Işığın Elektromanyetik Tanımlanması: Madde Ortamında Elektromanyetik Dalga İçerik • • • • © 2008 HSarı Madde içinde Maxwell denklemleri Dielektrik ortamda Maxwell denklemleri Metal ortamda Maxwell denklemleri Maddenin optik sabitleri arasındaki ilişki 2 Madde İçinde Elektromanyetik Dalga Maxwell denklemleri (1) (2) (3) (4) ρ ∇ .E = εo ∇ .H = 0 ∂H ∇ × E = − µo ∂t ∂E ∇ × H = εo +J ∂t Boşluk için yukarıdaki denklemi çözüp ve hem E hem de H alanının dalga denklemini sağladığını göstermiştik Şimdi bu denklemleri maddesel bir ortam içinde çözmeye çalışalım Birbirinden farklı iki tür ortamdan bahsedebiliriz. Bunlar; Durum I: J=0 ( Dielektrik ortam, veya yalıtkan ortam veya transparent ortam) ρserbest=0 Durum II: J≠0 ( İletken ortam veya metalik ortam veya yansıtıcı ortam) ρserbest=0 © 2008 HSarı 3 Farklı Optik Ortamlar Dielektrik Ortam: J=0 ( Dielektrik ortam, veya yalıtkan ortam veya transparent ortam) ρserbest=0 Metalik Ortam: J≠0 ( İletken ortam veya metalik ortam veya yansıtıcı ortam) ρserbest=0 e e e e e e Dielektrik ρ=0, J=0 Net yük yoğunluğu sıfırdır ve serbest dolaşan yük bulunmaz © 2008 HSarı Metal ρ=0, J≠0 Net yük yoğunluğu sıfırdır Ancak serbest dolaşan yük(elektron) bulunur 4 Madde İçinde Elektromanyetik Dalga • Maddenin, dış elektrik alan etkisine tepkisi nasıldır? • Bu elektrik alan elektromanyetik dalgayı oluşturan elektrik alan (optik alan) bileşeni olduğunda maddenin tepkisi nasıl olur? • Bu tepkinin frekansa bağlılığı nasıldır? • Malzemenin elektrik alana tepkisini karakterize eden nicelikler ile maddenin optik sabitleri arasındaki ilişki nasıldır? © 2008 HSarı 5 Dielektrik Ortam-1 Durum I: J=0 ( Dielektrik ortam, veya yalıtkan ortam veya transparent ortam) ρserbest=0 Dielektrik malzemeleri (SiO2 gibi) mükemmel yalıtkan olarak düşüneceğiz ∇ .E = 0 ∇ .H = 0 ∂H ∇ × E = − µo ∂t ∂E ∇ × H = εo ∂t Dielektrik ortam olduğu için E alanını ortamın karakteristiğini yansıtacak şekilde yeniden ifade etmemiz gerekmektedir Çünkü dış elektrik alan E, ortamdan dolayı değişikliğe uğrayacaktır © 2008 HSarı 6 Kutuplanma Vektörü-1 Dış elektrik alanın malzeme üzerindeki toplam etkisi malzemenin Kutuplanma (Polarizasyon) Vektörü olarak adlandırılır. Malzemenin elektriksel karakteristiği polarizasyonudur. Bunu ifade edebilmek için Kutuplanma vektörü kullanırız + + - - EA + EA + - VA VA E≠E, P≠0 E=E, P=0 Uygulanan dış alan madde içinde: • İndüksiyon yolu ile elektrik dipoller oluşturur (önceden olmayan dipoller-atomun yük yoğ. değişmesi gibi) • Var olan dipollerin (dış alan olmadan da var olan dipollerin, örneğin su molekülünde olduğu gibi) alan ile aynı doğrultuya getirilmesini sağlar C+ e © 2008 HSarı O- C+ e e e e e Enet Eind Po=0 OPo E H+ H+ P 7 Kutuplanma Vektörü Polarizasyona katkı, atom içinde var olan atom ve moleküllerden gelmektedir Malzemeyi oluşturan bir atomun polarizasyona katkısını düşünelim -Ze P +Ze +Ze -Ze E=0 -q p E +q µatom=Bir atomun dipol momentidir d µatom=qd Aralarındaki mesafe d olan iki zıt yükün dipol momenti (p) E -e © 2008 HSarı P +e Enet Malzeme içindeki net elektrik alan Enet=E-Eind 8 Kutuplanma Vektörü Malzemenin elektriksel karakteristiği polarizasyonudur. Bunu ifade edebilmek için kutuplanma vektörü (Polarizasyon Vektörü) kullanırız. Buna göre Polarizasyon vektörü P= Polarizasyon vektörü P=∑µ µ/V µatom=Bir atomun dipol momentidir V=Hacim Büyüklüğü |P| dipol moment/hacim P= Yönü ise dipol momentin yönündedir Dipol momenti ise p=qd şeklindedir. Burada q yük, d ise yükler arasındaki uzaklıktır. Yoğunluğu ρ, atomik kütlesi A olan bir maddenin hacim başına atom sayısı Kutuplanma (Polarizasyon) vektörü © 2008 HSarı P =( NA ρ)µ atom A 9 Madde İçinde Elektromanyetik Dalga-Dielektrik Ortam-3 Uygulanan dış elektrik alan ile P arasında nasıl bir ilişki vardır? P(E)=P0+εoχ(1)E+(χ χ(2).E).E+... Burada χ elektriksel alınganlıktır (electric susceptibility) ve madenin optik özelliklerini incelemede oldukça önemli bir parametredir χ(1)= 1. dereceden elektriksel alınganlık χ(2)= 2. dereceden elektriksel alınganlık (doğrusal olmayan optik parametresi) Birçok malzeme için Po sıfırdır (Dış elektrik alan olmadan var olan polarizasyon, Örneğin H2O) C+ O- O- C+ P=0 Sadece birinci dereceden katkıyı göz önüne alırsak P(E)=εoχ(1)E P H+ H+ Burada χ(1) skaler bir niceliktir. Fakat en genel olarak χ matris formundadır. Çünkü malzemeler izotropik ve homojen olmayabilir. İzotropik ortamda (ve kübik kristallerde) ortamdaki yön önemli değildir. E, D ve P vektörleri paralel ve ε, n ve χ skaler niceliklerdir. Böyle bir ortamda elektromanyetik dalganın hızı ilerleme yönünden bağımsız olacaktır. © 2008 HSarı 10 Optik Ortamlarx P(E)=P0+εoχ(1)E+χ χ(2).E2+... x n=sabit homojen ortam (a) Homojenlik (Homogenous) y x (c) Dağıtkanlık (Dispersive) nx=sbt≠ny=sbt ≠nz y anizotropik ortam izotropik ortam (b) İzotropiklik (İsotropic) y inhomojen ortam x x nx=ny=nz=sbt n(r) y x v(ω)=sabit (d) Çizgisellik (NonLinearity) v(ω) y dağıngan olmayan ortam x y dağıngan ortam x PαE © 2008 HSarı y P α E2 y 11 çizgisel ortam çizgisel olmayan ortam Madde İçinde Elektromanyetik Dalga-Dielektrik Ortam-4 İzotropik olmayan malzeme için P vektörünü tanımlarsak: x Px=εoχxEx Py=εoχyEy Pz=εoχzEz z y Burada elektriksel alınganlıklar farklı yönler için en genel olarak farklı olabilir χx≠χy≠χz. Örneğin izotropik olmayan bir malzemeye y doğrultusunda dış bir elektrik alan uygulandığında, malzemeyi oluşturan atom veya molekülleri Ey doğrultusunda hizaya getirmek Ex doğrultusunda hizaya getirmekten eğer χx>χy ise daha kolaydır Elektriksel yerdeğiştirme vektörü D (malzeme içindeki alan) uygulanan dış elektrik alan EA, polarizasyondan dolayı madde içinde oluşan elektrik alan Eind, net elektrik alan Enet arasındaki ilişki Enet=E-Eind şeklinde olacaktır. Yani madde içindeki elektrik alan her zaman uygulanan dış alandan daha küçüktür. E’yi P cinsinden yazarsak yer değiştirme vektörü D’yi D=ε0(E+P) şeklinde tanımlarız. P’yi uygulanan alan cinsinden (1. dereceden katkı alınarak) ifade edersek P(E)=ε0χ(1)E E cinsinden D yer değiştirme vektörü © 2008 HSarı D=εo(E+ χ(1)E) => D=(εo+εoχ)E => D=εE 12 Madde İçinde Elektromanyetik Dalga-Dielektrik Ortam-5 ε≡εo(1+χ) kısaltması yapılırsa ε niceliğine maddenin elektriksel geçirgenliği ε=maddenin elektriksel geçirgenliği D=εE Burada D kutuplanabilen madde içersindeki toplam (net) elektrik akıdır Dolayısı ile yük yoğunluğunu ve Maxwell denklemini D cinsinden şu şekilde yazabiliriz Elektrik Özellikler E => D (D=εoE+P =>D=εE) Gauss yasasında εo => ε D=Elektriksel yerdeğiştirme Manyetik Özellikler H => B (B=µoH+µoM => B=µH) µo => µ B=Manyetik akı İki sabit µ ve ε, malzemenin özelliğini belirler. Optikte (yani EM dalgalarda) µ≈µ0 olarak alınabileceği için biz sadece ε’nin özellikleri ile ilgileniriz. Dielektrik ortamda dalga denklemini µ≈µ0 olduğu için 2 ∂ E ∇ 2 E = µε 2 ∂t 2 ∂ E ∇ 2 E = µ0ε 2 ∂t Madde içinde Elektromanyetik dalganın(ışığın) hızı © 2008 HSarı yazabiliriz vortam ≡ vm = 1 1 ≅ <c µε µ 0ε 13 Madde İçinde Elektromanyetik Dalga-Dielektrik Ortam-6 Madde ortamındaki (Dielektrik) EM dalganın(ışığın) hızını boş uzay çözümleri ile karşılaştıralım Boş uzaydaki EM’nın hızı c= 1 ε oµ 0 Madde ortamında EM’nın hızı Kırılma indisi (n) tanımı ( n≡ 1 µ 0ε 0 vm = 1 µ0ε ) c ε = = vm ( 1 ) ε0 µ 0ε Kırılma indisi ışığın boşluktaki hızının (c), madde içindeki hızına (vm) oranıdır Dielektrik sabiti (κ) tanımı ise: ε κ≡ = n2 εo (κ-ksi okunur) Gerçekte ε ve κ frekasına bağlıdır ama şimdilik incelemelerimize bunu dahil etmeyeceğiz Yukarıda bulunan sonuçlar dielektrik ortam için geçerlidir © 2008 HSarı 14 Madde İçinde Elektromanyetik Dalga-Dielektrik Ortam-6 Madde ortamındaki (Dielektrik) EM dalganın(ışığın) hızını boş uzay çözümleri ile karşılaştıralım Madde © 2008 HSarı Kırılma İndisi Bant Aralığı Boşluk 1.0000 - Hava 1.0003 - Su 1.333 - Cam 1.5-1.7 - Si 3.5 1.12 Ge 4.0 0.67 GaAs 3.6 1.43 AlAs 3.2 InP 3.5 InAs 3.8 InSb 4.2 15 Dielektrik durum için dalga denkleminin çözümleri E(z,t)=EoSin(kmz-ωt+φ) km=2π/λm (madde içindeki optik dalganın dalga sayısı) ω=2πν (dalganın açısal frekansı, ki boş uzaydaki ile aynıdır) vm=ω/km veya vm=νλm (dalganın madde içindeki yayılma hızı) ko c E(z) E(t) ω v ω t km Boş uzay © 2008 HSarı z=0 dielektrik z Boş uzay z=0 dielektrik 16 Madde İçinde Elektromanyetik Dalga-İletken Ortam-1 Durum II: İletken Ortam İletken ortamda ρserbest=0 ve J≠0 (iletkenlerde serbest taşıyıcılar oldukça fazladır >1026 m-3) Maxwell Denklemleri: ∇ .D = 0 ∇ .H = 0 ∂H ∇ × E = − µo ∂t ∂E ∇ × H = εo +J ∂t Yukarıdaki Maxwell denklemlerini çözebilmek için J ile uygulanan elektrik alan E arasında bir ilişki türetmemiz gerekmektedir Eğer işlemlerimizi doğrusal malzemelere, ki bu malzemeler Ohm yasasının geçerli olduğu malzemelerdir, sınırlandırırsak J ile E arasındaki bağıntıyı J=σE (Doğrusal iletken için Ohm yasası) şeklinde yazarız. Burada σ=iletkenliktir ( ρ=1/σ) © 2008 HSarı ∂E ∇ × H = εo +σ E ∂t ∂H ∇ × E = − µo ∂t 17 Madde İçinde Elektromanyetik Dalga-İletken Ortam-2 ∂E ∇ × H = εo +σ E ∂t ∂H ∇ × E = − µo ∂t Bu iki denklemi çözmek yerine, dielektrik ortam için bulduğumuz çözümlere yeni terimler ekleyerek iletken ortam için optik sabitleri türetebiliriz Dielektrik durum için dalga denkleminin çözümleri E(z,t)=EoSin(kmz-ωt+φ) km=2π/λm (madde içindeki optik dalganın dalga sayısı) ω=2πν (dalganın açısal frekansı, ki boş uzaydaki ile aynıdır) vm=ω/km veya vm=νλm (dalganın madde içindeki yayılma hızı) Dalga denklemi için üstel gösterim kullanırsak i ( k . z −ωt +φ ) E ( z , t ) = Eo e m İletken ∇ × E = +iωH ∇ × H = σE + ε(−iω) E © 2008 HSarı vm = i ( k . z −ωt +φ ) H ( z, t ) = H o e m σ ∇ × H = (−iω) + ε E ( − i ω ) Eo Bo Dielektrik ∇ × E = +iωH ∇ × H = ε(−iω) E 18 Ödev 3.1: İletken ortamda elektrik alan için yazılan 2 ∂ E ∂E 2 ∇ E = µoε 2 + µoσ ∂t ∂t diferansiyel dalga denkleminin çözümünün i ( ωc nz +i ωc Kz )−ωt +φ E(z,t) = Eo e olduğunu gösterin. © 2008 HSarı 19 Madde İçinde Elektromanyetik Dalga-İletken Ortam-3 Dielektrik İletken σ ∇ × H = (−iω) + ε E (−iω) ∇ × H = ε(−iω) E Yukarıdaki iki ortam için ∇× H denklemlerini karşılaştırırsak ε yerine εˆ ≡ ∇ × H = -iµo εˆE σ +ε −iω => εˆ ≡ ε + i gibi dielektrik sabit tanımı yapabiliriz σ ω İletken durumunda yeni dalga denklemi 2 ∂ E ∇ 2 E = µ0 εˆ 2 ∂t ˆ 2E − k m 2 E = − µ0εω Elektromanyetik dalganın iletken içinde ilerleme hızı © 2008 HSarı ε̂ ε iletken durumunda karmaşık sayı! v= ω km = 1 µoεˆ 20 Madde İçinde Elektromanyetik Dalga-İletken Ortam-4 Kompleks ε’nin anlamı nedir? Dielektrik (σ=0) durumunda kırma indisi n= ε c = = κ εo vm Dielektrik sabiti gerçek iletken durumunda kırma indisi Dielektrik sabiti kompleks nˆ = c εˆ = = κˆ vm εo Dolayısı ile en genel durumda n’nin karmaşık bir nicelik olduğunu söyleyebiliriz. Peki gerçekte karmaşık n ne demektir? i (k .z −ωt +φ ) E(z,t)= Eo e m ω Dielektrik durumunda km = vm = Bunu iletken durumu için genelleştirirsek km = Burada km = © 2008 HSarı ω nˆ c ω c ⇒ km = n n c n̂ = n + iK ω kˆm = (n + iK ) c Madde içindeki dalga sayısı K=Maddenin sönüm katsayısı (extinction coefficient of medium) (kırılma indisinin sanal kısmı) 21 Madde İçinde Elektromanyetik Dalga-İletken Ortam-5 kˆm = ω c Re(k m ) = (n + iK ) Im(k m ) = ω c ω c n K − ω Kz i ωc nz −ωt +φ E(z,t)= Eo e c e i ( ωc nz +i ωc kz ) −ωt +φ E(z,t)= Eo e − ωc Kz ω E(z,t) = Eo e sin( nz − ωt + φ) c Genlik z değişkenine yani yayılma doğrultusuna bağlı. Κ > 0 için genlikte azalma söz konusudur. Ortamın optik özelliği iki parametre ile verilir bunlar n ve Κ dır. E(z,t) E(z,t) Eo/e z δ z Boş uzay z=0 © 2008 HSarı dielektrik Boş uzay z=0 iletken Genliğin e-1değerine düştüğü z değerine (δ) “sızma derinliği (penetration dept) ” denir e-1=1/2.7≈1/3 Bakır (morötesi λo=100 nm) δ=0.6 nm (kızılaltı λo=10 000 nm) δ=6 nm 22 Maddenin Optik Sabitleri ω km = n c i ( ω nz −ωt +φ ) E(z,t)= Eo e c ω kˆm = (n + iK ) c i ( ωc nz +i ωc kz ) −ωt +φ E(z,t)= Eo e I=cεo<|E|2> Parlaklık − ω Kz i ωc nz −ωt +φ E(z,t)= Eo e c e E alanını mutlak değerinin zaman ortalamasını alırsak I = Io e −αz Burada © 2008 HSarı α= 2ω K c Maddenin soğurma katsayısı (boyutu=1/uzunluk) 23 Özet Boş uzaydaki EM’nın hızı c= 1 ε oµ 0 Madde ortamında EM’nın hızı vm = 1 µ0ε Madde ortamında elektromanyetik dalganın hızı vm=c/n ( 1 ) µ 0ε 0 c ε n≡ = = vm ( 1 ) ε0 Kırılma indisi µ 0ε Kırılma indisi en genel durumda karmaşık sayı ile ifade edilen bir niceliktir Maddenin optik sabitleri Gerçek kısmı => n=kırılma indisi, Sanal kısmı => Κ=yok etme (extinction) katsayısı © 2008 HSarı 24 Özet εo: Boş uzayın elektrik geçirgenliği µo: Boş uzayın manyetik geçirgenliği Elektrik alınganlık P Kutuplanma (birim hacim başına dipol momenti) ε Maddenin elektrik geçirgenliği εr=ε/εo Nispi geçirgenlik n=(εr)1/2 Kırılma indisi χ κ=ε/εo Maddenin dielektrik sabiti K=σ/εοω Yok etme (Extinction) katsayısı n̂ = n + iK Maddenin optik sabitleri n=Kırılma indisi Κ= Yoketme indisi (Extinction katsayısı ) © 2008 HSarı 25