılarak bu işaretlerin genlik değerleri
indirgenememektedir. Bu yüzden dalgalanan işaretlerin genlik değeri, ana hatta
konumlandırılan
NMOS’un
anahtarlanmasıyla
zararsız
gerilim
seviyesine
indirgenebilmiştir. Yapılan tasarımla, uygun NMOS’un seçilmesiyle geçici işaretin
genlik değeri ve süresi ne olursa olsun sistem bu işaretlerden korunabilmektedir.
LTSPICE benzetim programında yapılan teorik çalışmanın benzetim sonuçlarına
bakıldığında teorik tasarımla, osiloskopta elde edilmiş deney sonuçlarının örtüştüğü
görülmektedir.
Tez kapsamında yapılan diğer bir çalışma ise, güç kartlarında kullanılan DA/DA
çeviricilerden kaynaklanan ortak mod ve fark mod gürültülerin, MIL-STD-461E
standardında yer alan CE102 iletkenlik yollu yayınım gereksinimine uygun hale
getirilmesidir.
MIL-STD-461E standardında yer alan CE102 testine uygun olarak test düzeneği
kurulmuş ve sistemin 10kHz-10MHz frekans bandındaki gürültüsü ölçülmüştür. Bu
tez kapsamında EMG Süzgeci tasarımında kullanılan malzemelerin konumunu
belirlemek adına, sistemin gürültü bileşenleri akım probu yöntemiyle ayrıştırılmıştır.
145
Elde edilen gürültü bileşenlerinin akım bilgileri kullanılarak CE102 gereksinimine
uygun süzgeç için gerekli kesim frekansı ve zayıflama miktarı çizim yöntemiyle
hesaplanmıştır. Gerekli kesim frekansından ve zayıflama miktarından süzgecin ortak
mod ve fark mod malzemeleri belirlenmiştir.
Tasarlanan EMG süzgecin benzetimi, kullanılan süzgeç malzemelerinin ve
kullanılacak sistemin ideallik durumuna göre yapılmıştır. Süzgeç malzemelerinin
ideal ve parazitik elemanları göz önüne alınarak sistemin ideal ve ideal olmayan
durumlarına göre dört farklı benzetim sonucu elde edilmiştir. Tüm bu dört farklı
benzetim süzgecin ortak mod ve fark mod eşdeğer devreleri için ayrı ayrı yapılmıştır.
Belirlenen ideal fark modu süzgecin ideal ve ideal olmayan sistemler için yapılan
benzetim sonuçlarına bakıldığında, süzgecin araya girme kaybının ideal sistemlerde
daha yüksek olduğu görülmektedir. Bunun nedeninin, fark modu süzgeçte fark mod
kapasitörlerinin gürültüyü bastırmada daha etkin olması ve akım gürültülerinin EMG
kaynak empedansından daha düşük empedanslı bir yol olan kapasitörleri tercih
etmesi olduğu düşünülmektedir.
Fark modu süzgeç elemanlarının parazitik elemanları göz önüne alınarak yapılan
benzetim sonucunda, fark mod süzgecin araya girme kaybının her iki sistemde de
daha yüksek olduğu görülmektedir. Bunun nedeni, ortak mod bukağının sızıntı
indüktansının fark modu gürültüleri bastırmada etkin olmasıdır.
Belirlenen ortak mod süzgecin ideal ve ideal olmayan sistemler için yapılan benzetim
sonuçlarına bakıldığında, süzgecin araya girme kaybının ideal olmayan sistemlerde
daha yüksek olduğu görülmektedir. Bunun nedeninin, akım gürültülerinin kaynağına
geri dönmesi için mecburen ortak mod bukağının üzerinden geçmesi ve ortak mod
bukağının da ortak mod gürültüleri bastırması olduğu düşünülmektedir. Eğer ortak
mod bukağının önüne ortak mod kapasitörü konulsaydı akım gürültüleri kapasitör
üzerinden devreyi tamamlayacaktı ve gürültüler süzülemeyecekti.
146
Ortak mod süzgeç elemanlarının parazitik elemanları göz önüne alınarak yapılan
benzetim sonucunda, her iki sistemin araya girme kayıplarının süzgecin rezonans
frekansına kadar ideale göre daha yüksek olduğu görülmektedir. Ayrıca süzgecin
rezonans frekansının, ortak mod bukağının rezonans frekansıyla aynı olduğu
görülmektedir. Bunun nedeni, ortak mod bukağının ortak mod gürültüleri bastırmada
en etkili süzgeç malzemesi olmasıdır.
Tez çalışmasında yapılan teorik hesaplamaların pratik deneylerle birebir örtüştüğü
görülmüştür. Daha ileri çalışmalarda tezin kapsamı, 115VAA gerilimle beslenen
sistemlerin; yüksek genlikli ve kısa süreli geçici işaretlerden korunması ve sistemin
CE102 gereksiniminin pasif süzgeç elemanlarıyla değil de aktif süzgeçlerle
yapılması düşünülmektedir.
147
KAYNAKLAR
1. Sevgi, L., Akleman F., Özyalçın, M.O., “EM Kirlilik ve Modelleme Teknikleri”,
Bilişim Toplumuna Giderken EM Kirlilik Etkileri Sempozyumu, Ankara, (1999).
2. İnternet: Amerika Birleşik Devletleri “MIL-STD-1275D ve MIL-STD-461E
Standartları”
http://www.defense.gov/ (2012).
3. Yaman, Ö., “Electromagnetic Compatibility of Electric Power Quality Monitor
According to EN 61326 Standard”, Yüksek Lisans Tezi, Orta Doğu Teknik
Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Ankara (2007).
4. İnternet : ON Semiconductor Firması “KSGB Teknik Özellikleri”
http://www.onsemi.com/PowerSolutions/ (2012).
5. İnternet: VISHAY Firması “MOSFET Teknik Özellikleri”
http://www.vishay.com/product/ (2012).
6. İnternet : LINEAR TECHNOLOGY Firması “LT4356 HDE-2 Teknik Özellikler”
http://www.linear.com/product/ (2012).
7. Hartal, O., “Electromagnetic Compatibility by Design 3rd ed.”, Paperback
(Ciltsiz), R & B Enterprises, USA,1-451 (1995).
8. Chow, A.C., Perreault, D., “Design and Evaluation of a Hybrid Passive/Active
Ripple Filter with Voltage Injection”, IEEE Transactions on Aerospace and
Electronics Systems, 39 (2): 1-3 (2003).
9. Williams T., “EMC FOR PRODUCT DESIGNERS 3rd ed.”, Elsevier, Wareham,
1-352 (2001).
10. İnternet : Api Technologies Firması “Diskoidal Kapasitör Teknik Özellikleri”
http://eis.apitech.com/ (2012).
11. İnternet : EPCOS Firması “Direkt Beslemeli Kapasitör Teknik Özellikleri”
http://www.epcos.com/ (2012).
12. Önal, E., “Paralel Bağlı DA/DA Çeviriciler için CE102 Gereksinimine Uygun
Elektromanyetik Girişim Süzgeci Tasarımı”, Yüksek Lisans Tezi, Hacettepe
Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Ankara (2010).
13. Wang, S., Lee, F.C., Chen, D.Y., Odendaal, W.G., “Effects of Parasitic
Parameters on EMI Filter Performance”, IEEE Transactions on Power Electronics,
19 (3): 1-3 (2004).
14. İnternet : Voltech Instruments Firması “Sızıntı İndüktör Ölçüm Yöntemi”
148
http://www.voltech.com/Support/Search.aspx (2012).
15. Ozenbaugh, R.L., “EMI Filter Design 2nd ed.”, CRC Press, Portland, 111: 1-344
(2001).
16. İnternet : Fair-Rite Firmasının “İndüktör Teknik Özellikleri”
http://www.fair-rite.com/newfair/materials.htm (2012).
17. İnternet : Georgia State University “Remnance and Coercivity”
http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbase/solids/magperm.html (2012).
18. West, R. and Butler, C., “Common Mode Inductor for EMI Filters Require
Careful Attention to Core Material Selection”, PCIM Magazine, 1-8, (1995).
19. İnternet : Magnetics Firmasının “Ferit ve Toz Çekirdek Özellikleri”
http://www.mag-inc.com/products/ (2012).
20. İnternet : Pulse Electronics Firması “Ortak Mod Bukağının Teknik Özellikleri”
http://productfinder.pulseeng.com/product/ (2012).
149
EKLER
150
EK-1. LT4356 HDE-2 Teknik Özellikler
Şekil 1.1. LT4356HDE-2’nin pin konfigürasyonu
151
EK-1.(Devam) LT4356 HDE-2 Teknik Özellikler
Şekil 1.2. LT4356HDE-2’nin elektriksel özellikleri
152
EK-1.(Devam) LT4356 HDE-2 Teknik Özellikler
Şekil 1.3. LT4356HDE-2’nin performans karakteristiği 1
153
EK-1.(Devam) LT4356 HDE-2 Teknik Özellikler
Şekil 1.4. LT4356HDE-2’nin performans karakteristiği 2
154
EK-2. KSGB Teknik Verileri
Şekil 2.1. Kullanılan KSGB’nin teknik özellikleri
155
EK-3. NMOS Teknik Özellikleri
Şekil 3.1. Kullanılan NMOS’un teknik özellikleri 1
156
EK-3. (Devam) NMOS Teknik Özellikleri
Şekil 3.2. Kullanılan NMOS’un teknik özellikleri 2
157
EK-4. Ortak Mod Kapasitör Verileri
Şekil 4.1. Kullanılan ortak mod bukağının teknik özellikleri
158
EK-5. Ortak ve Fark Mod Kapasitör Verileri
Şekil 5.1. Kullanılan ortak mod ve fark modu kapasitörlerin teknik özellikleri 1
159
EK-5. (Devam) Ortak ve Fark Mod Kapasitör Verileri
Şekil 5.1. Kullanılan ortak mod ve fark modu kapasitörlerin teknik özellikleri 2
160
ÖZGEÇMİŞ
Kişisel Bilgiler
Soyadı, adı
Uyruğu
: AKSOY, Hasan Çağlar
: T.C.
Doğum Tarihi ve Yeri : 14.10.1987 Yozgat
Medeni Hali
: Evli
Telefon
: 0506 607 06 57
e-mail
: hasanaksoy87@hotmail.com
Eğitim
Derece
Eğitim Birimi
Yüksek Lisans (4,00) Gazi Üniversitesi / Elek.Elekt. Müh.
Mezuniyet Tarihi
2013
Lisans (3,57)
Gazi Üniversitesi / Elek.Elekt. Müh.
2009
Lise
Özel Arı Anadolu Lisesi
2005
İş Deneyimi
Yıl
Yer
Görev
2010-
ASELSAN
AR-GE Mühendisi
Yabancı Dil
İngilizce
Hobiler
Basketbol, Tenis, Müzik
Download